公开(公告)号：CN109801278B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201910053812.5

申请日：2019-01-21

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张玉燕 ,  马学韬 ,  温银堂 ,  王振春 ,  王文魁

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/62 ,  G06V10/764

公开(公告)号：CN109738494A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910086659.6

申请日：2019-01-29

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张玉燕 ,  马学韬 ,  温银堂 ,  王振春 ,  王文魁

IPC: G01N27/24

Abstract: 本发明公开了一种同面阵列电容传感器的敏感场分析方法，包括：对电容传感器以及被测物体按照传感器的实际尺寸建立三维模型；根据电磁场理论，建立两个半径不同的球体，将整个三维模型分为四部分；对被测物体进行单元类型定义，对电容传感器进行单元划分，根据单元类型采用映射划分方式对被测物体进行单元划分，完成同面阵列电容传感器以及被测物体敏感场建模，计算得到敏感场的灵敏度矩阵，根据灵敏度矩阵进行图像重建；获取重建质量、稳定性。能够根据对同面阵列电容成像系统的近场和远场进行三维建模来求解灵敏度矩阵，在深度方向上对敏感场的分层划分和在水平方向上对敏感场的分单元划分，能够获取质量好的重建图像，进行图像检测和图像分析。