公开(公告)号：CN108155909A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711155620.2

申请日：2017-11-20

Applicant: 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司

Inventor： 周泱

IPC: H03M1/14

CPC classification number: H03M1/14

Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种电容分段结构逐次逼近型模数转换器，包括连接在比较器的输入端上的数模转换器，数模转换器包括常规电容结构的高位电容阵列和低位电容阵列，高位电容阵列连接在比较器的输入端上，低位电容阵列通过桥电容Cs连接在比较器的输入端上，比较器的输出端连接逐次逼近寄存器及控制电路，桥电容Cs由多个单位电容C构成，还包括设置在低位电容阵列上的、与桥电容Cs相对应的对地电容Cg，对地电容Cg的容量能够与桥电容Cs的容量进行匹配校正。本发明所提供的电容分段结构逐次逼近型模数转换器能够提高电容分段结构SAR ADC的匹配精度，改善DNL/INL性能，并防止比较器输入端的电压超过电源电压的范围。

公开(公告)号：CN108155909B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201711155620.2

申请日：2017-11-20

Applicant: 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司

Inventor： 周泱

IPC: H03M1/14

Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种电容分段结构逐次逼近型模数转换器，包括连接在比较器的输入端上的数模转换器，数模转换器包括常规电容结构的高位电容阵列和低位电容阵列，高位电容阵列连接在比较器的输入端上，低位电容阵列通过桥电容Cs连接在比较器的输入端上，比较器的输出端连接逐次逼近寄存器及控制电路，桥电容Cs由多个单位电容C构成，还包括设置在低位电容阵列上的、与桥电容Cs相对应的对地电容Cg，对地电容Cg的容量能够与桥电容Cs的容量进行匹配校正。本发明所提供的电容分段结构逐次逼近型模数转换器能够提高电容分段结构SAR ADC的匹配精度，改善DNL/INL性能，并防止比较器输入端的电压超过电源电压的范围。