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公开(公告)号：CN117127212A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310883516.4
申请日：2023-07-19
Applicant: 湖南大学
IPC: C25B11/095 , C25B11/067 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构BiVO4@酞菁钴复合光电极及其制备方法和应用，所述复合光电极是以表面阴离子化的BiVO4为“核”，酞菁钴为“壳”的“核壳结构”，先通过电化学沉积‑热处理的方法制备BiVO4纳米阵列；再将BiVO4纳米阵列进行表面阴离子化处理；最后将经表面阴离子化处理后的BiVO4纳米阵列置于含有酞菁钴的醇溶液中，通过溶剂热法将酞菁钴包覆到BiVO4表面，退火处理后，形成核壳结构BiVO4@酞菁钴复合光电极。本发明的BiVO4@酞菁钴复合光电极，一方面有效防止BiVO4在电解质溶液中发生溶解，增强其化学稳定性；另一方面有效转移界面的空穴，提高电荷转移效率，进而提高光电催化水分解活性。
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公开(公告)号：CN115739186A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211247425.3
申请日：2022-10-12
Applicant: 湖南大学
IPC: B01J31/22 , B01J23/745 , C25B11/095 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明公开了一种导电MOFs均匀包覆的Ti:Fe2O3复合光阳极及其制备方法和应用，具有“核壳结构”，“核”为表面阴离子化的Ti:Fe2O3纳米片阵列，“壳”为导电MOFs，是将Ti:Fe2O3纳米片阵列置于阴离子表面活性剂的醇溶液中进行表面阴离子化处理后，再通过溶剂热法将导电MOFs包覆到Ti:Fe2O3表面即可。本发明通过溶剂热法将导电MOFs包覆在经表面阴离子化处理后的Ti:Fe2O3的表面，导电MOFs的表面包覆一方面可以调控Ti:Fe2O3的表面态，快速转移其与Ti:Fe2O3界面的空穴，实现高效的电荷分离；另外，导电MOFs的水氧化过电势更低，更有利于水氧化过程。
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公开(公告)号：CN112892561A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110034590.X
申请日：2021-01-11
Applicant: 湖南大学
IPC: B01J27/08 , C07C45/36 , C07C47/54 , C07C47/542 , C07C47/575 , C07C47/55 , C07C29/50 , C07C33/22 , C07C33/20 , C07C33/46 , C07C253/30 , C07C255/56 , C07C255/53 , C07C201/12 , C07C205/44 , C07C205/19 , C07C41/26 , C07C43/23
Abstract: 本发明公开了一种无铅铋基混合卤化钙钛矿纳米片及其制备方法和应用，本发明以简单的反溶剂再结晶法制备了Cs3Bi2‑xSbxBr9纳米片，其分子式为Cs3Bi2‑xSbxBr9，式中0﹤x≤0.4。Sb的引入增加了Cs3Bi2Br9的可见光吸收能力和光生载流子的分离效率。Sb良好的尺寸匹配提高了Cs3Bi2Br9钙钛矿材料的稳定性。少量的Sb掺杂促进了C(sp3)‑H键活化关键活性物种空穴的产生。
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公开(公告)号：CN112844420A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110034606.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 湖南大学
IPC: B01J27/051 , C01C1/02
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属掺杂富缺陷的二硫化钼及其制备方法和应用，所述过渡金属掺杂富缺陷的二硫化钼的分子式为M/MoS2‑x，具有纳米花状结构，式中M为Mn、Co、Fe和W中的一种。本发明以富缺陷的二硫化钼作为基体材料，通过引入过渡金属，二硫化钼结构中的S空位浓度急剧增加，而高浓度的S空位，作为一个电子陷阱中心，有利于氮气的吸附和活化，明显的提升了光催化固氮的活性，例如Mn掺杂的MoS2‑x催化剂，在可见光下不加任何牺牲剂，氨的生成速率达到了148.3μmol/g/h，这大约是纯MoS2‑x的4.85倍。
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公开(公告)号：CN114669307A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210308285.X
申请日：2022-03-25
Applicant: 湖南大学
IPC: B01J23/888 , B01J35/02 , C01C1/04
