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公开(公告)号：CN115135817B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180015661.X
申请日：2021-02-16
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
Abstract: 本发明提供可抑制P聚集缺陷(Si‑P缺陷)且抑制外延膜中的SF的、硅晶片的制造方法。具备以下工序：对基板进行镜面加工的工序，该基板是由Si单晶铸锭制造的，其中，掺杂剂为磷(P)，电阻率为1.05mΩcm以下，固溶氧浓度为0.9×1018atoms/cm3以下；热处理工序，在镜面加工后，将基板在700℃以上且850℃以下的温度下保持30分钟以上且120分钟以下，之后进行升温，然后在1100℃以上且1250℃以下的温度下保持30分钟以上且120分钟以下，将之后的降温时的700℃以下和450℃以上的晶片的体验时间设为少于10分钟，且将这一系列的炉内气氛均设为由H2和Ar构成的混合气体；以及外延膜成膜工序，在热处理工序后，将Si单晶外延膜以1.3μm以上且10.0μm以下的厚度成膜。
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公开(公告)号：CN102473614B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080033825.3
申请日：2010-05-17
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3225
Abstract: 本发明提供硅晶片的热处理方法，该方法能够在抑制RTP时的滑移发生的同时，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，在RTP之后，能够改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。对硅晶片，在惰性气体气氛中，以第1升温速度急速升温至1300℃以上硅的融点以下的第1温度T1为止，在保持第1温度T1之后，以第1降温速度急速降温至400℃以上800℃以下的第2温度T2为止，接着，从惰性气体气氛转换为含有20vol.％以上100vol.％以下的氧气的含氧气氛之后，以第2升温速度从第2温度T2急速升温至1250℃以上硅的融点以下的第3温度T3为止，于第3温度T3保持之后，以第2降温速度从第3温度T3急速降温。
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公开(公告)号：CN104347395B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410381875.0
申请日：2014-08-05
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/322 , C30B29/06
CPC classification number: H01L21/02008 , C30B15/206 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L21/324 , Y10T428/24488 , Y10T428/31
Abstract: 本发明提供一种抑制半导体器件形成工序中的热处理时的滑移位错的产生，且减少器件形成区域的COP、氧析出核等晶体缺陷，并且主体部的氧析出核在面内径向被均匀控制的硅晶片及其制造方法。对从利用切克劳斯基法培养的硅单晶锭切片得到的晶片实施在含氧气氛中、最高到达温度1300～1380℃的范围内保持3～60秒的迅速升降温热处理后，将晶片的器件形成面(1)除去利用下述式(1)～(3)算出的X的值以上。X[μm]＝a[μm]+b[μm]…(1)a[μm]＝(0.0031×最高到达温度[℃]‑3.1)×6.4×降温速度‑0.4[℃/秒]…(2)b[μm]＝a/(氧固溶限[atoms/cm3]/基板氧浓度[atoms/cm3])…(3)。
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公开(公告)号：CN104347395A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410381875.0
申请日：2014-08-05
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/322 , C30B29/06
CPC classification number: H01L21/02008 , C30B15/206 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L21/324 , Y10T428/24488 , Y10T428/31
Abstract: 本发明提供一种抑制半导体器件形成工序中的热处理时的滑移位错的产生，且减少器件形成区域的COP、氧析出核等晶体缺陷，并且主体部的氧析出核在面内径向被均匀控制的硅晶片及其制造方法。对从利用切克劳斯基法培养的硅单晶锭切片得到的晶片实施在含氧气氛中、最高到达温度1300～1380℃的范围内保持3～60秒的迅速升降温热处理后，将晶片的器件形成面(1)除去利用下述式(1)～(3)算出的X的值以上。X[μm]＝a[μm]+b[μm]…(1)；a[μm]＝(0.0031×最高到达温度[℃]-3.1)×6.4×降温速度-0.4[℃/秒]…(2)；b[μm]＝a/(氧固溶限[atoms/cm3]/基板氧浓度[atoms/cm3])…(3)。
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公开(公告)号：CN115135818B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180015717.1
申请日：2021-02-16
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C23C16/01 , C23C16/24 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供硅晶片的制造方法，该制造方法可抑制P聚集缺陷(Si‑P缺陷)，且可抑制外延膜中的SF。该硅晶片的制造方法具备以下工序：在500℃以下的温度下，利用CVD法仅在基板的背面形成至少厚度为300nm的Si氧化膜的工序，上述基板是由通过直拉法培育的Si单晶铸锭制造的；热处理工序，在上述Si氧化膜的形成工序后，将上述基板在氧化性气氛下、于1100℃以上且1250℃以下的一定温度下保持30分钟以上且120分钟以下；以及表面氧化膜去除工序，在上述热处理工序后，去除形成于上述基板的表面侧的热氧化膜，且包括：外延膜成膜工序，即在上述表面氧化膜去除工序后，将Si单晶外延膜予以成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102460658B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201080025868.7
