公开(公告)号：CN119893990A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202410226652.0

申请日：2024-02-29

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 罗明姬 ,  崔惠晶 ,  姜载一 ,  金重植 ,  张度永

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B41/42 ,  H10B43/20 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40

Abstract: 本公开涉及堆叠型半导体存储装置及其制造方法。堆叠型半导体存储装置可以包括第一结构和第二结构。第一结构可以包括第一衬底、电容器阵列和第一键合层。第一衬底可以具有上表面和下表面。电容器阵列可以包括集成在第一衬底的上表面上的多个电容器。第一键合层可以形成在电容器阵列上。第二结构可以包括第二衬底、存取阵列和第二键合层。第二衬底可以具有上表面和下表面。存取阵列可以包括集成在第二衬底的上表面上的多个存取晶体管。第二键合层可以形成在第二衬底的下表面上。第二键合层可以混合键合到第一键合层。

公开(公告)号：CN119866030A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202410856666.0

申请日：2024-06-28

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 李昇周 ,  张度永

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开涉及包括晶体管的半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：半导体图案；杂质区，设置在半导体图案的一侧并具有与半导体图案的下表面形成平坦表面的下表面；栅极结构，设置于半导体图案之下；以及接触插塞，设置在杂质区之上并电连接至杂质区。

公开(公告)号：CN119855142A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202410920384.2

申请日：2024-07-10

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 张度永 ,  姜载一 ,  罗明姬

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一半导体结构，包括单元区和外围电路区，并且包括设置在单元区中的单元电容器以及设置在单元区和外围电路区中以覆盖单元电容器的第一绝缘层；第二半导体结构，包括设置在单元区中的第一绝缘层之上的单元晶体管和设置在外围电路区中的第一绝缘层之上的外围电路晶体管；以及第一导体，其穿过第一绝缘层以将单元晶体管的第一单元源极/漏极区与单元电容器的电极电连接。