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公开(公告)号：CN109196625A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780033330.2
申请日：2017-03-23
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/322 , C30B33/02 , H01L21/26
Abstract: 快速升降温热处理装置的处理温度TS为1250℃～1350℃，且从上述处理温度开始的降温速度Rd在20℃/秒～150℃/秒的范围内，在热处理气氛气体中的氧分压P的上限P＝0.00207TS·Rd－2.52Rd+13.3(式(A))、P的下限P＝0.000548TS·Rd－0.605Rd－0.511(式(B))的范围内调节处理温度TS、降温速度Rd而进行热处理。
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公开(公告)号：CN104979191B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510167489.6
申请日：2015-04-10
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/322 , C30B33/02 , C30B29/06
Abstract: 本发明的课题在于确保硅晶片的表层和主体的强度，并且提高晶体品质的面内均匀性。解决手段为构成硅晶片的热处理方法，该硅晶片的热处理方法具有如下工序：第1工序，在氧化气氛中以1300℃～1400℃的保持温度进行热处理；第2工序，将上述第1工序中热处理的硅晶片以10℃/秒～150℃/秒的冷却速度进行冷却；以及第3工序，将上述第2工序中冷却的硅晶片在氧化气氛中以800℃～1250℃的保持温度热处理1小时～100小时。
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公开(公告)号：CN109196625B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201780033330.2
申请日：2017-03-23
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/322 , C30B33/02 , H01L21/26
Abstract: 快速升降温热处理装置的处理温度TS为1250℃～1350℃，且从上述处理温度开始的降温速度Rd在20℃/秒～150℃/秒的范围内，在热处理气氛气体中的氧分压P的上限P＝0.00207TS·Rd－2.52Rd+13.3(式(A))、P的下限P＝0.000548TS·Rd－0.605Rd－0.511(式(B))的范围内调节处理温度TS、降温速度Rd而进行热处理。
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公开(公告)号：CN104979191A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510167489.6
申请日：2015-04-10
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/322 , C30B33/02 , C30B29/06
Abstract: 本发明的课题在于确保硅晶片的表层和主体的强度，并且提高晶体品质的面内均匀性。解决手段为构成硅晶片的热处理方法，该硅晶片的热处理方法具有如下工序：第1工序，在氧化气氛中以1300℃～1400℃的保持温度进行热处理；第2工序，将上述第1工序中热处理的硅晶片以10℃/秒～150℃/秒的冷却速度进行冷却；以及第3工序，将上述第2工序中冷却的硅晶片在氧化气氛中以800℃～1250℃的保持温度热处理1小时～100小时。
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公开(公告)号：CN102473614B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080033825.3
申请日：2010-05-17
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3225
Abstract: 本发明提供硅晶片的热处理方法，该方法能够在抑制RTP时的滑移发生的同时，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，在RTP之后，能够改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。对硅晶片，在惰性气体气氛中，以第1升温速度急速升温至1300℃以上硅的融点以下的第1温度T1为止，在保持第1温度T1之后，以第1降温速度急速降温至400℃以上800℃以下的第2温度T2为止，接着，从惰性气体气氛转换为含有20vol.％以上100vol.％以下的氧气的含氧气氛之后，以第2升温速度从第2温度T2急速升温至1250℃以上硅的融点以下的第3温度T3为止，于第3温度T3保持之后，以第2降温速度从第3温度T3急速降温。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102460658B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201080025868.7
申请日：2010-05-28
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/3225 , Y10S438/928
