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公开(公告)号：CN105719693A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610045632.9
申请日：2016-01-22
Applicant: 清华大学 , 北京兆易创新科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种NAND存储器的多比特编程方法及装置。所述方法包括：将被编程的多比特数据写入数据锁存器组，所述多比特数据为格雷码码字；将所述多比特数据从所述格雷码码字转换为加速编码码字；对存储阵列中需要被编程的存储单元进行编程；对被编程的各所述存储单元执行编程验证操作；对被编程的各所述存储单元执行锁存扫描操作；以及对被编程的各所述存储单元执行确认扫描操作。所述方法根据锁存器的结构重新设计编码，减少了编程过程中复杂的冗余操作的数量，因而可以加快编程的速度，降低功耗。
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公开(公告)号：CN105719693B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201610045632.9
申请日：2016-01-22
Applicant: 清华大学 , 北京兆易创新科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种NAND存储器的多比特编程方法及装置。所述方法包括：将被编程的多比特数据写入数据锁存器组，所述多比特数据为格雷码码字；将所述多比特数据从所述格雷码码字转换为加速编码码字；对存储阵列中需要被编程的存储单元进行编程；对被编程的各所述存储单元执行编程验证操作；对被编程的各所述存储单元执行锁存扫描操作；以及对被编程的各所述存储单元执行确认扫描操作。所述方法根据锁存器的结构重新设计编码，减少了编程过程中复杂的冗余操作的数量，因而可以加快编程的速度，降低功耗。
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公开(公告)号：CN105719694A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610046803.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 清华大学 , 北京兆易创新科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种NAND存储器的多比特编程方法及装置。所述方法包括：将被编程的多比特数据写入数据锁存器组；将所述多比特数据从格雷码码字转换为加速编码码字；确定存储阵列中需要被编程的目标阈值电压大于预定电压的存储单元和目标阈值电压不大于所述预定电压的存储单元；将目标阈值电压大于所述预定电压的各所述存储单元预编程到中间态电压；对目标阈值电压不大于所述预定电压的各所述存储单元进行编程以及执行编程验证操作、锁存扫描操作以及确认扫描操作；对目标阈值电压大于所述预定电压的各所述存储单元进行编程以及执行编程验证操作、锁存扫描操作以及确认扫描操作。所述方法根据锁存器的结构重新设计编码，减少了编程过程中复杂的冗余操作的数量，因而可以加快编程的速度，降低功耗。
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公开(公告)号：CN105719694B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201610046803.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 清华大学 , 北京兆易创新科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种NAND存储器的多比特编程方法及装置。所述方法包括：将被编程的多比特数据写入数据锁存器组；将所述多比特数据从格雷码码字转换为加速编码码字；确定存储阵列中需要被编程的目标阈值电压大于预定电压的存储单元和目标阈值电压不大于所述预定电压的存储单元；将目标阈值电压大于所述预定电压的各所述存储单元预编程到中间态电压；对目标阈值电压不大于所述预定电压的各所述存储单元进行编程以及执行编程验证操作、锁存扫描操作以及确认扫描操作；对目标阈值电压大于所述预定电压的各所述存储单元进行编程以及执行编程验证操作、锁存扫描操作以及确认扫描操作。所述方法根据锁存器的结构重新设计编码，减少了编程过程中复杂的冗余操作的数量，因而可以加快编程的速度，降低功耗。
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