公开(公告)号：CN1147098A

公开(公告)日：1997-04-09

申请号：CN95115916.X

申请日：1995-09-11

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 许翼范

IPC: G03F1/00

CPC classification number: G03F1/44 ,  G03F1/28

Abstract: 一种相移掩模，在相应于大圆晶片的划片线区域内具有微调型或盒套式图形，容许大圆晶体工艺处理期间精确检测光屏蔽图形和相移膜图形之间的交叠程度，从而使产品的合格率和可靠性得以改进很多。

公开(公告)号：CN1115115A

公开(公告)日：1996-01-17

申请号：CN95109438.6

申请日：1995-07-08

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 安昌男 ,  许翼范 ,  金兴一 ,  文承灿 ,  李一浩

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L28/91 ,  Y10S148/106 ,  Y10S438/948

Abstract: 本发明提供一种在半导体器件中制造细环形电荷存储电极的方法，利用相移掩模，能容易地形成具有双圆筒状结构和细环形图形的电荷存储电极，该细环形图形小于光源波长。因此，本发明的优点在于，通过消除在双圆筒状结构中的不良接触，可以改善具有电荷存储电极的存储器件的可靠性；电荷存储电极的表面可容易地增加20％-80％。

公开(公告)号：CN1105943C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN95115916.X

申请日：1995-09-11

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 许翼范

IPC: G03F1/00

CPC classification number: G03F1/44 ,  G03F1/28

Abstract: 一种相移掩模，在相应于大圆晶片的划片线区域内具有微调型或盒套式图形，容许大圆晶体工艺处理期间精确检测光屏蔽图形和相移膜图形之间的交叠程度，从而使产品的合格率和可靠性得以改进很多。

公开(公告)号：CN1048822C

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN95109438.6

申请日：1995-07-08

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 安昌男 ,  许翼范 ,  金兴一 ,  文承灿 ,  李一浩

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L28/91 ,  Y10S148/106 ,  Y10S438/948

Abstract: 本发明提供一种在半导体器件中制造细环形电荷存储电极的方法，利用相移掩模，能容易地形成具有双圆筒状结构和细环形图形的电荷存储电极，该细环形图形小于光源波长。因此，本发明的优点在于，通过消除在双圆筒状结构中的不良接触，可以改善具有电荷存储电极的存储器件的可靠性；电荷存储电极的表面可容易地增加20%-80%。