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公开(公告)号：CN105097455B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510249444.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供了一种光掩模及其制造方法。在多个实施例中，光掩模包括衬底、图案化的第一衰减层、图案化的第二衰减层和图案化的第三衰减层。图案化的第一衰减层设置在衬底上。图案化的第二衰减层设置在图案化的第一衰减层上。图案化的第三衰减层设置在图案化的第二衰减层上。图案化的第一衰减层的第一部分、图案化的第二衰减层的第一部分和图案化的第三衰减层堆叠在衬底上以作为二元强度掩模。
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公开(公告)号：CN105097455A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510249444.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/28 , H01L21/0332
Abstract: 本发明提供了一种光掩模及其制造方法。在多个实施例中，光掩模包括衬底、图案化的第一衰减层、图案化的第二衰减层和图案化的第三衰减层。图案化的第一衰减层设置在衬底上。图案化的第二衰减层设置在图案化的第一衰减层上。图案化的第三衰减层设置在图案化的第二衰减层上。图案化的第一衰减层的第一部分、图案化的第二衰减层的第一部分和图案化的第三衰减层堆叠在衬底上以作为二元强度掩模。
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公开(公告)号：CN1492477A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03158410.1
申请日：2003-09-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78675 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/0734 , G02B5/02 , G02B5/3083 , G03F1/28 , G03F1/34 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , Y10T117/10
Abstract: 本发明提供一种结晶装置，具备：照明系统(2)，照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换构件(1)，该相位转换构件(1)包括以形成直线边界的方式邻接、且以第1相位差透过从照明系统(2)来的照明光的第1和第2区域，该相位转换构件(1)对照明光进行相位调制，以便光强度具有在与边界相对应的非单晶半导体膜上的位置附近降低的逆峰图形的光强度分布。相位转换构件(1)还具有微小区域，从边界朝第1和第2区域的至少一方扩展，以第2相位差对第1和第2区域的至少一方透过从照明系统(2)来的照明光。
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公开(公告)号：CN1147098A
公开(公告)日：1997-04-09
申请号：CN95115916.X
申请日：1995-09-11
Applicant: 现代电子产业株式会社
Inventor： 许翼范
IPC: G03F1/00
Abstract: 一种相移掩模，在相应于大圆晶片的划片线区域内具有微调型或盒套式图形，容许大圆晶体工艺处理期间精确检测光屏蔽图形和相移膜图形之间的交叠程度，从而使产品的合格率和可靠性得以改进很多。
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公开(公告)号：CN104656376A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410662211.1
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/24 , G03F1/28 , G03F1/48 , G03F7/70283
Abstract: 本发明公开了远紫外线光刻(EUVL)的系统。该系统包括具有反射式相移光栅块(PhSGB)的掩模。该系统还包括照射装置以曝光掩模从而产生来自掩模的得到的反射光。得到的反射光主要包含衍射光。该系统还具有投影光学系统以收集并导向得到的反射光从而曝光目标。本发明还公开了远紫外线光刻工艺和掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100510956C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN03120248.9
申请日：1995-09-11
Applicant: 海力士半导体有限公司
Inventor： 许翼范
IPC: G03F1/00
Abstract: 一种相移掩模，在相应于大圆晶片的划片线区域内具有微调型或盒套式图形，容许大圆晶体工艺处理期间精确检测光屏蔽图形和相移膜图形之间的交叠程度，从而使产品的合格率和可靠性得以改进很多。
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公开(公告)号：CN1954262A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015552.9
申请日：2005-04-29
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G03F1/80 , G03F1/28 , G03F1/32 , G03F7/70283 , G03F7/70291 , G03F7/70433
Abstract: 用于光刻的系统和技术。在一个方面，方法包括通过利用包括亚波长特征的器件调制辐射的零级衍射的强度和相位来生产微电子器件，所述亚波长特征具有小于所述辐射的一个波长的节距尺寸。
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公开(公告)号：CN1294454C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN03148353.4
申请日：2003-06-30
Inventor： 马克·戴维·利文森
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本申请公开了一种光刻方法和装置，该光刻方法和装置用来产生对应相移掩模中的点的光强最小值。掩模产生的光的相移以螺旋的方式围绕所述点变化，以致沿向下经过所述掩模表面的线测量的相移在所述点处有180°跳变，其中所述线通过所述点，围绕所述点穿过的线在130°和230°之间没有跳变，优选在100°和260°之间没有跳变。
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公开(公告)号：CN1490670A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03120248.9
申请日：1995-09-11
Applicant: 海力士半导体有限公司
Inventor： 许翼范
IPC: G03F1/00
Abstract: 一种相移掩模，在相应于大圆晶片的划片线区域内具有微调型或盒套式图形，容许大圆晶体工艺处理期间精确检测光屏蔽图形和相移膜图形之间的交叠程度，从而使产品的合格率和可靠性得以改进很多。
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