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公开(公告)号：CN118920051B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411413051.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/26 , H01P1/22 , H01C7/00 , H01P11/00 , G06F30/337 , G06F30/3308
Abstract: 本发明属于微波毫米波技术，具体为一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载，包括呈凹槽结构的电磁场约束载体，电磁场约束载体内设有与凹陷部相适应的负载本体，负载本体与电磁场约束载体之间通过金丝键合在一起；通过负载本体的在传播路径上引入多个π型电阻衰减网络，对输入信号的入射和反射能量同时进行多段式衰减，一是减小了到达终端50Ω负载的能量强度，增强了负载的散热性能，提高了负载的功率容量；二是对反射能量的再次衰减，减小了反射回输入端口的能量强度，提高了负载的整体驻波性能。
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公开(公告)号：CN119787984A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411835138.3
申请日：2024-12-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微波毫米波技术，具体为一种基于MESFET和变容二极管的电调基片集成波导均衡器，包括SIW本体，SIW本体的两端各设有一段50Ω微带线，且50Ω微带线与SIW本体之间通过渐变过渡线相连；SIW本体上中心设由凹槽型边框组成的矩形区域，矩形区域的凹槽型边框上设多个电子元件，且在电子元件中引入了MESFET，通过利用MESFET在不同栅压下，漏源之间呈现不同的阻抗特性这一特点来拟合可变微波电阻，并通过调节MESFET上的直流栅极电压来调整阻抗值，本发明实现均衡值动态均匀调整并提升了调整范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117748075A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410007179.7
申请日：2024-01-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明属于微波毫米波技术，具体为一种基于变容二极管和PIN二极管的基片集成波导电调凹坑型均衡器，包括SIW本体、渐变过渡线和50Ω微带线。通过在SIW本体上设矩形区域，矩形区域的4条边采用凹槽结构，并在沿矩形区域两相对长边的凹槽上等间距设置多个谐振单元，沿矩形区域两相对宽边的凹槽上等间距设置电容，实现在不同频率下的插入损耗进行不同程度的补偿以实现均衡效果。在谐振单元中，通过第一调节结构中引入的两个芯片电容配合金丝或电感实现隔直通交，通过第二调节结构中引入的PIN二极管代替微波电阻，来控制凹坑的深度，通过对第三调节结构中的变容二极管施加反向直流电压改变其电容值，实现凹坑的频率改变。
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公开(公告)号：CN118399917A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410198011.9
申请日：2024-02-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H7/25 , H01P1/22 , G06F30/3308
Abstract: 本发明属于微波技术领域，具体涉及一种衰减量连续可调的压控衰减器，包括印制电路板PCB、过渡结构、以及直流电引脚。印制电路板PCB上设有传输线、两个接地结构、PIN二极管、芯片电容、金丝、以及锥形电感；其中，PIN二极管、芯片电容、以及金丝形成一个整体，称为第一组件；通过控制第一组件中PIN二极管的电压连续变化，使PIN二极管的等效电阻产生连续变化，实现压控衰减器的衰减量连续可调，配合在第一组件中引入金丝，并利用金丝呈现的电感性能，对PTN二极管的寄生电容进行补偿，使其具有了更好的回波损耗和更宽的工作频带。
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公开(公告)号：CN118589177A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410802582.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/26
Abstract: 本发明属于微波技术领域，具体为一种具有电磁场约束结构的大功率微波毫米波负载，包括电磁场约束金属载体、大功率负载以及金丝；电磁场约束金属载体呈凹形结构；大功率负载设于电磁场约束金属载体的凹陷部内，包括介质层基材,介质层基材上表面的第一镀金触点、氮化钽电阻薄膜和第二镀金触点；第二镀金触点同样呈凹形结构，其凹陷部的开口方向与电磁场约束载体的凹陷部的开口方向一致；氮化钽电阻薄膜与第一镀金触点相连后嵌入第二镀金触点的凹陷部内；电磁场约束载体与第二镀金触点通过金丝或金带键合在一起。本发明实现了大功率微波毫米波负载的性能提升，降低了现有SMD大功率负载工作在高频段时对大功率微波电路的频率响应影响。
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公开(公告)号：CN117374538A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311241821.X
申请日：2023-09-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于微波毫米波技术，具体为一种高频段插损恒定的电调均衡器。利用变容二极管在不同电压下呈现不同电容值的特性，通过调节变容二极管上的直流电压来间接调整交流阻抗值，实现均衡量的动态调节；且由于电阻R与变容二极管并联，在高频段中表面电流能够通过变容二极管，使得高频段插损恒定；在低频段中，则由电阻R和变容二极管共同分担表面电流，并由固定电阻R1对不同频率信号进行不同程度衰减。
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公开(公告)号：CN118920051A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411413051.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/26 , H01P1/22 , H01C7/00 , H01P11/00 , G06F30/337 , G06F30/3308
Abstract: 本发明属于微波毫米波技术，具体为一种引入π型电阻衰减网络的大功率微波毫米波负载，包括呈凹槽结构的电磁场约束载体，电磁场约束载体内设有与凹陷部相适应的负载本体，负载本体与电磁场约束载体之间通过金丝键合在一起；通过负载本体的在传播路径上引入多个π型电阻衰减网络，对输入信号的入射和反射能量同时进行多段式衰减，一是减小了到达终端50Ω负载的能量强度，增强了负载的散热性能，提高了负载的功率容量；二是对反射能量的再次衰减，减小了反射回输入端口的能量强度，提高了负载的整体驻波性能。
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