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公开(公告)号：CN107144802B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710325985.9
申请日：2017-05-10
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: G01R33/12
Abstract: 快速测量超导薄膜平均临界电流的方法：测量待测超导薄膜样品的几何尺寸；将待测样品冷却至超导态并进行励磁；采用磁场测量装置扫描测量待测样品几何中心区域磁感应强度B；根据B的最大值确定待测样品的几何中心点坐标；将磁场测量装置固定于几何中心点的正上方或正下方一高度h处以测量待测样品在磁场测量装置固定处产生的磁感应强度Bc；对一平均临界电流Ic已知的超导薄膜对照样品执行前述的全部步骤得到该对照样品的Bc值；根据超导薄膜的Bc与h、Ic和几何尺寸之间的关系式，基于测量得到的对照样品的所述几何尺寸、Bc值和已知的Ic值，得到h的值，再将h的值及测量得到的待测样品的几何尺寸和Bc值代入关系式，得到待测样品的Ic值。
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公开(公告)号：CN106356692B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610966455.8
申请日：2016-10-28
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 一种加工超导导线接头连接体的设备及方法，该设备包括第一圆柱形滚轴和第二圆柱形滚轴，所述第一圆柱形滚轴和第二圆柱形滚轴的轴线互相平行，所述第一圆柱形滚轴和所述第二圆柱形滚轴之间具有用于装入第二代高温超导导线的间隙，所述第一圆柱形滚轴和所述第二圆柱形滚轴经控制朝相反的方向旋转并具有相同的线速度，第二代高温超导导线的靠近金属基底的第一面固定在所述第一圆柱形滚轴上，第二代高温超导导线的靠近超导层的第二面固定在所述第二圆柱形滚轴上，所述第二圆柱形滚轴的半径大于第二代高温超导导线的临界弯曲半径。本发明设备及方法能有效、可靠、低成本地实现获得连接体，并使所获得的连接体保持良好的超导性能。
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公开(公告)号：CN105390902A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510896584.X
申请日：2015-12-07
Applicant: 清华大学深圳研究生院
CPC classification number: Y02E40/642 , H01R43/02 , H01B12/06 , H01R4/021 , H01R4/68 , H01R2201/22
Abstract: 本发明公开了一种用于稀土钡铜氧高温超导导线的超导接头制作方法，包括以下步骤：a.对两根超导导线的端部进行银层去除处理使超导层裸露；b.将两根超导导线的超导层面对面放置，在中间加入可在热处理过程中生成稀土钡铜氧相的粉末焊料；c.在适当的低氧分压下进行热处理使所述粉末焊料发生反应，缺氧态的稀土钡铜氧相在超导层表面外延生长进而连接两个超导层；d.在适当的高氧分压下进行充氧热处理，使稀土钡铜氧相具备超导性能，从而实现两根超导导线之间的超导连接。该方法能够简化制备流程、缩短生产时间、降低生产成本，在尽量不损害金属基带的前提下实现带材的超导连接。
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公开(公告)号：CN104593742A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510029133.6
申请日：2015-01-20
Applicant: 清华大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0052 , C23C14/08 , C23C14/3442
Abstract: 一种制备具有双轴织构的氧化物薄膜的设备和方法，该设备包括磁控溅射真空室以及安装在磁控溅射真空室内的磁控溅射靶材和样品架，磁控溅射靶材与基底材料之间的距离在1厘米～100厘米范围内，且从磁控溅射靶材上射出的粒子束流在基底材料上的入射方向与基底材料的法线之间的夹角在30°～60°范围内，磁控溅射真空室的工作气压在0.01Pa～10Pa范围内，在磁控溅射过程中溅射功率和电压受控制以产生能量在范围内100eV～1000eV的粒子束流，该粒子束流轰击正在生长的薄膜使之产生双轴织构。采用本发明，不需要使用昂贵的离子源就能制备出具有双轴织构的氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN103613377B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310617065.