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公开(公告)号：CN101944434A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010232566.9
申请日：2010-07-16
Abstract: 本发明涉及聚合物复合材料嵌入式微电容及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域。该微电容包括依次层叠的上电极，介电薄膜和下电极，该介电薄膜采用聚酰亚胺/钛酸钡(PI/BT)复合材料。该方法包括：使用原位聚合法将BT纳米颗粒分散入PI中制备介电薄膜PI/BT复合材料；采用流延法将PI/BT复合材料黏附在基底铜板上，在得到的介电薄膜上铺一层光刻胶，并根据版图进行紫外线曝光，得到图形化的光刻胶；介电薄膜和光刻胶上溅射一层金属层；在丙酮溶液中浸泡形成了图形化好的上层电极；在氧气和三氟甲烷的混合气体中进行RIE处理后，超声清洗，即制得微电容。本发明可获得面积较大的、均匀致密的介电薄膜，并且可以使微电容在较高温度和低温下稳定工作。
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公开(公告)号：CN101944434B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010232566.9
申请日：2010-07-16
Abstract: 本发明涉及聚合物复合材料嵌入式微电容及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域。该微电容包括依次层叠的上电极，介电薄膜和下电极，该介电薄膜采用聚酰亚胺/钛酸钡(PI/BT)复合材料。该方法包括：使用原位聚合法将BT纳米颗粒分散入PI中制备介电薄膜PI/BT复合材料；采用流延法将PI/BT复合材料黏附在基底铜板上，在得到的介电薄膜上铺一层光刻胶，并根据版图进行紫外线曝光，得到图形化的光刻胶；介电薄膜和光刻胶上溅射一层金属层；在丙酮溶液中浸泡形成了图形化好的上层电极；在氧气和三氟甲烷的混合气体中进行RIE处理后，超声清洗，即制得微电容。本发明可获得面积较大的、均匀致密的介电薄膜，并且可以使微电容在较高温度和低温下稳定工作。
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公开(公告)号：CN105070781B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510262782.0
申请日：2015-05-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法，属于柔性电子技术以及敏感电子学领域，该光敏单元器件包括依次层叠的柔性衬底、柔性支撑层、柔性缓冲层、柔性背栅电极层、柔性背栅介质层、图形化的柔性碳纳米管光敏薄膜沟道层、以及在光敏沟道上图形化的金属源电极和漏电极。本发明利用有机高分子柔性材料作为光敏器件衬底，同时采用柔性栅介质材料、金属电极、以及碳纳米管薄膜光敏薄膜，可以实现光敏器件的柔性化。光敏薄膜沟道层采用碳纳米管网络结构，具有工艺简单、室温成膜的特点，适合于柔性传感器的制备。此外，碳纳米管还具有优异的光电特性，能实现对光的高效快速检测。
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公开(公告)号：CN105070781A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510262782.0
申请日：2015-05-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1136 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/02 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/035227 , H01L31/1804
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法，属于柔性电子技术以及敏感电子学领域，该光敏单元器件包括依次层叠的柔性衬底、柔性支撑层、柔性缓冲层、柔性背栅电极层、柔性背栅介质层、图形化的柔性碳纳米管光敏薄膜沟道层、以及在光敏沟道上图形化的金属源电极和漏电极。本发明利用有机高分子柔性材料作为光敏器件衬底，同时采用柔性栅介质材料、金属电极、以及碳纳米管薄膜光敏薄膜，可以实现光敏器件的柔性化。光敏薄膜沟道层采用碳纳米管网络结构，具有工艺简单、室温成膜的特点，适合于柔性传感器的制备。此外，碳纳米管还具有优异的光电特性，能实现对光的高效快速检测。
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公开(公告)号：CN104865293A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510257321.4
