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公开(公告)号：CN112379242A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011163560.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种芯片失效点定位方法、装置及系统，芯片失效点定位方法包括获取芯片通电后发射的光信号；对光信号进行分离，输出多个特定波段的光辐射图像；将多个特定波段的光辐射图像与预置良品芯片结构形貌图比较以确定芯片失效点的波长信息。本申请可以实现对半导体芯片失效点波长的探测分析，在分析过程不会对芯片引入新的失效，提高了对半导体芯片失效分析的效率及准确性，可广泛适用于芯片设计、生产的测试环节，售后问题反馈等环节。
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公开(公告)号：CN116759399A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310909143.3
申请日：2023-07-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种IGBT封装结构、半导体器件及封装方法，该封装结构包括塑封框架、电极键合部、平面电极及键合件；塑封框架内部设有晶圆键合区，框架的顶部为封装表面；电极键合部设于晶圆键合区上；平面电极设于封装表面；键合件设于晶圆键合区与平面电极之间且两端分别电连接电极键合部和平面电极。该封装结构将平面电极设置于处在晶圆键合区上方的封装表面上，并将键合件在晶圆键合区与平面电极之间，通过键合件的两端电连接到电极键合部和平面电极来实现IGBT的电气连接，增大了键合处的接触面积，有效地减缓了键合处的热聚集效应，使得IGBT工作时散热性更好。
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公开(公告)号：CN115995319A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211578419.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电阻结构，电阻结构包括基体；电极部件，用于传导电流；电极部件设置在基体上；电阻部件，与电极部件连接，电阻部件上设置有调节口，调节口包括相互连接的第一开口和第二开口，第一开口沿第二开口靠近电极部件的方向沿伸；其中，调节口为至少两个，至少两个调节口相间隔地设置，本发明的电阻结构解决了现有技术中的贴片电阻的散热效率低的问题。
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公开(公告)号：CN115377019B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210822191.4
申请日：2022-07-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/29
Abstract: 本发明实施例提供了一种器件的封装结构，铜基板、气密层、环氧塑封料和引脚；引脚和环氧塑封料均与铜基板连接；环氧塑封料上设有容置槽；其中，容置槽的槽口朝向铜基板；环氧塑封料上设有供引脚伸入容置槽内部的外引开口；容置槽内填充有气密层。由于气密层设在环氧塑封料的容置槽内，且容置槽中的气密层能将容置槽中的内部引脚完全贴合覆盖，并且气密层能将引脚与环氧塑封料之间的间隙给阻断。由于引脚与环氧塑封料之间的间隙已经被阻断，所以水汽很难再通过此间隙进入器件的内部，这有效防止了器件内部的各个组件因为水汽影响而导致的失效问题的发生。
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公开(公告)号：CN112468131B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202011377739.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本申请涉及一种驱动电路和驱动装置。所述驱动电路包括：所述驱动电路包括：电源电路，用于为所述驱动电路提供驱动电流；缓冲电路，与所述电源电路相连，用于根据控制信号放大驱动电流，所述驱动电流用于驱动碳化硅场效应管；过压保护电路，用于当所述碳化硅场效应管的导通电压大于或等于电压阈值时，抑制所述导通电压；过流保护电路，用于当所述碳化硅场效应管的导通电流大于或等于电流阈值时，抑制所述导通电流。上述驱动电路结构简单，通过过压保护电路和过流保护电路，实现在高功率、高频等特殊环境下，保证碳化硅场效应管的可靠运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112468131A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011377739.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本申请涉及一种驱动电路和驱动装置。所述驱动电路包括：所述驱动电路包括：电源电路，用于为所述驱动电路提供驱动电流；缓冲电路，与所述电源电路相连，用于根据控制信号放大驱动电流，所述驱动电流用于驱动碳化硅场效应管；过压保护电路，用于当所述碳化硅场效应管的导通电压大于或等于电压阈值时，抑制所述导通电压；过流保护电路，用于当所述碳化硅场效应管的导通电流大于或等于电流阈值时，抑制所述导通电流。上述驱动电路结构简单，通过过压保护电路和过流保护电路，实现在高功率、高频等特殊环境下，保证碳化硅场效应管的可靠运行。
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公开(公告)号：CN112383039A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011270903.3
申请日：2020-11-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及一种芯片静电防护电路，所述芯片静电防护电路包括：一级防护单元，用于作为静电的放电通路将静电释放；二级防护单元，用于当所述一级防护单元发生异常时，作为静电的放电通路将静电释放。本发明所述的芯片静电防护电路可以在不增大防护电路占用芯片面积的情况下，同时提供6种静电泄放路径，当一级防护单元出现异常时，可以利用所述二级防护单元将静电释放，整体提高了芯片静电防护能力，此外，本发明合理利用器件的寄生效应，进一步减小了防护电路的规模。
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公开(公告)号：CN111487489A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010233713.8
申请日：2020-03-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种芯片抗干扰度的评估方法及装置，该方法包括：收集待进行抗干扰度评估的芯片的样品，并将样品分成两组，即第一组样品和第二组样品；对第一组样品直接进行EFT注入，产生初始抗扰度数据；对第二组样品进行老化试验，并在对第二组样品的老化试验的过程中进行EFT注入，产生老化抗扰度数据；将初始抗扰度数据与老化抗扰度数据进行比较，得到样品的抗扰度随老化的变化情况，以实现对芯片抗干扰度的评估。本发明的方案，可以解决MCU的电磁兼容性能未考虑元器件老化的影响而存在评估不准确的问题，达到能够考虑元器件老化的影响准确评估MUC的电磁兼容性能的效果。
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公开(公告)号：CN115377019A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210822191.4
申请日：2022-07-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/29
Abstract: 本发明实施例提供了一种器件的封装结构，铜基板、气密层、环氧塑封料和引脚；引脚和环氧塑封料均与铜基板连接；环氧塑封料上设有容置槽；其中，容置槽的槽口朝向铜基板；环氧塑封料上设有供引脚伸入容置槽内部的外引开口；容置槽内填充有气密层。由于气密层设在环氧塑封料的容置槽内，且容置槽中的气密层能将容置槽中的内部引脚完全贴合覆盖，并且气密层能将引脚与环氧塑封料之间的间隙给阻断。由于引脚与环氧塑封料之间的间隙已经被阻断，所以水汽很难再通过此间隙进入器件的内部，这有效防止了器件内部的各个组件因为水汽影响而导致的失效问题的发生。
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公开(公告)号：CN112379242B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202011163560.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种芯片失效点定位方法、装置及系统，芯片失效点定位方法包括获取芯片通电后发射的光信号；对光信号进行分离，输出多个特定波段的光辐射图像；将多个特定波段的光辐射图像与预置良品芯片结构形貌图比较以确定芯片失效点的波长信息。本申请可以实现对半导体芯片失效点波长的探测分析，在分析过程不会对芯片引入新的失效，提高了对半导体芯片失效分析的效率及准确性，可广泛适用于芯片设计、生产的测试环节，售后问题反馈等环节。
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