公开(公告)号：CN117293168A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202210681560.2

申请日：2022-06-16

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张桥 ,  颜家圣 ,  刘晓 ,  刘鹏 ,  黄智

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/74

Abstract: 本发明的名称是一种快速开通扩展放大门极结构的晶闸管。属于半导体器件技术领域。它主要是解决半导体器件放大门极指条太长存在开通延迟、开通均匀性差等缺点。它的主要特征是：晶闸管包括由P型中心门极、辅助晶闸管N+区、P型放大门极环和P型放大门极延长线指条构成的放大门极；P型中心门极和P型放大门极环内设置有中心门极P+区和P型放大门极环P+区；P型放大门极延长线指条内设置有放大门极N+枝条及将其包围的放大门极P+枝条；放大门极N+枝条与辅助晶闸管N+区直接相连，放大门极P+枝条与P型放大门极环P+区相连。本发明具有提高初始导通面积和使阴极区开通均匀的特点，广泛应用于电力半导体快速晶闸管、脉冲晶闸管等器件。

公开(公告)号：CN108063164B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201711329371.4

申请日：2017-12-13

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张桥 ,  刘小俐 ,  颜家圣 ,  刘鹏 ,  肖彦 ,  黄智 ,  李娴 ,  任丽

IPC: H01L29/747 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明的名称为高压双向晶闸管及其制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有高压晶闸管反并联后串联，结构件较多、复杂等缺点。它的主要特征是：所述半导体芯片为四端P+ N+PP‑N‑P‑PN+P+九层结构，四个端子分别为T1极、上部门极、T2极和下部门极，为2个晶闸管反并联；中心门极为PNP型结构对反并联晶闸管进行隔离；晶闸管器件正向、反向阻断电压可达到6500V以上，通过控制信号可控制双压晶闸管正向、反向导通；反并联晶闸管间设有低掺杂浓度的隔离层，减小反并联晶闸管的相互影响。具有能明显提高双向晶闸管器件的耐压，又简单、易用、工艺简化特点，简化结构并提高工作可靠性。主要应用于交流电机控制、高压防爆软启动器装置。

公开(公告)号：CN110164980A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910439983.1

申请日：2019-05-24

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张桥 ,  颜家圣 ,  周霖 ,  黄智 ,  刘鹏 ,  肖彦 ,  刘磊 ,  吕晨襄

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/167 ,  H01L29/06 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明名称为一种高压快软恢复二极管。属于高压半导体二极管设计和制造技术领域。它主要是解决现有高压二极管不能满足高压4000V以上高压半导体器件反向续流要求的问题。它的主要特征是：所述半导体晶片由阳极P+块或阳极P+区、阳极P区、长基区N、阴极N+环、阴极P+块和阴极N+块组成；所述阳极P+块或阳极P+区分布在阳极P区表面，阳极P+块或阳极P+区与阳极P+块或阳极P+区之间的阳极P区构成阳极区；所述阴极N+块在长基区N表面间隔分布，阴极P+块位于阴极N+块之间，阴极P+块与阴极N+块之间由长基区N隔离。本发明具有更高的反向阻断电压、更短的反向恢复时间和改善二极管软度因子的特点，主要应用于IGBT、IGCT、IEGT等器件的反向续流。

公开(公告)号：CN105448900B

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201510036759.X

申请日：2015-01-26

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 刘婧 ,  杨成标 ,  孙伟 ,  李新安 ,  邢雁 ,  王维 ,  孙娅男 ,  周霖

IPC: H01L25/07

Abstract: 本发明的名称为一种高频低压降功率半导体模块。属于功率半导体模块制造技术领域。它主要是解决现有的功率半导体模块关断时间长、压降大的问题。它的主要特征是：包括散热底板、外壳绝缘导热片、电极、芯片、门极引线、辅助阴极、紧固件、紧固螺钉螺母、门极块、门极片以及内填充的硅凝胶层和环氧层或硅凝橡胶层和环氧层；芯片为高频可控硅芯片或者高频整流管芯片；电极与芯片阴极面接触的部分为凸起的台面。本发明具有使功率半导体模块关断时间短且压降小的特点，能够满足静电除尘设备、高频逆变器、高频感应加热、斩波器等设备中对功率半导体模块的需求，主要用于有高频整流和逆变要求的电力电子装置中的功率半导体模块。

公开(公告)号：CN103887153B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201210554051.X

申请日：2012-12-19

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 杨宁 ,  张桥 ,  周霖 ,  楚奇

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/228

Abstract: 本发明的名称为一种Al‑Ga复合扩散掺杂方法。属于电力半导体功率器件制造工艺技术领域。它主要是解决现有Al‑Ga杂质同步扩散时互相干扰、影响均匀性的问题。它的主要特征是：⑴在第一源盒中装入铝杂质源，在第二源盒中装入镓杂质源，再装入源盒、档片、硅片、陪片，最后将封管放入真空扩散炉中；⑵将真空扩散炉抽真空，再升温至铝杂质源预沉积扩散温度范围进行铝杂质源预沉积恒温扩散；⑶再将真空扩散炉升温至镓杂质源扩散温度范围进行镓杂质源、预沉积铝杂质再分布双杂质恒温扩散；⑷最后降温出炉。本发明具有可显著改善P型扩散掺杂的均匀性、重复性、降低成本、提高工效的特点，用于电力半导体功率器件制造中铝镓杂质复合扩散掺杂工艺。

