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公开(公告)号：CN118745190A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410919650.X
申请日：2024-07-10
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明涉及量子点应用的技术领域，具体涉及一种利用量子点高单光子能量的高效光催化有机合成方法，在可见光照射下，以ZnSe@ZnS量子点‑有机分子杂化体系作为光催化剂通过其热激活延迟荧光机制实现量子点高单光子能量、长寿命的激发态，进而对底物分子进行高效光催化有机合成。本发明通过量子点热激活延迟荧光过程对底物分子进行光催化，与直接利用中间分子三线态能量进行催化相比具有更高的单光子能量，量子点激发态寿命更长，同时，底物分子无需与光催化剂配位键合，底物分子选型范围更广。
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公开(公告)号：CN109448999A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811286502.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01G9/20
Abstract: 基于Ⅱ型核壳量子点的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型核壳量子点。量子点壳层的导带能级低于量子点核层的导带能级，量子点壳层的价带能级低于量子点核层的价带能级，n型半导体膜的导带能级位于量子点壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型核壳量子点的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。
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公开(公告)号：CN112736132B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110015630.6
申请日：2021-01-06
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种InP PHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增，所述沟道层的材料为InyGa1‑yAs，0.8≤y≤1。由于递变缓冲层中的In组分连续递变，增大了虚拟衬底的晶格常数且晶格常数缓慢变大，有利于生长高质量高In组分的沟道层，提到了InP PHEMT外延结构二维电子气的电子迁移率。
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公开(公告)号：CN114530499A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210096964.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L29/778 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开一种InP HEMT外延结构，包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第一势垒层、第一Si‑δ掺杂层、第一隔离层、第一沟道层、第二沟道层、第三沟道层、第二隔离层、第二Si‑δ掺杂层、第二势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层；其中，所述第一沟道层的材料为InxGa1‑xAs，0.5≤x≤0.8，所述第二沟道层的材料为InyGa1‑yAs，0.7≤y≤1，所述第三沟道层的材料为InzGa1‑zAs，0.5≤z≤0.8，所述第一Si‑δ掺杂层和所述第二Si‑δ掺杂层的掺杂浓度均为3×1012～7×1012cm‑2。本发明提供的InP HEMT外延结构，增强InP HEMT的抗辐射能力，对实现强抗辐射高性能InP HEMT电路具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111740014A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010548250.4
申请日：2020-06-16
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明涉及纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法，首先在导电基底上沉积二维SnO2晶种层薄膜，接着在二维SnO2晶种层薄膜表面水热生长一维有序SnO2纳米棒阵列，之后在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部蒸镀沉积零维SnO2纳米颗粒，制备得到二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层。本发明的制备方法，制备的电子传输层在厚度方向上高度取向，并具有较少的晶界，这能够加速电荷的传输；通过在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部沉积零维的SnO2纳米晶，能够有效减少因导电基底裸露而产生的漏电流，制备的电池的电荷收集效率高。
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公开(公告)号：CN118870948A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410930405.9
申请日：2024-07-11
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明公开了一种大面积钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池及无划线太阳能电池组件，所述大面积钙钛矿薄膜的材料包括：钙钛矿材料和添加剂，其中，所述钙钛矿材料包括铵盐和卤素盐以及所述添加剂为六氟丙烷‑二磺酰亚胺盐类化合物，通过在铵盐加入六氟丙烷‑二磺酰亚胺盐类化合物，可以抑制卤素盐的析出结晶，以钝化各种缺陷，提高钙钛矿薄膜的结晶质量，六氟丙烷‑二磺酰亚胺盐类化合物具有双功能作用，不仅可以钝化晶界，还可以通过与未配位的卤素盐产生螯合物从而调控钙钛矿的形核过程，并且磺酰基的氢键还能和铵盐一起钝化钙钛矿晶界处的缺陷，从而避免薄膜的孔洞缺陷的产生，满足沉积钙钛矿薄膜制备过程中的薄膜均一性需求，且有效解决的钙钛矿薄膜存在的孔洞问题。
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公开(公告)号：CN118745342A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410919648.2
申请日：2024-07-10
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C09K11/56 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L33/50 , B01J35/39 , B01J27/057
Abstract: 本发明涉及热激活延迟荧光的技术领域，具体涉及一种利用表面缺陷态实现量子点热激活延迟荧光的方法及ZnSe@ZnS量子点的应用，将第一激子吸收峰在390nm‑410nm的ZnSe量子点包覆适当厚度的ZnS壳层内，得到ZnSe@ZnS量子点，在无额外有机分子的情况下，利用量子点的表面缺陷态将ZnSe量子点的荧光寿命从纳秒量级延长至百微秒量级。本发明利用表面缺陷态实现ZnSe@ZnS核壳量子点的热激活延迟荧光，以适应对长寿命荧光的应用场景。所述的量子点热激活延迟荧光实现方法，在不引入额外有机分子的前提下，通过量子点及其缺陷态能级间的三线态能量转移来实现。
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公开(公告)号：CN111740014B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010548250.4
申请日：2020-06-16
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明涉及纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法，首先在导电基底上沉积二维SnO2晶种层薄膜，接着在二维SnO2晶种层薄膜表面水热生长一维有序SnO2纳米棒阵列，之后在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部蒸镀沉积零维SnO2纳米颗粒，制备得到二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层。本发明的制备方法，制备的电子传输层在厚度方向上高度取向，并具有较少的晶界，这能够加速电荷的传输；通过在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部沉积零维的SnO2纳米晶，能够有效减少因导电基底裸露而产生的漏电流，制备的电池的电荷收集效率高。
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公开(公告)号：CN112736132A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110015630.6
申请日：2021-01-06
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种InP PHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8依次连续递增，所述沟通层的材料为InyGa1‑yAs，0.8≤y≤1。由于递变缓冲层中的In组分连续递变，增大了虚拟衬底的晶格常数且晶格常数缓慢变大，有利于生长高质量高In组分的沟道层，提到了InP PHEMT外延结构二维电子气的电子迁移率。
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