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 清华大学深圳研究生院 , 清华大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种稀土钡铜氧高温超导膜的制备方法，包括：a)将稀土金属盐、钡盐、铜盐和掺杂元素化合物按比例称量分散于溶剂中，得前驱物，掺杂元素化合物在300-650℃和氧气氛围下能生成掺杂元素的氧化物；b)将前驱物涂于基底上形成前驱膜；c)前驱膜置入热处理炉中，通入氧气，炉温升至300-650℃并保温0-5小时，并在炉温达到80-120℃时通入水蒸气直到完成热分解；d)通入氧氮混合气和水蒸气，将炉温升至700-825℃并保温20-250分钟，在保温时间的最后1-30%时间内，停止通入水蒸气；e)在干燥的氧气下，将炉温降至400-500℃并保温0-240分钟，得到产品。本发明得到的稀土钡铜氧高温超导膜的厚度在300nm以上，超导临界温度高于90K，在77K温度、自场条件下的临界电流密度高于1mA/cm2。
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公开(公告)号：CN109855521A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910008333.1
申请日：2019-01-04
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: G01B7/02
Abstract: 霍尔探头有效测量位置的测定方法，属于磁场测量领域。将标准导线安装在样品台上；霍尔探头移动到接近标准导线；标准导线通电，并移动霍尔探头到导线的中心位置；测量已知通电标准导线的中心位置的磁场强度。根据标准导线的磁感应强度B、电流I、高度h和标准导线的尺寸参数的关系式，基于使用的电流值、测得的磁感应强度值和标准导线的尺寸参数值，计算得到霍尔探头有效测量位置距离探头底部高度h的值。更优的通过修改电流值多次测量，或通过使用不同宽度的标准导线来进行多次测量，使用数据拟合的方法获得更高的精度。
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公开(公告)号：CN105390830B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510894364.3
申请日：2015-12-07
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 一种实现稀土钡铜氧高温超导导线之间超导连接的方法及结构，该方法包括以下步骤：使一根超导导线沿着过渡层与超导层之间的界面裂开，将包括超导层和银稳定层的部分作为超导连接体；对另外两根超导导线的端部去除银层露出超导层；将这两根超导导线的端部相邻放置，焊接金属基底；将这两根超导导线的超导层上覆盖超导连接体；在低氧分压气氛下进行成相热处理，使超导连接体与超导导线的超导层的界面处生成缺氧态的稀土钡铜氧相；在高氧分压气氛下进行充氧热处理，使稀土钡铜氧相具备超导性质，从而实现超导连接体与超导导线的超导层之间超导连接。本发明实现的超导连接具有优良机械性能，并能降低充氧难度，缩短热处理时间，降低连接加工成本。
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公开(公告)号：CN103086722B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310037983.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 清华大学 , 清华大学深圳研究生院
IPC: C04B35/622 , C04B35/45 , C04B35/50
Abstract: 本发明涉及一种高温超导膜的制备方法，其包括以下具体步骤：将稀土金属盐、钡盐和铜盐按比例称量并分散于一溶剂中，配制得到一前驱物母体；在该前驱物母体中加入一聚合物，搅拌后得到一改性前驱物；提供一基底，将所述改性前驱物涂覆于该基底上形成一前驱膜；将该前驱膜置入一热处理炉中，将炉温快速升至300℃-650℃并保温0分钟-60分钟；将炉温升至730℃-825℃并保温20分钟-250分钟；以及将炉温降至400℃-500℃并保温0分钟-240分钟。本发明方法不仅能制得表面致密平整、超导性能优良的高温超导膜，而且能大幅提高高温超导膜的制备速率。
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公开(公告)号：CN108565067A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810055537.6
申请日：2018-01-19
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: H01B13/00
CPC classification number: H01B13/0026
Abstract: 本发明公开了多层复合结构稀土钡铜氧超导膜及其制备方法，该制备方法包括：在基底上交替沉积REBa1+xCuO7-y膜和金属层，形成的超导膜表示为(REBa1+xCuO7-y/M)n，其中RE为稀土元素，M表示金属层，0.5≤x≤1,0
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