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公开(公告)号：CN118399917A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410198011.9
申请日：2024-02-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H7/25 , H01P1/22 , G06F30/3308
Abstract: 本发明属于微波技术领域，具体涉及一种衰减量连续可调的压控衰减器，包括印制电路板PCB、过渡结构、以及直流电引脚。印制电路板PCB上设有传输线、两个接地结构、PIN二极管、芯片电容、金丝、以及锥形电感；其中，PIN二极管、芯片电容、以及金丝形成一个整体，称为第一组件；通过控制第一组件中PIN二极管的电压连续变化，使PIN二极管的等效电阻产生连续变化，实现压控衰减器的衰减量连续可调，配合在第一组件中引入金丝，并利用金丝呈现的电感性能，对PTN二极管的寄生电容进行补偿，使其具有了更好的回波损耗和更宽的工作频带。
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公开(公告)号：CN114725638B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210449584.5
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/26
Abstract: 本发明公开了一种基于锥状抛物反射面的大功率水负载装置，包括圆筒形的反射屏蔽层，设置于反射屏蔽层两端的上端盖、下端盖，同轴设置于反射屏蔽层内部的馈源入射结构，均匀紧密排布的吸波液体通道，其中上端盖的内侧反射面为旋转对称的锥状抛物反射面。当微波从馈源入射结构馈入，经过上端盖的锥状抛物反射面发生第一次反射，由于反射面独特的结构和半径高度比，仅有极少数反射回馈源入射结构端口，其余部分微波向四周反射；在微波反射腔体内经过一次或多次的反射，最终被流动冷却水介质吸收。本发明装置在实现微波低反射的同时，又能够达到千瓦甚至兆瓦的功率容量，满足大功率微波器件的要求。
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公开(公告)号：CN113206387B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110434865.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00 , H01Q15/14 , H01Q19/185 , G02B17/06 , G02B27/10
Abstract: 本发明公开了一种宽带宽的太赫兹准光和差比较器，属于属于准光单脉冲天线技术领域。该和差比较器包括和输入端口、差输入端口、光栅分束器、4个反射镜、两个输出端口。本发明方案能够解决现有准光和差比较器由于路程差异大导致带宽窄的问题，而且由于反射和透射路程差仅为λ/4，两个输出端口的波束束斑几乎一样大，有效的提高了和差比较器的和差辐射特性。
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公开(公告)号：CN114725638A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210449584.5
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/26
Abstract: 本发明公开了一种基于锥状抛物反射面的大功率水负载装置，包括圆筒形的反射屏蔽层，设置于反射屏蔽层两端的上端盖、下端盖，同轴设置于反射屏蔽层内部的馈源入射结构，均匀紧密排布的吸波液体通道，其中上端盖的内侧反射面为旋转对称的锥状抛物反射面。当微波从馈源入射结构馈入，经过上端盖的锥状抛物反射面发生第一次反射，由于反射面独特的结构和半径高度比，仅有极少数反射回馈源入射结构端口，其余部分微波向四周反射；在微波反射腔体内经过一次或多次的反射，最终被流动冷却水介质吸收。本发明装置在实现微波低反射的同时，又能够达到千瓦甚至兆瓦的功率容量，满足大功率微波器件的要求。
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公开(公告)号：CN114664616A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210291431.2
申请日：2022-03-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于全腔耦合结构锁频锁相的轴向级联相对论磁控管，属于微波技术领域。该磁控管包括若干个结构相同、轴向级联的高频系统；相邻高频系统之间设置有环形柱状隔离结构；阳极外壳的外侧设置有全腔耦合结构外壳；全腔耦合结构外壳与阳极外壳之间的环形柱状腔体通过4个扇形插片分隔为4个尺寸相同的扇形波导腔；扇形波导腔的两端设置有线性过渡结构，线性过渡结构的另一端连接矩形波导；耦合缝隙将谐振腔中的能量耦合至4个扇形波导腔，最终从8个矩形波导输出。本发明相邻高频系统谐振腔中的电磁场通过全腔耦合结构实现耦合，强化了级联锁相的效果；全腔提取和多端口轴向输出，提高了径向空间紧凑性，还提高了模式纯度和工作稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113193320B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110423503.X
申请日：2021-04-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明涉及微波毫米波技术，具体涉及一种基于微波电阻的步进式基片集成波导均衡器。本发明通过在SIW本体中设置贯通表面金属层的槽，在槽中引入多个微波电阻增加传播通道上的损耗，当电磁波在SIW本体中以TE10模传播的时候，在槽中加入的微波电阻，就能在传播TE10模的同时对信号进行一定程度的衰减，而这种衰减和工作频率密切相关。由于均衡器提供的均衡值与设置微波电阻的数量近似成正比，因此通过调控微波电阻的数量，以实现步进式均衡特性。本发明SIW均衡器可用于微波、毫米波电路和系统中，对不同频率的信号进行不同的衰减以实现均衡效果，并且还可通过调整SIW本体长宽边的尺寸比例以实现不同频段的应用调整。
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公开(公告)号：CN109710972B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201811395072.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种半模基片集成波导(HMSIW)放大模块。本发明实现在半模基片集成波导本体中，在与电磁场传播的垂直方向的HMSIW本体中线处开一条槽线，并在虚拟磁壁一侧安装放大器，通过金丝跳线输入放大器，经过放大器放大后，再通过金丝跳线输出到另一边的HMSIW传输线。本发明在一定频段内，可以使HMSIW特性阻抗与放大器输入输出阻抗匹配，从而可以省去HMSIW与放大器之间的匹配网络，进而简化电路的结构，减小电路的尺寸。
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公开(公告)号：CN113824433A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110986270.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基二极管级联的脉冲调制器，属于微波脉冲调制器领域。该调制器包括介质基板，设置于介质基板背面的接地板，以及设置于介质基板正面从右至左通过主微带线依次连接的连续波输入端口P1、第一高通滤波器、第一偏置电路、二极管级联电路、第二偏置电路、第二高通滤波器、调制脉冲输出端口P3。本发明通过采用高通滤波器和偏置电路，使脉冲调制器实现了超宽带的特性，同时还具有输出频谱纯净、开关速度快、隔离度高、电路紧凑简单等优点。
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公开(公告)号：CN110752426B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910977726.3
申请日：2019-10-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种基片集成波导均衡器。本发明在SIW本体中沿着电磁波传播方向等距离开2条贯通金属层的槽，并在其中引入耗能原件‑电阻薄膜，增加传播通道上的损耗。当电磁波在SIW本体中以TE1.0模传播的时候，放置的表面电阻膜就能在传播TE1.0模的同时对信号进行一定程度的衰减，这种衰减和工作频率密切相关。SIW本体侧壁部分表面电阻可以分成两部分：区域一和区域二、三。在区域一：高、低频率点之间的插入损耗差值会随着k的增加而增大。在区域二和区域三：高、低频点之间的插入损耗差会随k的增大而变小。本发明的SIW均衡器结构，可用于微波、毫米波电路和系统中，对不同频率的信号进行不同的衰减。
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