公开(公告)号：CN109863023A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201780064584.0

申请日：2017-10-17

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森裕一 ,  佐藤庆一 ,  深谷知巳

IPC: B32B27/00 ,  B32B7/06 ,  B32B27/18 ,  B32B27/38

Abstract: 本发明提供一种剥离片，其具备基材与设置于所述基材的至少一面侧的剥离剂层，所述剥离剂层由剥离剂组合物形成，该剥离剂组合物含有：不含聚硅氧烷骨架的阳离子聚合性化合物、剥离成分及阳离子聚合引发剂，所述剥离剂组合物中，所述阳离子聚合性化合物的掺合量比所述剥离成分及所述阳离子聚合引发剂各自的掺合量多。该剥离片为具有良好的剥离性的新型的剥离片。

公开(公告)号：CN110248805A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880010040.0

申请日：2018-01-31

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森裕一 ,  深谷知巳

IPC: B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  C09D7/40 ,  C09D133/06

Abstract: 一种剥离片，其具备基材与设置在所述基材的至少一面侧的剥离剂层，所述剥离剂层由含有含羟基丙烯酸类化合物、聚有机硅氧烷及含异氰酸酯基化合物的剥离剂组合物形成。该剥离片发挥优异的剥离性。

公开(公告)号：CN107148348A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201680005002.7

申请日：2016-06-15

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森裕一 ,  佐藤庆一

IPC: B32B27/00 ,  B28B1/30 ,  B32B27/42 ,  C08J7/04 ,  H01G13/00

CPC classification number: B28B1/30 ,  B32B27/00 ,  B32B27/42 ,  C08J7/04 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜(1)，其具备基材(11)、及设置在基材(11)的单侧的剥离剂层(12)，陶瓷生片制造制程用剥离膜(1)中，剥离剂层(12)由剥离剂组合物形成，该剥离剂组合物含有在一个分子中具有至少一个羟基的聚有机硅氧烷、及总酸值为0.030～0.154mgKOH/g的三聚氰胺树脂。所述陶瓷生片制造工序用剥离膜(1)显示良好的剥离性，并且可抑制聚有机硅氧烷从剥离剂层(12)向陶瓷生片的转移。

公开(公告)号：CN118973781A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380030633.4

申请日：2023-03-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 西尾太寿 ,  深谷知巳 ,  森裕一 ,  吉延毅朗

IPC: B29B17/02

Abstract: 一种涂层的去除方法，具有：准备由具有基材膜、涂层的层叠膜(50)卷绕而成的卷(1)的工序；从卷(1)送出层叠膜(50)的工序；对送出后的层叠膜(50)进行延伸的工序；从延伸后的层叠膜(50A)去除涂层的工序；将去除涂层之后的基材膜(51)卷取成卷状的卷取工序。

公开(公告)号：CN118871291A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380030170.1

申请日：2023-03-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森裕一 ,  深谷知巳

IPC: B32B27/00 ,  B29B17/02 ,  B32B27/30 ,  C08J11/06

Abstract: 本发明涉及一种剥离片，其为依次具有基材、以及位于该基材的至少一个表面侧的中间层和剥离剂层的层叠体，其中，所述中间层是由中间层形成用组合物形成的层，所述中间层形成用组合物包含通过水解而显示缩聚性的硅烷类化合物(A)及丙烯酸酯化合物(B)。

公开(公告)号：CN118871271A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380030643.8

申请日：2023-03-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森裕一 ,  深谷知巳 ,  西尾太寿 ,  吉延毅朗

IPC: B29B17/02

Abstract: 一种涂层的去除方法，具有：将具有基材膜、涂层的层叠膜切割成细片的工序；将切割后的层叠膜（50）浸渍于搅拌槽（21）内的温水（HW）并搅拌，将层叠膜（50）分离成基材膜（51）和涂层的工序；对分离后的基材膜（51）进行回收的基材膜回收工序；对分离后的涂层得残渣（52C）进行回收的涂层回收工序；所述涂层包含中间层以及剥离剂层，所述中间层配置于所述基材膜和所述剥离剂层之间。

公开(公告)号：CN115380090A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202180026523.1

申请日：2021-03-26

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森裕一 ,  田矢直纪

IPC: C09J7/30 ,  B32B27/00 ,  B32B27/18 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  B32B7/027

Abstract: 本发明提供一种高频介电加热粘接片(1)，其具有第1粘接层(10)、第2粘接层(20)、以及配置在第1粘接层(10)与第2粘接层(20)之间的中间层(30)，第1粘接层(10)含有第1热塑性树脂及在高频下发热的第1介电填料，第2粘接层(20)含有第2热塑性树脂及在高频下发热的第2介电填料，中间层(30)不含在高频下发热的介电填料。

公开(公告)号：CN115380089A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202180026518.0

申请日：2021-03-26

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森裕一 ,  田矢直纪

IPC: C09J7/30 ,  B32B27/00 ,  C09J11/04 ,  C09J201/00 ,  B32B7/025

Abstract: 本发明涉及一种高频介电加热粘接片(1)，其具有：含有第1热塑性树脂的第1粘接层(10)、含有第2热塑性树脂的第2粘接层(20)、以及中间层(30)，中间层(30)的介电特性DPM相对于第1粘接层(10)的介电特性DP1之比DPM/DP1、以及中间层(30)的介电特性DPM相对于第2粘接层(20)的介电特性DP2之比DPM/DP2分别小于1，介电特性DP1、介电特性DP2及介电特性DPM分别为第1粘接层(10)、第2粘接层(20)及中间层(30)的介电特性(tanδ/ε’r)的值。Tanδ是在23℃且频率40.68MHz下的介质损耗角正切，ε’r是在23℃且频率40.68MHz下的相对介电常数。

公开(公告)号：CN107107577A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680005001.2

申请日：2016-06-15

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森裕一 ,  佐藤庆一

IPC: B32B27/00 ,  B28B1/30 ,  B32B27/42 ,  C08L61/28 ,  C08L83/06

CPC classification number: B28B1/30 ,  B32B27/00 ,  B32B27/42 ,  C08L61/28 ,  C08L83/06

Abstract: 本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜(1A)，其具备基材(11)、及设置在基材(11)的单侧的剥离剂层(12)，其中，剥离剂层(12)由剥离剂组合物形成，该剥离剂组合物含有总酸值为0.030～0.154mg KOH/g、且重均分子量为1000～10000的三聚氰胺树脂、及聚有机硅氧烷。所述陶瓷生片制造工序用剥离膜(1A)显示良好的剥离性，并且可抑制卷曲的产生。

公开(公告)号：CN118946446A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202380030635.3

申请日：2023-03-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 深谷知巳 ,  森裕一 ,  西尾太寿 ,  吉延毅朗

IPC: B29B17/02

Abstract: 一种涂层的去除方法，具有：准备由具有基材膜(51)、涂层的层叠膜(50)卷绕而成的卷(1)的工序；从卷(1)送出层叠膜(50)的工序；对送出后的层叠膜(50)进行延伸的工序；通过将延伸后的层叠膜(50A)浸渍于水槽(32)内的温水(HW)，从层叠膜(50A)去除涂层的工序；将去除涂层后的基材膜(51)卷取成卷状的工序；涂层包含中间层以及剥离剂层，中间层配置于基材膜(51)和剥离剂层之间。