公开(公告)号：CN107735869A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680010693.X

申请日：2016-02-03

Applicant: 瑞德兰科技有限公司

Inventor： U·埃尔-哈纳尼 ,  A·登斯莫尔 ,  S·塔赫里翁 ,  G·普雷克斯 ,  V·佩鲁马尔

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/14696 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/1832

Abstract: 本发明涉及一种制造固态辐射检测器的方法，所述方法包括使用多个研磨和抛光步骤机械地研磨和抛光半导体晶片的第一和第二表面。所述方法还包括通过使用氧等离子体使钝化氧化物层生长于所述抛光的第一和第二表面的顶部上以便钝化所述半导体晶片。将阳极接点沉积在所述第一表面顶部上的所述第一钝化氧化物层的顶部上且图案化。将单片或图案化阴极接点沉积在所述第二表面上的所述第二钝化氧化物层的顶部上。可将氮化铝封装层沉积在所述阳极接点上方且图案化以封装所述第一钝化氧化物层，同时在物理上暴露每一阳极接点的中心部分以电连接所述阳极接点。