公开(公告)号：CN103545317A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310285905.3

申请日：2013-07-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 有金刚 ,  久本大 ,  奥山裕 ,  桥本孝司 ,  冈田大介

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。当通过缩小存储器单元而减小隔离区的宽度，以减小在存储器单元和相邻存储器单元之间的距离时，被注入到存储器单元的电荷存储膜中的电子或空穴扩散到位于隔离区上方的电荷存储膜的部分中，从而彼此相互干扰，并且可能损害存储器单元的可靠性。在半导体器件中，存储器单元的电荷存储膜延伸至位于相邻存储器单元之间的隔离区。隔离区中的电荷存储膜的有效长度大于隔离区的宽度。这里，有效长度指示位于隔离区上方且没有存储电荷的电荷存储膜的区域的长度。