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公开(公告)号：CN115519467B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202210382005.X
申请日：2022-04-13
Applicant: 环球晶圆股份有限公司
Inventor： 邱锦桢
Abstract: 本发明描述了一种研磨碳化硅晶片以改善其几何曲率的方法。首先，将单晶晶体切成几个晶片，其中每个晶片都具有硅面，即第一表面。相反的另一面是碳面，称为第二表面。然后，将晶片的硅面朝下，并置于研磨载台上以执行第一次研磨。要强调的是，在晶片和研磨载台之间存在支撑承载件。承载件可以是凹形或凸形框架。研磨碳面后，取下晶片，脱除承载件，晶片将会在碳面上出现凸形或凹形。后来，晶片被上下翻转，碳面朝下，放置在一平坦的载台上。最后，将硅面打磨，这是第二次研磨。如此，使用本发明支撑承载件，可以改善晶片的几何曲率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115223846A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210365398.3
申请日：2022-04-06
Applicant: 环球晶圆股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，包括：对碳化硅晶片执行化学机械研磨工艺；对碳化硅晶片执行加热工艺以移除自然形成氧化层、去杂质、获得无刮痕表面及平坦化，其中加热工艺包括：将炉子的腔体以及碳化硅晶片升温至摄氏T度并维持时间t，并于腔体中通入氢气、氩气、氮气和/或氯化氢；然后降温炉子。
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公开(公告)号：CN115458434A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210413711.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 环球晶圆股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆治具结构及引起高温潜变变形的处理设备，所述晶圆治具结构主要包括了两个可分离的治具。第一治具有一个第一斜面，第二治具含有另一个第二斜面。第一斜面及第二斜面相互平行，并同时倾斜于一个外力施压的方向。当第一治具及第二治具相互靠合，而将晶圆夹置于第一斜面与第二斜面之间时，通过施压外力，此芯片将受到一个沿着芯片表面的剪应力分量。若外力在高温下操作，此晶圆将会出现高温潜变。这个晶圆治具的倾斜结构，及辅助的处理设备，正是说明了利用夹具的倾斜设计，晶圆可以容易激活并发展高温潜变变形，从而改进晶圆的几何形状。
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公开(公告)号：CN113471058A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011380354.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 环球晶圆股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种碳化硅晶片的表面加工方法，其包括：提供碳化硅晶片；其中，碳化硅晶片的表面定义有碳面及硅面，并且碳面的晶向不同于硅面的晶向；实施有机薄膜形成步骤，其包含：以有机溶剂浸湿于碳化硅晶片的表面，以于碳化硅晶片的表面上形成有机薄膜；其中，有机溶剂的碳数不小于2、且挥发速率不大于250；以及实施牺牲氧化层形成步骤，其包含：将覆盖有机薄膜的碳化硅晶片置放于高温氧化炉内，以使得碳化硅晶片的表面形成为牺牲氧化层；其中，在牺牲氧化层形成步骤中，有机薄膜能辅助地使得硅面的氧化速率大于碳面的氧化速率。借此，此加工方法能减少材料的浪费、减少新的表面损伤产生的机会、及缩短牺牲氧化层的成长时间。
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公开(公告)号：CN113471058B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011380354.5
申请日：2020-11-30
Applicant: 环球晶圆股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种碳化硅晶片的表面加工方法，其包括：提供碳化硅晶片；其中，碳化硅晶片的表面定义有碳面及硅面，并且碳面的晶向不同于硅面的晶向；实施有机薄膜形成步骤，其包含：以有机溶剂浸湿于碳化硅晶片的表面，以于碳化硅晶片的表面上形成有机薄膜；其中，有机溶剂的碳数不小于2、且挥发速率不大于250；以及实施牺牲氧化层形成步骤，其包含：将覆盖有机薄膜的碳化硅晶片置放于高温氧化炉内，以使得碳化硅晶片的表面形成为牺牲氧化层；其中，在牺牲氧化层形成步骤中，有机薄膜能辅助地使得硅面的氧化速率大于碳面的氧化速率。借此，此加工方法能减少材料的浪费、减少新的表面损伤产生的机会、及缩短牺牲氧化层的成长时间。
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公开(公告)号：CN115519467A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210382005.X
申请日：2022-04-13
Applicant: 环球晶圆股份有限公司
Inventor： 邱锦桢
Abstract: 本发明描述了一种研磨碳化硅晶片以改善其几何曲率的方法。首先，将单晶晶体切成几个晶片，其中每个晶片都具有硅面，即第一表面。相反的另一面是碳面，称为第二表面。然后，将晶片的硅面朝下，并置于研磨载台上以执行第一次研磨。要强调的是，在晶片和研磨载台之间存在支撑承载件。承载件可以是凹形或凸形框架。研磨碳面后，取下晶片，脱除承载件，晶片将会在碳面上出现凸形或凹形。后来，晶片被上下翻转，碳面朝下，放置在一平坦的载台上。最后，将硅面打磨，这是第二次研磨。如此，使用本发明支撑承载件，可以改善晶片的几何曲率。
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