公开(公告)号：CN109494184A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201810468206.5

申请日：2018-05-16

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 崔原俊 ,  高旻圣 ,  金庆培 ,  金种基 ,  辛东善 ,  沈正明 ,  杨永镐 ,  严炯禹 ,  李洸旭 ,  郑祐在

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/24

Abstract: 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在层间绝缘层之间的层间空间中形成导电图案，所述导电图案通过穿过所述层间绝缘层的狭缝彼此分离，其中，所述导电图案包含第一副产物；通过使残留在所述导电图案中的第一副产物与源气体反应来产生气相的第二副产物；以及执行排气工艺以去除所述第二副产物。