公开(公告)号：CN113097315B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202110340205.4

申请日：2021-03-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 巫江 ,  罗凌志 ,  黄一轩 ,  程科铭

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种利用MXene‑GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，解决了现有技术中的MSM型光电探测器暗电流大、响应度低的问题，本发明的光电探测器包括生长基底，所述生长基底为图形化蓝宝石衬底结构，所述生长基底表面上由下至上连接有GaN薄膜层、n型GaN薄膜层、GaN‑InGaN组合层和MXene材料层。本发明将MXene材料与图形化蓝宝石衬底相结合降低了暗电流、提高了响应度，可用于水下光学检测和水下通信等领域。

公开(公告)号：CN113097315A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110340205.4

申请日：2021-03-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 巫江 ,  罗凌志 ,  黄一轩 ,  程科铭

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种利用MXene‑GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，解决了现有技术中的MSM型光电探测器暗电流大、响应度低的问题，本发明的光电探测器包括生长基底，所述生长基底为图形化蓝宝石衬底结构，所述生长基底表面上由下至上连接有GaN薄膜层、n型GaN薄膜层、GaN‑InGaN组合层和MXene材料层。本发明将MXene材料与图形化蓝宝石衬底相结合降低了暗电流、提高了响应度，可用于水下光学检测和水下通信等领域。

公开(公告)号：CN115332373A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202211032252.3

申请日：2022-08-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 巫江 ,  程科铭 ,  沈凯 ,  李创 ,  郭大千 ,  任翱博

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明公开了一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供了一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器，利用载流子的隧穿效应，减小势垒型结构因能带不连续性对少数载流子输运的影响，继而促进对光生载流子的收集，降低势垒型红外探测器的工作电压，解决现有传统势垒红外探测器必须在较高电压下工作的问题。其包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层、上接触层，所述下接触层上表面设置第一电极，所述上接触层上表面设置有第二电极。本发明适用于一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器。