公开(公告)号：CN103050386B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201210394014.7

申请日：2012-10-17

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 二宫史郎 ,  月原光国 ,  工藤哲也 ,  山田达也

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/244 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/26 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明公开了一种离子注入装置和离子注入方法。在向晶片中注入离子的过程中，测量离子束电流，获得根据在真空束线室或真空处理室内操作的结构的位置变化而发生变化的真空流导的变化，另外，利用安装在所述真空束线室或所述真空处理室内的真空计检测一个或多个位置处的真空度的变化。利用所获得真空流导和所检测的一个或多个位置处的真空度来校正离子束电流的量，并控制注入至所述晶片中的剂量。

公开(公告)号：CN106653539A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610683472.0

申请日：2016-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李圣伟

IPC: H01J37/30 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3172 ,  H01J37/147 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31706 ,  H01L21/265 ,  H01J37/3007

Abstract: 一种离子注入工具包括工艺室、压板、离子源、以及多个控制单元。压板存在于工艺室中并且被配置成保持晶圆。离子源被配置成将离子束提供至晶圆上。控制单元存在于压板上并且被配置成施加多个物理场，该物理场能够影响离子束的离子至晶圆上的运动。

公开(公告)号：CN104025247B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201280061905.9

申请日：2012-12-13

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·艾伊斯勒 ,  伯·范德伯格

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。

公开(公告)号：CN105869978A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610257320.4

申请日：2012-12-13

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·艾伊斯勒 ,  伯·范德伯格

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。

公开(公告)号：CN103026450B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180036894.4

申请日：2011-07-27

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 佐藤秀

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/304

CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明以允许的剂量均匀度、一工作件穿过一离子射束的通过次数、移动速度、以及射束尺寸为基础来决定一干扰时间持续长度临界值。一射束下降检查标准程序会在注入期间重复地测量射束电流。每一次射束电流足够时一射束下降计数器便会被重置。在射束下降第一次出现时，计数器会递增而且该工作件的位置会被记录。每一次后续测量时，倘若射束下降继续则该计数器便会递增，或是倘若该射束足够的话该计数器便会被重置。因此，该计数器会以和测量时间区间相关联的单位来表示每一个下降的长度。该注入标准程序仅在该计数器超过该干扰时间持续长度临界值时才会停止，并且实施修补标准程序，其包括以该工作件少一次移动穿过该射束为基础来重新计算该干扰时间持续长度临界值，并且实施从该已储存位置处开始的注入标准程序。

公开(公告)号：CN105280467A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510323772.3

申请日：2015-06-12

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 月原光国 ,  井门德安 ,  末次纪之

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明提供一种提高射束照射处理品质的技术。本发明的射束照射装置(10)具备：射束扫描器(26)，使带电粒子束(B)沿规定的扫描方向往复扫描；测定器(42)，能够测量射入到作为测量对象的区域的带电粒子的角度成分；及数据处理部，利用测定器(42)的测定结果，计算带电粒子束(B)的有效照射发射度。测定器(42)在沿扫描方向往复扫描的带电粒子束(B)通过作为测量对象的区域而射入到测定器(42)的时间内测量针对带电粒子束(B)的角度分布的时间变化值，数据处理部将测定器所测量的角度分布的时间变化值中所包含的时间信息转换为位置信息来计算有效照射发射度。有效照射发射度表示针对假想射束的发射度，所述假想射束能够通过将沿扫描方向扫描而射入到作为测量对象的区域的带电粒子束的一部分相加而形成。

公开(公告)号：CN103229270B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180052954.1

申请日：2011-09-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 丹尼尔·迪斯塔苏 ,  罗素·J·洛

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明揭示一种离子植入的方法。离子束阻挡器单元(216)中的阻挡器(300)选择性地阻挡或修整离子束(212)。在一例中，离子束具有第一电流区和第二电流区。这些电流区可能不相等。然后离子束被植入工件(213)，以形成具有不同剂量的区域。工件可以被扫描，以使工件的整个表面被植入。

公开(公告)号：CN104756224A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380043992.X

申请日：2013-10-30

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 罗纳德·里斯 ,  谢尔盖·孔德拉坚科 ,  舒·佐藤 ,  安德鲁·雷

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L22/26 ,  C23C14/48 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种离子注入系统，该离子注入系统具有配置成向工件提供聚点离子束的离子注入设备，该聚点离子束具有与其相关的射束密度，其中该工件具有与其相关的晶体结构。扫描系统沿一轴或多轴相对于彼此地反复扫描聚点离子束与工件中的一个或多个。还提供控制器，该控制器配置成在工件上的预定位置暴露于聚点离子束时确立工件的预定局部温度。由此在该预定位置获得工件晶体结构的预定局部失序，其中控制器配置成控制聚点离子束的射束密度以及与扫描系统相关的占空比中的一个或多个，从而在工件上的预定位置确立该工件的局部温度。

公开(公告)号：CN102884607A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180022448.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·艾伊斯勒 ,  伯·范德伯格

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/317 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30488 ,  H01J2237/31703

Abstract: 公开了用于提供更大产量的离子注入方法和系统。当离子束(112)的横截面完全撞击在工件的表面上时，离子束(112)被以第一扫描速率(VslowScan)跨过工件的表面进行扫描；在束的横截面面积的一部分延伸到工件的外边缘(140)以外的位置(214)处，所述第一扫描速率被增大到第二速率(VFastScan)。一些实施例使用下述扫描模式：其中在实际注入期间在工件外进行束通量测量，以及可以实时地改变注入例行程序以计入束通量的变化。

公开(公告)号：CN101421814B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200780013079.X

申请日：2007-04-10

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 维克托·本维尼斯特 ,  爱德华·艾斯纳 ,  波·范德贝里

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  G21K5/10

CPC classification number: H01J37/3171 ,  G21K5/04 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/3045 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明的实施例是关于一种用于调整被扫描离子射束的带状射束通量的方法。于此方法中，会以一扫描速率来扫描离子射束，而且会在扫描该离子射束时来测量多个动态射束轮廓。经修正的扫描速率会依据该被扫描离子射束的该多个经测量动态射束轮廓而被算出。该离子射束会以该经校正的扫描速率来扫描，以便产生经修正的带状离子射束。本发明还揭示其它方法与系统。