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公开(公告)号：CN119812725A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411934394.8
申请日：2024-12-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成背腔贴片天线的太赫兹共振隧穿二极管辐射源，属于太赫兹无线收发技术领域，包括衬底，以及位于衬底上方的RTD、背腔贴片天线、GSG直流偏置线和两个稳定电阻；背腔贴片天线包括背腔底部参考地、背腔金属侧壁、背腔钝化层、贴片馈线、辐射贴片和背腔顶部参考地；RTD和GSG直流偏置线位于背腔贴片天线上方，辐射贴片经贴片馈线连接至RTD的射频侧，GSG直流偏置线连接至RTD的直流侧。本发明利用RTD与背腔贴片天线的谐振激发出太赫兹振荡信号，经集成的背腔谐振增强后，通过辐射贴片实现空气侧的高增益辐射，可有效降低太赫兹波在衬底侧的损耗；相比于传统在衬底侧加载Si透镜的方式，本发明集成的背腔结构具有微型化和低剖面的优势，可满足应用需求。
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公开(公告)号：CN113922779B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111195682.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于巴伦结构的负群时延电路及群时延方法，应用于电子通信技术领域，针对现有负群时延电路通常由周期电路实现，电路的尺寸与工作频率的波长相关，从而在较低的频率下难以实现小型化，影响了电路的实际应用的问题，本发明采用的平面巴伦电路包括：一个非平衡线圈和两个平衡线圈；所述非平衡线圈包括左右对称的两个螺旋子线圈；两个平衡线圈呈左右对称，两个平衡线圈为螺旋状且分别嵌于非平衡线圈左右两个螺旋子线圈中；采用本发明的结构使得在较低的频率下可以通过现有的芯片工艺进行负群时延电路的加工实现。
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公开(公告)号：CN119892139A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510088659.5
申请日：2025-01-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明公开一种工作在2‑18GHz的超宽带时延收发芯片，应用于射频微波集成电路技术领域，针对收发芯片存在高频增益滚降的问题；本发明采用发射模块与接收模块共用两个驱动放大器和80ps延时单元的共腿架构，包含单刀双掷开关、低噪声放大器、驱动放大器、功率放大器、时延单元，以及电阻电容衰减补偿网络对时延附加衰减进行补偿，以此来解决不同时延状态下的附加插损问题，同时采用电感电阻增益均衡器对增益滚降进行补偿；最终本发明的芯片在2‑18GHz工作频段内可以实现单位时延量5ps、最大时延量315ps的时延功能，同时具有良好的开关切换时间、良好的带内增益平坦度。接收通道输入1dB压缩优于‑10dBm，增益优于‑2dB，发射通道输出1dB压缩优于2dBm，增益优于2dB。
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公开(公告)号：CN116996022A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310961917.7
申请日：2023-08-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03B19/00 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种宽带高效三倍频器的设计方法，属于倍频技术领域，具体为：先确定三倍频器的目标频段，获得目标频段内最优理想倍频效率对应的二极管管芯对的Spice参数；控制谐波，使二极管组件的输入三次谐波阻抗和输出基波阻抗处于准开路状态；通过调整二极管组件的结构尺寸，获得目标频段内各频率点的最优理想倍频效率，提取对应二极管组件的最优输入基波匹配阻抗和最优输出三次谐波匹配阻抗；通过调整输入波导、输入探针、输出探针和输出波导的尺寸，实现二极管组件的阻抗匹配，最终合成整体优化后得到宽带高效三倍频器。本发明在保证二极管组件适用于目标频段的前提下，使二极管管芯发挥最大倍频效率，提升匹配效果，拓展工作带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116404986A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310462475.1
