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公开(公告)号：CN116312683A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310166882.8
申请日：2018-08-14
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/408 , G11C7/08 , G11C11/4091 , G11C11/56 , G11C7/12 , G11C11/4094 , G11C7/06 , G11C11/4099
Abstract: 本发明提供一种多电平感测电路及包括其的半导体存储器件。一种用于多电平存储器件的多电平感测电路，其被配置为识别多于两个的不同电压。多电平电压感测电路可以包括预充电控制器，所述预充电控制器被配置为在感测模式期间响应于均衡信号以位线预充电电压电平将一对位线预充电。多电平电压感测电路可以包括读取控制器，所述读取控制器被配置为在感测操作期间响应于读取控制信号将所述一对位线的电压保持在位线预充电电压电平。多电平电压感测电路可以包括感测放大器，所述感测放大器被配置为在感测模式期间产生所述一对位线的数据。多电平电压检测电路可以包括电压传感器，所述电压传感器被配置为通过比较位线电压与参考电压来产生均衡信号。
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公开(公告)号：CN110021319B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201811353112.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4093 , G11C11/4096 , G11C11/406
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：多个存储体，其布置在第一方向上；地址解码器，其布置在所述存储体的一侧；多个局部感测放大器阵列，其布置在所述存储体的每个存储体之下；多个第一输入/输出线，其连接在所述存储体和与所述存储体中的每个存储体相对应的所述局部感测放大器阵列之间；以及至少一个第二输入/输出线，其连接到所述局部感测放大器阵列并且在所述第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110111824B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201810923300.5
申请日：2018-08-14
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/408 , G11C11/4094
Abstract: 本发明提供一种多电平感测电路及包括其的半导体存储器件。一种用于多电平存储器件的多电平感测电路，其被配置为识别多于两个的不同电压。多电平电压感测电路可以包括预充电控制器，所述预充电控制器被配置为在感测模式期间响应于均衡信号以位线预充电电压电平将一对位线预充电。多电平电压感测电路可以包括读取控制器，所述读取控制器被配置为在感测操作期间响应于读取控制信号将所述一对位线的电压保持在位线预充电电压电平。多电平电压感测电路可以包括感测放大器，所述感测放大器被配置为在感测模式期间产生所述一对位线的数据。多电平电压检测电路可以包括电压传感器，所述电压传感器被配置为通过比较位线电压与参考电压来产生均衡信号。
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公开(公告)号：CN111143254B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201910183960.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 一种存储系统，包括：存储器控制器，其被配置为产生用于控制数据的读取操作或写入操作的存储器控制信号；以及多个存储器件，其被配置为响应于存储器控制信号来执行读取操作或写入操作。第一存储器件储存从存储器控制器接收的第一数量的数据，并且第二存储器件接收与来自第一数量的数据之中的特定数量的数据相对应的第二数量的数据，复制第二数量的数据以产生第三数量的数据，以及将第三数量的数据储存在第二存储器件中。
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公开(公告)号：CN107610732B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710173311.1
申请日：2017-03-22
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 元炯植
IPC: G11C11/406 , G11C11/403 , G11C7/12 , G11C7/10 , G11C5/02
Abstract: 一种存储器件可以包括：单元阵列，所述单元阵列包括主区域和相邻区域，多个主存储单元设置在主区域中，且多个相邻存储单元设置在相邻区域中；控制电路，所述控制电路适用于控制单元阵列的行操作和列操作；以及相邻区域控制器，所述相邻区域控制器适用于控制相邻存储单元，使得相邻存储单元在与主存储单元不同的条件下来操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110021319A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811353112.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4093 , G11C11/4096 , G11C11/406
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：多个存储体，其布置在第一方向上；地址解码器，其布置在所述存储体的一侧；多个局部感测放大器阵列，其布置在所述存储体的每个存储体之下；多个第一输入/输出线，其连接在所述存储体和与所述存储体中的每个存储体相对应的所述局部感测放大器阵列之间；以及至少一个第二输入/输出线，其连接到所述局部感测放大器阵列并且在所述第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110010168A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811300277.0
申请日：2018-11-02
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 元炯植
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，其包括感测放大器、电压供应电路和电压供应控制电路。感测放大器可以通过从第一至第三电压供应线接收驱动电压而被激活，以检测和放大数据线和取反数据线的电压电平。电压供应电路可以响应于第一至第三电压供应信号和偏置控制信号而将驱动电压施加到第一至第三电压供应线。电压供应控制电路可以响应于激活信号来产生第一至第三电压供应信号和偏置控制信号。
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公开(公告)号：CN106200734A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510289340.5
申请日：2015-05-29
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H03K17/223 , G05F1/46 , G05F1/465 , G05F1/56 , G05F1/562 , G05F1/575 , G05F3/02 , G05F3/16
Abstract: 一种电压生成装置可以包括：外部电压感测电路，配置为通过感测第一外部电压的幅度和第二外部电压的幅度而生成第一开始信号和第二开始信号。电压生成装置可以包括内部电压感测电路，配置为通过对内部电压和目标电压进行比较而生成电压生成信号。电压生成装置可以包括电压泵送电路，配置为响应于第一开始信号而被激活，配置为基于电压生成信号而执行泵送操作，以及配置为生成内部电压。电压生成装置可以包括电压调节电路，配置为响应于第一开始信号和第二开始信号而被激活，以及配置为基于电压生成信号而生成内部电压。
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公开(公告)号：CN110046111B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811299656.2
申请日：2018-11-02
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 元炯植
IPC: G06F13/16
Abstract: 本申请公开了一种融合式存储器件及其方法。融合式存储器件包括：多个存储器，其包括第一存储器和第二存储器；以及控制器，其被配置为响应于来自主机的请求而选择第一存储器以执行快速数据处理并选择第二存储器以执行正常数据处理，其中第一存储器包括：感测放大器；一个或更多个单元矩阵，其包括设置在从感测放大器起比第一距离小的位置处的第一区域存储单元以及设置在从感测放大器起比第二距离大的位置处的第二区域存储单元，第二距离比第一距离长；以及开关器件，其设置在第一区域存储单元与第二区域存储单元之间，以及其中，控制器响应于请求而控制开关器件以将第一区域存储单元耦接到感测放大器并且使第二区域存储单元与感测放大器去耦接。
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公开(公告)号：CN110047524B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201811348315.X
申请日：2018-11-13
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：感测放大器控制电路，其被配置为响应于激活信号、预充电信号和写入脉冲来产生第一感测放大器驱动电压施加信号、第二感测放大器驱动电压施加信号和第三感测放大器驱动电压施加信号；以及感测放大器驱动电压提供电路，其被配置为在第一感测放大器驱动电压施加信号至第三感测放大器驱动电压施加信号的使能时段期间通过第一驱动电压施加线和第二驱动电压施加线将驱动电压提供给感测放大器。
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