申请日：2010-05-28
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/3225 , Y10S438/928
Abstract: 本发明提供抑制存在于晶片主体部的空洞缺陷成为设备加工中的污染源或滑移的产生源的硅晶片，及可在进行RTP时于形成设备活性区域的晶片表面附近降低COP等结晶缺陷的硅晶片的热处理方法。通过在对采用CZ法制备的硅晶片进行RTP时，使供给第1空间20a内和第2空间20b内的气体和空间内的内压、最高到达温度T1等达到所规定值的硅晶片的热处理方法，提供如下硅晶片：晶片表面部1为不存在空洞缺陷的无缺陷区域，比晶片表面部1更深的晶片主体部2由以八面体为基本形状的多面体构成，上述多面体的角部为曲面状，且存在内壁氧化膜被除去的空洞缺陷4。
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公开(公告)号：CN115135817A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015661.X
申请日：2021-02-16
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
Abstract: 本发明提供可抑制P聚集缺陷(Si‑P缺陷)且抑制外延膜中的SF的、硅晶片的制造方法。具备以下工序：对基板进行镜面加工的工序，该基板是由Si单晶铸锭制造的，其中，掺杂剂为磷(P)，电阻率为1.05mΩcm以下，固溶氧浓度为0.9×1018atoms/cm3以下；热处理工序，在镜面加工后，将基板在700℃以上且850℃以下的温度下保持30分钟以上且120分钟以下，之后进行升温，然后在1100℃以上且1250℃以下的温度下保持30分钟以上且120分钟以下，将之后的降温时的700℃以下和450℃以上的晶片的体验时间设为少于10分钟，且将这一系列的炉内气氛均设为由H2和Ar构成的混合气体；以及外延膜成膜工序，在热处理工序后，将Si单晶外延膜以1.3μm以上且10.0μm以下的厚度成膜。
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公开(公告)号：CN115135816A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015640.8
申请日：2021-02-16
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
Abstract: 本发明提供抑制P聚集缺陷(Si‑P缺陷)且抑制外延膜中的SF、同时可抑制电阻率的变化的、硅晶片的制造方法。包括以下工序：在基板的背面形成厚度为300nm以上且700nm以下的Si氧化膜的工序，该基板的掺杂剂为磷(P)，电阻率调整为1.05mΩcm以下，包含P在晶体中聚集而形成的缺陷的实体为Si‑P晶体缺陷的缺陷；镜面加工工序，对上述基板进行镜面加工；以及热处理工序，在上述镜面加工工序后，将基板搭载于基板保持构件，且施行热处理，其中，该基板保持构件由Si或SiC构成，表面形成有Si氧化膜，该Si氧化膜的膜厚为200nm以上且500nm以下，并且Si氧化膜的膜厚X与上述基板背面的Si氧化膜的膜厚Y为Y=C‑X，尚需说明的是，C处于800～1000的常数的关系式的范围。
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公开(公告)号：CN105814245B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201480066934.3
申请日：2014-12-16
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
IPC: C30B29/38 , C23C16/02 , C23C16/34 , C30B25/18 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/02 , C23C16/303 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254
Abstract: 本发明涉及硅晶片。根据本发明，在使氮化物半导体层在硅晶片上外延生长时，抑制晶片破裂或者位错伸展而产生较大弯曲。将端面(5)与第一倾斜面(6)的交点和表面(3)与第一倾斜面(6)的交点之间的沿着表面(3)的方向的第一投影长度设为a1μm，将端面(5)与第二倾斜面(7)的交点和背面(4)与第二倾斜面(7)的交点之间的沿着背面(4)的方向的第二投影长度设为a2μm，将第一倾斜面(6)相对于表面(3)的第一倾斜角设为θ1，将第二倾斜面(7)相对于背面(4)的第二倾斜角设为θ2，将表面(3)与背面(4)的面间隔设为Tμm，并且由各参数值算出由式a1·tanθ1－a2·tanθ2定义的斜面的形状值，并以使该形状值在规定范围内的方式规定斜面的形状。
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公开(公告)号：CN108461384B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201810193893.4
申请日：2014-12-16
Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司
Abstract: 本发明涉及硅晶片。根据本发明，在使氮化物半导体层在硅晶片上外延生长时，抑制晶片破裂或者位错伸展而产生较大弯曲。将端面(5)与第一倾斜面(6)的交点和表面(3)与第一倾斜面(6)的交点之间的沿着表面(3)的方向的第一投影长度设为a1μm，将端面(5)与第二倾斜面(7)的交点和背面(4)与第二倾斜面(7)的交点之间的沿着背面(4)的方向的第二投影长度设为a2μm，将第一倾斜面(6)相对于表面(3)的第一倾斜角设为θ1，将第二倾斜面(7)相对于背面(4)的第二倾斜角设为θ2，将表面(3)与背面(4)的面间隔设为Tμm，并且由各参数值算出由式a1·tanθ1－a2·tanθ2定义的斜面的形状值，并以使该形状值在规定范围内的方式规定斜面的形状。
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