申请日：2023-04-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹加偏置平衡式二倍频结构，属于太赫兹倍频器技术领域，包括输入组件、二极管组件、输出组件和偏置滤波电路；输入组件包括依次的输入波导、窄边渐变波导、一级窄边减高波导和二级窄边减高波导；二极管组件包括平衡式拓扑结构的二极管、输入探针和微带焊盘；输出组件包括输出探针、楔形膜片、增高波导和输出波导，输出探针连接输入探针；偏置滤波电路通过在由楔形膜片、增高波导和输出波导构成的同向转换结构的短路面开孔，金丝键合连接至输出探针。本发明的输入波导与输出波导位于同一直线，利于倍频链路集成；通过在同向转换结构的短路面开孔加偏置，有效避免二次谐波泄露至偏置滤波电路，提升匹配效果，拓宽工作带宽。
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公开(公告)号：CN113572437A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110861327.8
申请日：2021-07-29
Applicant: 电子科技大学
Inventor： 张铁笛
Abstract: 本发明公开一种带有直通选择结构的GaAs自偏置低噪声放大器，应用于电子通信技术领域，针对现有放大器电路输入信号在幅度较大的时候会出现压缩情况，从而引入非线性效应，影响信号完整性的问题，本发明对传统的低噪声放大器进行了改良，使得放大器可以在放大器与直通之间进行选择，同时在选择直通的时候放大器利用电源管理结构断电以确保低功耗及电路稳定。电路采用自偏置结构并由单电压控制放大/直通的选择，这种方案解决了射频前端系统中放大器与直通的可重构的难题，同时减少了电路的供电口，提升了集成度，并通过选择级间匹配的方式实现了正斜率增益，使得电路更加适合大多数对增益平坦度要求较高的系统应用。
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公开(公告)号：CN119675609A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411720108.8
申请日：2024-11-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于电感峰化与RLC负反馈技术的2‑22GHz的超宽带低噪放大器，应用于无线通信领域，本发明基于三安P15LN_LNA pHMET晶体管设计并制造的工作在2‑22GHz的超宽带低噪声放大器GaAs MMIC在超宽带的工作频段内具有平滑的增益，优秀的噪声与线性度，输入输出均以标准的50欧姆匹配，占用面积较小，可以用于2‑22GHz内的各种射频前端，既可用于sub‑6GHz的无线通信应用，兼容多种通信协议；又可应用于毫米波频段诸如通信、相控阵雷达、毫米波成像、远距离遥感等多种情形。
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公开(公告)号：CN118610723A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410799815.4
申请日：2024-06-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/103
Abstract: 本发明公开了一种毫米波高紧凑差分天线的波导到耦合微带过渡结构，属于毫米波技术领域，包括矩形波导、矩形腔体以及波导到耦合微带线过渡电路；波导到耦合微带线过渡电路包括介质基板、正面的过渡结构和背面的金属接地平面；过渡结构包括处于矩形波导内部的差分天线，以及处于矩形腔体内部并部分插入矩形波导内部的耦合微带线；差分天线包括矩形金属片、多级阶梯阻抗变换结构以及两个矩形耦合分支。本发明利用插入矩形波导内部的差分天线，将馈入矩形波导的主模模式电磁波转换为耦合微带线的差分模式，具有结构简单、高性能和小尺寸的优点，仅通过调节10个设计自由度，即可完成毫米波中不同波段的宽带匹配，实现宽频带、低损耗和高性能的波导到耦合微带的过渡。
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公开(公告)号：CN117220020A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311291716.7
申请日：2023-10-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了具有多级宽度可调结构的太赫兹片上集成偶极子天线，属于太赫兹技术领域，包括输入端波导、矩形金属腔、太赫兹集成芯片和输出端波导；太赫兹集成芯片包括衬底、集成结构和背金；集成结构包括共面波导中心导带、两个共面波导接地层、多个空气桥和两个偶极子天线结构；偶极子天线结构包括两根由多级宽度可调结构构成的天线；其中，一根天线与共面波导中心导带相连，另一根天线通过偶极子天线过渡段与一个共面波导接地层相连。本发明在不额外增加耦合枝节基础上，通过调整偶极子天线结构中各部分的尺寸，极大增加调节自由度，改善天线高频部分的回波损耗，提升耦合效率，拓展耦合频率带宽，尤其适用于大宽度芯片的太赫兹单片集成电路。
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