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公开(公告)号：CN114530499A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210096964.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L29/778 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开一种InP HEMT外延结构，包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第一势垒层、第一Si‑δ掺杂层、第一隔离层、第一沟道层、第二沟道层、第三沟道层、第二隔离层、第二Si‑δ掺杂层、第二势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层；其中，所述第一沟道层的材料为InxGa1‑xAs，0.5≤x≤0.8，所述第二沟道层的材料为InyGa1‑yAs，0.7≤y≤1，所述第三沟道层的材料为InzGa1‑zAs，0.5≤z≤0.8，所述第一Si‑δ掺杂层和所述第二Si‑δ掺杂层的掺杂浓度均为3×1012～7×1012cm‑2。本发明提供的InP HEMT外延结构，增强InP HEMT的抗辐射能力，对实现强抗辐射高性能InP HEMT电路具有重要意义。
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