公开(公告)号：CN105702671A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610061108.0

申请日：2016-01-29

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 李黎 ,  彭明洋 ,  颜家圣 ,  朱玉德 ,  邹宗林

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/04

CPC classification number: H01L25/165 ,  H01L23/04

Abstract: 本发明公开了一种模块化脉冲晶闸管的压装结构，包括上压装盘、下压装盘、上引出线盘、下引出线盘、压装螺栓、缓冲元件、绝缘拉杆、保护电路模块、触发电路模块、线缆端子接入螺孔和外保护罩；在上压装盘与所述上引出线盘之间、所述下压装盘与所述下引出线盘之间均安装有缓冲元件。上、下压装盘之间压装有一系列串、并联在一起的单个晶闸管可控硅开关，压装力依赖上、下压装盘之间的若干根棒型绝缘拉杆的拉紧来实现，上、下压装盘上有固定棒型绝缘拉杆的螺柱或内螺纹孔，螺柱或内螺纹孔均匀分布在压装盘上，呈对称布局。

公开(公告)号：CN104409491A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201310374762.3

申请日：2013-08-26

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 张桥 ,  刘鹏 ,  颜家圣 ,  邢雁 ,  吴拥军 ,  杨宁 ,  肖彦 ,  刘小俐 ,  任丽

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L21/332 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/74 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1012 ,  H01L29/66363

Abstract: 本发明的名称为高压快开通晶闸管及其制造方法。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有半导体器件阴极因放大门极渐开线指条太长而存在di/dt耐量低、门极控制开通均匀性差等缺点。它的主要特征是：所述半导体芯片为三端PNPN四层结构，三个端子分别为阳极、阴极和门极；所述的PNPN四层结构，分为P1阳极区、N1长基区、P2短基区和N+阴极区；所述P1阳极区表面增设有阳极P+层，阴极区面的中心门极、放大门极、短路点、短路环区设有P+层。本发明具有降低门极、短路点处的横向电阻，降低器件压降，提高门极触发开通的均匀性和高压器件开通速度，满足节能降耗的特点，主要应用于大功率脉冲电源、大功率串联逆变电源等装置。

公开(公告)号：CN103378144A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210117712.2

申请日：2012-04-20

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 颜家圣 ,  张桥 ,  刘小俐 ,  肖彦 ,  吴拥军

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明的名称为脉冲功率晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有普通晶闸管不能适应大功率脉冲电源应用要求，而传统脉冲功率器件易衰退、可靠性低、成本高或技术难度太高。它的主要特征是：包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片，四层为P1阳极区、N1长基区、P2短基区和N2阴极区，三个端子分别为阳极A、阴极K和门极G；所述的N2阴极区位于以P2短基区中心为圆心的圆环形区域内，且在N2阴极区内形成相互隔离的阴极小元胞，该各阴极小元胞并联形成阴极K；门极G位于N2阴极区的中心处。本发明具有简单、易用、低廉、可靠、良好的脉冲电流输出能力和较高的di/dt能力的特点；主要用于高功率脉冲电源。

公开(公告)号：CN101931002B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910062814.7

申请日：2009-06-24

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 颜家圣 ,  张桥 ,  吴拥军 ,  杨成标 ,  刘小俐

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/36 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明的名称为反向阻断二极晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有二极晶闸管存在正常工作峰值电流不够大、di/dt不够高和可靠性不高的问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的晶闸管芯片，该芯片为P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区、N2阴极发射区四层结构，P1阳极发射区外为烧结欧姆接触层和阳极钼片，N2阴极发射区设有阴极表面金属镀层，晶闸管芯片台面设有保护胶层，晶闸管芯片中心部位设有浓度高于N2阴极发射区浓度、结深大于或等于N2阴极发射区结深的高浓度N区，形成阴极沟道。本发明具有正常工作峰值电流大、di/dt高、重复率高、快速开关能力强和可靠性高的特点，主要应用于雷达调制器和激光脉冲等领域。

公开(公告)号：CN111261619A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911157725.0

申请日：2019-11-22

Applicant: 湖北台基半导体股份有限公司

Inventor： 杨成标 ,  董明 ,  刘婧 ,  刘鹏 ,  肖彦 ,  李新安 ,  段彬彬 ,  朱玉德

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明的名称为悬浮压接功率半导体模块。属于高压功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有芯片和电极片通过焊料高温焊接而存在焊接应力和焊接空洞的问题。它的主要特征是：包括模块底板，绝缘导热片，金属A、K电极，上、下钼圆片，功率半导体芯片，门极组件，模块塑料外壳；上钼圆片中心设有安装孔；门极引线组件卡入该安装孔内定位；金属A电极、下钼圆片、功率半导体芯片、上钼圆片、门极引线组件和金属K电极依次为压接接触。本发明具有可消除芯片高温焊接产生的形变和应力，能满足客户对模块产品提出的高电压、大电流要求的特点，主要用于高压软启动电源、高压静止无功补偿电源、高压脉冲功率电源、高压直流输电等领域的高压半导体器件。