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公开(公告)号：CN101536149A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780034015.8
申请日：2007-07-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67213 , H01L21/26593 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中，所述技术可表现为低温离子布植装置。该装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。该装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。该装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信，藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中，对冷却后的晶圆进行离子布植制造工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105474357A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480045728.4
申请日：2014-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 朱利安·布雷克
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J37/32477 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/057 , H01J2237/1207 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
Abstract: 一种例如是离子植入系统、沉积系统和蚀刻系统的基板处理系统，其具有粗糙化硅衬垫。硅衬垫是用可以产生细部特征的化学加工来粗糙化，像是微角锥，其高度可以小于二十微米。这些微角锥已经比一般在石墨衬垫中常见的粗糙化特征更小，尽管事实如此，粗糙化的硅能够保留沉积的镀膜且避免剥落。一种在这些基板处理系统上执行预防性保养的方法也被提出。
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公开(公告)号：CN105474357B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201480045728.4
申请日：2014-06-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 朱利安·布雷克
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J37/32477 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/057 , H01J2237/1207 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统、离子植入系统及束线离子植入系统。例如是离子植入系统、沉积系统和蚀刻系统的基板处理系统，其具有粗糙化硅衬垫。硅衬垫是用可以产生细部特征的化学加工来粗糙化，像是微角锥，其高度可以小于二十微米。这些微角锥已经比一般在石墨衬垫中常见的粗糙化特征更小，尽管事实如此，粗糙化的硅能够保留沉积的镀膜且避免剥落。
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公开(公告)号：CN101536149B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200780034015.8
申请日：2007-07-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67213 , H01L21/26593 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中，所述技术可表现为低温离子布植装置。该装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。该装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。该装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信，藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中，对冷却后的晶圆进行离子布植制造工艺。
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公开(公告)号：CN104335320B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201380026069.5
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/0225 , H01J2237/2007
Abstract: 一种离子植入器包括：压板，具有夹持表面，夹持表面经配置以支撑用于离子处理的晶圆，压板还具有在夹持表面下的至少一对电极；夹持电源，经配置以提供交流信号及代表交流信号的感测信号的，交流信号被提供至至少一对电极；以及控制器。当无晶圆被夹至夹持表面时，控制器经配置以接收来自夹持电源的感测信号。控制器进一步经配置以监控感测信号，并判断感测信号是否代表夹持表面上的沉积物超过预定的沉积物临界。
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公开(公告)号：CN104335320A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380026069.5
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/0225 , H01J2237/2007
Abstract: 一种离子植入器包括：压板，具有夹持表面，夹持表面经配置以支撑用于离子处理的晶圆，压板还具有在夹持表面下的至少一对电极；夹持电源，经配置以提供交流信号及代表交流信号的感测信号的，交流信号被提供至至少一对电极；以及控制器。当无晶圆被夹至夹持表面时，控制器经配置以接收来自夹持电源的感测信号。控制器进一步经配置以监控感测信号，并判断感测信号是否代表夹持表面上的沉积物超过预定的沉积物临界。
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