公开(公告)号：CN119465388A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411552807.6

申请日：2024-11-01

Applicant: 湖北大学

Inventor： 何云斌 ,  陈旭阳 ,  秦华垚 ,  卢寅梅 ,  黎明锴 ,  陈剑 ,  许明耀

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及氧化物单晶厚膜生长装置、生长系统及生长方法。氧化物单晶厚膜生长装置包括管体、金属源反应器、底托、输送单元和供气单元。该生长装置设置于炉体，与法兰、气体提供装置、真空泵系统以及驱动器一同构成氧化物单晶厚膜生长系统。在该生长系统中利用氧化物单晶厚膜生长方法，在远低于氧化物熔点下即可高速生长氧化物单晶，其原料承载装置无需使用耐温、耐氧化的贵金属材料制作，仅利用低成本普通材料即可。该生长方法步骤简单，生长所得氧化物单晶厚膜结晶质量好，能够适应大规模生产，大幅降低氧化物单晶生长系统以及氧化物单晶厚膜的生产成本。

公开(公告)号：CN119507035A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411552802.3

申请日：2024-11-01

Applicant: 湖北大学 ,  广州华瑞升阳投资有限公司

Inventor： 何云斌 ,  陈旭阳 ,  秦华垚 ,  卢寅梅 ,  黎明锴 ,  陈剑 ,  许明耀 ,  尹向阳 ,  刘伟 ,  邓云

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/16 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明提供一种氧化物单晶厚膜的制备方法，包括：将金属源前驱体转移至真空生长设备金属源区的坩埚内，同时将衬底放置于真空生长设备生长区的衬底托上；对真空生长设备进行抽真空处理，并将金属源区和生长区均由室温开始加热升温；对真空生长设备内充入惰性气体，并将生长区继续加热至900℃～1400℃，同时将金属源区继续加热至1100℃～1500℃；保持金属源区和生长区的温度不变，向真空生长设备内通入载气与反应气体，载气将金属源前驱体受热后反应形成的金属亚氧化物定向输送至衬底表面，反应气体与金属亚氧化物在衬底表面充分混合反应生长氧化物单晶厚膜。本发明的制备方法简单价廉，适合大规模批量生产。