公开(公告)号：CN116779687A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310774774.9

申请日：2023-06-28

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张桥 ,  颜家圣 ,  黄智 ,  刘鹏 ,  张灿阳 ,  肖彦 ,  刘晓 ,  任丽

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明名称为一种高压低阻尼振荡软恢复二极管及制造方法，以N‑区为衬底，包括阳极外端P+环、阳极P+块、P‑缓冲层、阴极外端N缓冲层、N缓冲层块环、阴极外端N+环、阴极N+区和阴极P+块，所述的N‑区的阴极K侧均匀设置了N缓冲层块和N缓冲层环，N缓冲层环、N缓冲层块和N‑区上交替设置了高浓度的阴极外端N+环、阴极N+区和阴极P+块，N+区交叠和包围N缓冲层，N缓冲层块包围阴极P+块，阴极P+块与阴极N+区之间由N缓冲层隔离；N‑区与阳极P+块之间设置了P‑缓冲层。本发明方法高压二极管具有更高的反向阻断电压、特软的反向恢复特性和较低的反向恢复阻尼振荡，阴极外端N缓冲层环可提高抗动态雪崩能力，具有更高的可靠性。

公开(公告)号：CN217127605U

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202220832851.2

申请日：2022-04-12

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张灿阳 ,  李娴 ,  季文鹏 ,  刘晓 ,  黄智 ,  汤尧

IPC: C30B31/16 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型的名称是一种改善扩散气源分布的工装，属于功率半导体器件生产工艺技术领域。它主要是解决上述扩散气源在炉管内分布状态稳定、直接影响晶圆晶片高温扩散后的掺杂参数的问题。它的主要特征是：由散流套件和阻流套件构成；所述散流套件由散流承载舟及间隔设置在散流承载舟上的聚气片、分流片和散流片构成；所述阻流套件由阻流承载舟及间隔设置在阻流承载舟上的集气片、过渡片和阻流片构成；所述聚气片、分流片、散流片、集气片、过渡片和阻流片上设有通气孔。本实用新型具有耐高温、易拆卸、易清洁和可使扩散气源在炉管内分布状态均匀稳定的特点，主要用于大功率半导体器件晶圆晶片的生产。

公开(公告)号：CN217134333U

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202220832791.4

申请日：2022-04-12

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 黄智 ,  张灿阳 ,  季文鹏 ,  刘晓 ,  李娴 ,  汤尧

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/22

Abstract: 本实用新型的名称是一种铝饱和用预沉积筒形硅舟，属于功率半导体器件生产设备技术领域。它主要是解决现有筒形舟极易出现裂纹、崩边等缺陷而直接导致筒形舟报废的问题。它的主要特征是：包括第一全封闭筒形硅舟、第二全封闭筒形硅舟、硅舟和全封闭筒形硅舟封板，所述第一全封闭筒形硅舟和硅舟分别位于第二全封闭筒形硅舟内的上部和下部，所述第二全封闭筒形硅舟的两端口用全封闭筒形硅舟封板封闭；所述第一全封闭筒形硅舟和第二全封闭筒形硅舟的内表面为非光滑表面。本实用新型具有加工方便、操作简单、筒形硅舟使用寿命有效提升、极大降低晶圆片在工艺过程中溅铝风险的特点，主要用于晶圆片的铝饱和预沉积扩散工艺。