公开(公告)号：CN107819032A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710794982.X

申请日：2017-09-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松尾隆充 ,  松浦仁 ,  齐藤靖之 ,  星野义典

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在有效区域(ACR)中，在沟槽(TRC)内配置有栅电极(GEL)。与栅电极(GEL)隔开距离地在沟槽(TRC)内配置有发射极电极(EEL)。在有效区域(ACR)形成有源极扩散层(SDR)和基极扩散层(BDR)。基极扩散层(BDR)的基极底部以发射极电极(EEL)侧的基极底部的部分位于比栅电极(GEL)侧的基极底部的部分深的位置的形态倾斜。接触部(CCN)的接触底部以与发射极电极(EEL)接触的接触底部的部分位于比与基极扩散层(BDR)接触的接触底部的部分深的位置的形态倾斜。

公开(公告)号：CN107819032B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201710794982.X

申请日：2017-09-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松尾隆充 ,  松浦仁 ,  齐藤靖之 ,  星野义典

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在有效区域(ACR)中，在沟槽(TRC)内配置有栅电极(GEL)。与栅电极(GEL)隔开距离地在沟槽(TRC)内配置有发射极电极(EEL)。在有效区域(ACR)形成有源极扩散层(SDR)和基极扩散层(BDR)。基极扩散层(BDR)的基极底部以发射极电极(EEL)侧的基极底部的部分位于比栅电极(GEL)侧的基极底部的部分深的位置的形态倾斜。接触部(CCN)的接触底部以与发射极电极(EEL)接触的接触底部的部分位于比与基极扩散层(BDR)接触的接触底部的部分深的位置的形态倾斜。

公开(公告)号：CN207474470U

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201721135203.7

申请日：2017-09-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松尾隆充 ,  松浦仁 ,  齐藤靖之 ,  星野义典

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件。在有效区域(ACR)中，在沟槽(TRC)内配置有栅电极(GEL)。与栅电极(GEL)隔开距离地在沟槽(TRC)内配置有发射极电极(EEL)。在有效区域(ACR)形成有源极扩散层(SDR)和基极扩散层(BDR)。基极扩散层(BDR)的基极底部以发射极电极(EEL)侧的基极底部的部分位于比栅电极(GEL)侧的基极底部的部分深的位置的形态倾斜。接触部(CCN)的接触底部以与发射极电极(EEL)接触的接触底部的部分位于比与基极扩散层(BDR)接触的接触底部的部分深的位置的形态倾斜。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利