Abstract: 本发明提供抑制存在于晶片主体部的空洞缺陷成为设备加工中的污染源或滑移的产生源的硅晶片，及可在进行RTP时于形成设备活性区域的晶片表面附近降低COP等结晶缺陷的硅晶片的热处理方法。通过在对采用CZ法制备的硅晶片进行RTP时，使供给第1空间20a内和第2空间20b内的气体和空间内的内压、最高到达温度T1等达到所规定值的硅晶片的热处理方法，提供如下硅晶片：晶片表面部1为不存在空洞缺陷的无缺陷区域，比晶片表面部1更深的晶片主体部2由以八面体为基本形状的多面体构成，上述多面体的角部为曲面状，且存在内壁氧化膜被除去的空洞缺陷4。
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公开(公告)号：CN109075076A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025439.1
申请日：2017-02-24
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明提供硅晶片，该硅晶片具备：最表层的无缺陷区域(10)，该最表层的无缺陷区域(10)的作为空位与氧的复合体的空位氧复合体的浓度小于1.0×1012/cm3；中间层(11)，该中间层(11)与无缺陷区域(10)的晶片深度方向内侧相邻地形成，从无缺陷区域(10)侧朝向厚度方向内侧，中间层(11)的所述空位氧复合体的浓度在1.0×1012/cm3以上且小于5.0×1012/cm3的范围内逐渐增加，与无缺陷区域(10)的宽度tDZ对应地决定中间层(11)的宽度tI；以及体层(12)，该体层(12)与中间层(11)的晶片深度方向内侧相邻地形成，体层(12)的所述空位氧复合体的浓度为5.0×1012/cm3以上。
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公开(公告)号：CN106048732B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610198592.1
申请日：2016-04-01
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: C30B33/02
CPC classification number: H01L21/3225
Abstract: 本发明提供一种硅晶片的制造方法，该方法可使半导体设备形成区域的COP或氧析出核等晶体缺陷减少，可抑制设备形成工序中的热处理时的滑移位错的发生。硅晶片的制造方法，具备如下工序：工序1，将由通过CZ法生成的硅单晶锭切成的原料硅晶片在氧化性气体环境中、在最高到达温度设为1300℃以上且1380℃以下进行热处理；工序2，对通过工序1得到的热处理硅晶片进行剥离处理，剥离该热处理硅晶片表面的氧化膜；以及工序3，将通过工序2得到的被剥离硅晶片在非氧化性气体环境中、在最高到达温度设为1200℃以上且1380℃以下、升温速度设为1℃/秒以上且150℃/秒以下进行热处理，使所得硅晶片的表面～深7μm的区域的氧浓度最大值达到1.3×1018atoms/cm3以下。
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公开(公告)号：CN109075076B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201780025439.1
申请日：2017-02-24
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明提供硅晶片，该硅晶片具备：最表层的无缺陷区域(10)，该最表层的无缺陷区域(10)的作为空位与氧的复合体的空位氧复合体的浓度小于1.0×1012/cm3；中间层(11)，该中间层(11)与无缺陷区域(10)的晶片深度方向内侧相邻地形成，从无缺陷区域(10)侧朝向厚度方向内侧，中间层(11)的所述空位氧复合体的浓度在1.0×1012/cm3以上且小于5.0×1012/cm3的范围内逐渐增加，与无缺陷区域(10)的宽度tDZ对应地决定中间层(11)的宽度tI；以及体层(12)，该体层(12)与中间层(11)的晶片深度方向内侧相邻地形成，体层(12)的所述空位氧复合体的浓度为5.0×1012/cm3以上。
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公开(公告)号：CN106048732A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610198592.1
申请日：2016-04-01
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: C30B33/02
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种硅晶片的制造方法，该方法可使半导体设备形成区域的COP或氧析出核等晶体缺陷减少，可抑制设备形成工序中的热处理时的滑移位错的发生。硅晶片的制造方法，具备如下工序：工序1，将由通过CZ法生成的硅单晶锭切成的原料硅晶片在氧化性气体环境中、在最高到达温度设为1300℃以上且1380℃以下进行热处理；工序2，对通过工序1得到的热处理硅晶片进行剥离处理，剥离该热处理硅晶片表面的氧化膜；以及工序3，将通过工序2得到的被剥离硅晶片在非氧化性气体环境中、在最高到达温度设为1200℃以上且1380℃以下、升温速度设为1℃/秒以上且150℃/秒以下进行热处理，使所得硅晶片的表面～深7μm的区域的氧浓度最大值达到1.3×1018atoms/cm3以下。
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