Abstract: 本发明公开了一种单分散金属负载氧化钨纳米线及其制备方法和应用，将氧化钨纳米线通过浸渍法和可溶性金属盐混合均匀，然后置于H2/Ar气氛下进行灼烧得到单分散金属/氧化钨；所述金属为Fe、Cu、Co中的至少一种。该催化剂中具有丰富的氧空位，作为电子陷阱中心，有利于氮气的吸附和活化，明显的提升了光催化固氮的活性；同时负载的单分散的金属作为新的氮气吸附位点和活性位点，有利于NRR反应进行，明显提升了光催化固氮性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112892521A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110034577.4
申请日：2021-01-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种富氧空位的海胆状氧化钨及其制备方法和应用，将海胆状W18O49置于H2/Ar气氛或NH3/Ar气氛中进行灼烧得到OV‑W18O49。本发明通过不同气氛对氧化钨进行处理，增加了氧化钨结构中的氧空位浓度，增加的氧空位作为一个电子陷阱中心，有利于氮气的吸附和活化，明显的提升了光催化固氮的活性。
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公开(公告)号：CN116876014A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310460275.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 湖南大学
IPC: C25B11/085 , C25B11/061 , C25B11/054 , C25B11/031 , C25B1/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米片堆叠的海胆状MOF电极的制备方法，将FDC2‑溶液、亚铁源和镍源混合均匀，得到前体溶液；然后将泡沫镍垂直固定于前体溶液中，并保证泡沫镍完全浸没于前体溶液；最后经水热反应制得纳米片堆叠的海胆状NiFe‑FDC/NF电极，对水氧化析氧(OER)反应具有优异的电催化效果。
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公开(公告)号：CN113731470A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111077552.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种双金属负载硼掺杂的氮化碳纳米片异质结，所述异质结的一端是金属Cu负载的氮化碳纳米片，另一端是金属Pd负载的缺氮掺硼的氮化碳纳米片；其制备过程为：(1)光沉积法制备Cu‑CNN；(2)热还原制备BDCNN；(3)乙醇还原法制备Pd‑BDCNN；(4)静电自组装制备Cu‑CNN/Pd‑BDCNN。本发明的双金属负载硼掺杂的氮化碳纳米片异质结用于光热催化甲烷干重整反应时，Cu‑CNN和Pd‑BDCNN协同提升了光热催化甲烷干重整反应的活性，具有优异的光热催化效果。
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公开(公告)号：CN110983362B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911315325.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 湖南大学
IPC: C25B11/095 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B9/65 , C25B9/50
Abstract: 本发明公开了一种MOFs均匀包覆的OV‑BiVO4复合光阳极的制备方法，包括如下步骤：(1)通过电化学沉积‑热处理的方法制备BiVO4纳米阵列；(2)将步骤(1)得到的BiVO4纳米片阵列置于含氢气气氛中灼烧得到OV‑BiVO4；(3)将步骤(2)得到的OV‑BiVO4进行表面阴离子化处理后，通过水热法将MOFs包覆到OV‑BiVO4表面。本发明通过溶剂热法将MOFs包覆在经表面阴离子化处理后的OV‑BiVO4的表面，MOFs的表面包覆一方面可以快速转移其与OV‑BiVO4界面的空穴，实现高效的电荷分离；另外，可以保护氧空位，增强稳定性。
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公开(公告)号：CN110983362A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911315325.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种MOFs均匀包覆的OV-BiVO4复合光阳极的制备方法，包括如下步骤：(1)通过电化学沉积-热处理的方法制备BiVO4纳米阵列；(2)将步骤(1)得到的BiVO4纳米片阵列置于含氢气气氛中灼烧得到OV-BiVO4；(3)将步骤(2)得到的OV-BiVO4进行表面阴离子化处理后，通过水热法将MOFs包覆到OV-BiVO4表面。本发明通过溶剂热法将MOFs包覆在经表面阴离子化处理后的OV-BiVO4的表面，MOFs的表面包覆一方面可以快速转移其与OV-BiVO4界面的空穴，实现高效的电荷分离；另外，可以保护氧空位，增强稳定性。
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