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公开(公告)号：CN108463872B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201780006590.0
申请日：2017-01-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/425 , H01L21/67 , H01J37/30 , H01J27/02
Abstract: 一种离子植入机、半导体晶片的植入设备及方法。所述离子植入机可包括：静电夹，用以固持衬底；淹没式等离子体枪，产生撞击于所述衬底上的电子通量；以及控制器，耦合至所述淹没式等离子体枪，并包括响应于测量信号而产生控制信号的部件，所述控制信号用以将所述淹没式等离子体枪的操作调整至目标操作水平。在所述目标操作水平上，所述电子通量可包括电子稳定化浓度，所述电子稳定化浓度将所述静电夹中的夹电流变化减小至目标值，所述目标值小于当所述淹没式等离子体枪不操作时的所述夹电流变化的第二值。
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公开(公告)号：CN107112258B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201580062297.7
申请日：2015-10-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 朱利安·G·布雷克
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了一种用于在加工期间调制及控制工件的局部温度的系统及方法。所述系统使用具有一或多个壁的台板，所述一或多个壁在所述台板的顶面上界定多个分立的区。当工件安置于所述台板上时，形成多个隔室，其中每一隔室由所述工件的背面及所述台板的相应区界定。所述隔室中的每一隔室内的背面气体的压力可被单独地控制。背面气体的压力决定自所述工件传递至所述台板的热量的量。通过局部地调节背面气体的压力，所述工件的不同区可维持在不同温度。在某些实施例中，使用多个阀来控制流至所述隔室的流动速率。
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公开(公告)号：CN102460651B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080025426.2
申请日：2010-04-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68742 , Y10T29/49998 , Y10T279/23
Abstract: 本发明揭示一种静电卡钳，其在移除之前及期间，较有效地将累积电荷自基板移除。当前，起模顶杆及接地插针为用于在植入之后将电荷自基板移除的仅有机构。本发明描述一种卡钳，其具有接地的较多额外低电阻路径中之一者。此等额外导管允许累积的电荷在将所述基板自所述卡钳移除之前及期间被耗散。藉由提供自基板114的背侧表面的充分电荷汲取，可减少基板粘住卡钳的问题。此举导致基板破裂的相对减少。
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公开(公告)号：CN101688295A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880016940.2
申请日：2008-03-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: C23C14/50 , H01J37/20 , H01L21/683 , H01L21/687 , H02N13/00
CPC classification number: H02N13/00 , H01J37/20 , H01J2237/2007 , H01J2237/31701 , H01L21/6833
Abstract: 一种静电夹持装置及一种减少对耦接至静电夹持装置的工件造成污染的方法。根据一实施例，耦接工件的静电夹持装置包括位于本体的表面上的用以接触工件的浮雕部，以及位于所述本体内的至少两个电极，其中至少两个电极被所述浮雕部下方的分离部分开。
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公开(公告)号：CN105308735B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201480035023.4
申请日：2014-04-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种低放射率静电卡盘和具有其的离子植入系统，静电卡盘包括加热器及配置在加热器上的电极。此静电卡盘也包括绝缘体层及配置在绝缘体上的涂层，其中所述涂层用以支撑电极系统所产生的静电场以便吸住基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107810547A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680037201.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明揭示一种利用LED加热的静电夹具。所述利用LED加热的静电夹具包括包含LED加热器的第一子组合件和包括静电夹具的第二子组合件。所述LED衬底加热器子组合件包含具有凹部的基底。多个发光二极管LED安置在所述凹部内。所述LED可为GaN或GaP LED，其在容易由硅吸收的波长处发光，因此有效且快速地加热所述衬底。包括静电夹具的所述第二子组合件安置在所述LED衬底加热器子组合件上。所述静电夹具包含在由所述LED发射的所述波长处为透明的顶部电介质层和内部层。一或多个电极安置于所述顶部电介质层与所述内部层之间以形成所述静电力。
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公开(公告)号：CN102119242B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200980131176.8
申请日：2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: C30B11/003 , C01B33/037 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/406 , C30B29/60
Abstract: 揭示一种纯化熔体的装置以及一种用以形成板的装置。于腔室中在第一方向冷凝熔体的第一部分。在第一方向熔化第一部分的小部分。熔体的第二部分保持冷凝。从腔室流出熔体，以及从腔室移除第二部分。冷凝以在溶体及第二部分中浓缩溶质。第二部分可以是高溶质浓度的块体。此系统可以并入板形成装置及其他组件，例如泵、过滤器或微粒捕集阱。
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公开(公告)号：CN103299415A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180062710.1
申请日：2011-12-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109
Abstract: 一种静电钳，包括用于加热基底的加热组件，加热组件具有朝向基底设置的第一表面以及在第一表面对向的第二表面。基座经布置以连结于加热组件的第二表面的至少一部份。经连结的基座以及加热组件共同定义加热组件的第一部分与基座之间的内间隙。外间隙以同心于加热组件的第二部份与基座之间的内间隙的方式布置，藉由形成于加热组件的第二表面以及基座之间的第一封合表面来将内间隙以及外间隙彼此隔离。
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公开(公告)号：CN103180903A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051627.4
申请日：2011-09-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G11B5/855
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明揭示一种用于制造位元图案化媒体的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于制造位元图案化媒体的方法。所述方法可包括：形成中间层，所述中间层包括彼此邻近的改质区和第一区，其中所述改质区和所述第一区可具有至少一种不同的性质；在所述中间层的所述第一区上沉积磁性物质以形成有源区；以及在所述中间层的所述改质区上沉积非铁磁物质以形成分离体。
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公开(公告)号：CN101802980A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107324.8
申请日：2008-09-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 朱利安·G·布雷克 , 由里·艾洛克海 , 乔纳森·吉罗德·英格兰
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/0815 , H01J2237/2001 , H01J2237/31703 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明揭示了一种离子植入机。一个这样的离子植入机包括离子束源和分析器磁体，此离子束源用于产生氧、氮、氦或氢离子为具有特定剂量范围的离子束，此分析器磁体用于自离子束移除不想要的物质。此离子植入机包括一种具有背面气体热耦合的静电夹盘，此静电夹盘用于固持单个工件来通过离子束进行硅绝缘体的植入且用于将此工件冷却至大约300℃至600℃的温度范围。
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