申请日：2015-05-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于三维网络敏感薄膜的柔性气体传感器件及其制备方法，属于敏感电子学和柔性电子学领域。该传感器件包括：根据制备顺序依次层叠的柔性衬底层，叉指电极层和三维网络结构敏感薄膜层；制备方法主要包括柔性叉指电极器件制备，制备传感器件所需膜层材料，采用气喷成膜工艺制备三维网络结构敏感薄膜器件。本发明的优点在于利用柔性衬底对三维网络结构敏感薄膜的延伸性，进一步提高敏感薄膜对气体的响应性能，同时工艺简单，成本低，所制备的传感器件可用于气体检测领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104505461A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410709257.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 清华大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及基于有机聚合物的多层减反膜混合太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池结构包括：根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底，绝缘层，下电极，第一减反膜，空穴导电层，上电极，第二减反膜，且该混合太阳能电池为平面结构；该第一减反膜为采用原子层淀积方法制备的氧化钛薄层，厚度为0.5nm～1.5nm；该空穴导电层采用的PEDOT:PSS材料旋涂形成的PEDOT:PSS薄膜；该第二减反膜为通过原子层淀积方法生长的氧化铝膜或通过旋涂形成的聚甲基丙烯酸甲酯膜，厚度为30～50nm。本发明能够大幅减少太阳光的反射率，可提高太阳能电池的效率和电池稳定性，且具备制备工艺简单、成本低廉及稳定性良好等特点。
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公开(公告)号：CN102572667A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210030702.5
申请日：2012-02-10
Applicant: 清华大学
IPC: H04R23/00
Abstract: 本发明涉及一种柔性透明热致发声装置，属于发声装置技术领域，该装置包括：一发声元件以及与该发声元件相连的一信号输入装置；所述发声元件包括一柔性透明基底，在该基底上设置至少一导电薄膜结构、一端连接在该导电薄膜结构两边的一对电极或多对电极；所述信号输入装置的输入端与所述电极的另一端相连；使该导电薄膜结构改变周围介质密度发出声波。本发声元件本身无机械振动并且是透明的、可以弯折和拉伸的特点，这种热致发声装置能够在101千赫兹至100兆赫兹频段内产生高的声压输出。具有高可靠性、柔性、透明、低成本、高性能的优势，能够同显示屏幕集成同时实现发声和显示功能，从而广泛应用到手机、MP3、MP4、电视、电脑、超声成像、测距系统等电子领域。
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公开(公告)号：CN101894843B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010199035.4
申请日：2010-06-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及基于锆钛酸铅存储介质的铁电动态随机存储器制备方法属于微电子新材料与器件技术领域，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于测试该存储器的衬底接触区和衬底接触电极；其中，隔离层介质为：HfO2、Hf-Al-O、TiO2、Al2O3中的任意一种；所述铁电薄膜层为：Pb(Zr1-xTix)O3。该方法包括：对硅衬底进行清洗和氧化；第一次光刻形成源漏区：第二次光刻形成衬底接触区：生长氧化层：第三次光刻形成栅区：生长隔离层介质薄膜：制备隔离层介质薄膜和生长铁电薄膜：制备电极金属层：第四、五次光刻形成栅电极和接触孔；制备源极、漏极以及衬底接触金属层：合金化处理。本发明制备的FEDRAM器件具有更小的漏电，更高的保持特性。
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公开(公告)号：CN102263144A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110217023.4
申请日：2011-07-29
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18 , H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)作为隔离层，在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层表面制备金属前电极，在阵列上填充半导体材料形成异质结，制得的半导体异质结太阳能电池结构简单，易于制备，不仅能有效地减少入射光的反射，而且可以增大异质结的接触面积，从而达到提高太阳能电池能量转换效率的目的。
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公开(公告)号：CN101872769A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010202577.2
申请日：2010-06-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/31 , G11C11/22 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件的区别特征为隔离层介质为：HfO2、Hf-Al-O、TiO2、Al2O3中的任意一种；铁电薄膜层为BXT或BXFY中的任意一种：其中，X为掺杂的稀土元素，Y为掺杂的过渡金属元素。该方法包括：对硅衬底进行清洗及氧化：光刻形成源漏区和衬底接触区后生长氧化层：再光刻形成栅区后生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜；在铁电薄膜上溅射电极金属层；再光刻和刻蚀形成栅电极、接触孔；源极、漏极以及衬底接触金属层及电极金属层；最后合金化处理。本发明可获得大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的FEDRAM器件具有更小的漏电，更高的保持特性。
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