公开(公告)号：CN118486759A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410489656.8

申请日：2024-07-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苟君 ,  张艳帅 ,  杨秀涛 ,  刘立新 ,  窦晗 ,  俞航 ,  于贺 ,  王军

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明涉及一种硅基硅化镁薄膜光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明中硅化镁光电探测器的制备方法为：在硅基片上依次制备金属镁薄膜、硅薄膜、金属薄膜；热处理使镁薄膜与上下硅层反应生成硅化镁薄膜；将顶层金属薄膜刻蚀成电极图案形成光电探测器。该制备方法中在镁薄膜上制备硅薄膜及金属薄膜，一方面，可使镁与其上层和下层的硅同时进行固相反应生成硅化镁薄膜；另一方面，上层硅薄膜与金属薄膜的覆盖可以抑制镁在热反应过程中的蒸发。相比传统的硅化镁薄膜及器件制备方法，缩短了硅镁固相反应时间，提高了硅化镁薄膜的生长质量，最后刻蚀顶部金属为电极层便可形成光电探测器，制备工艺简单、方便集成。

公开(公告)号：CN118867000A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410847232.4

申请日：2024-06-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苟君 ,  杨秀涛 ,  张艳帅 ,  刘立新 ,  窦晗 ,  俞航 ,  于贺 ,  王军

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  C23C26/00

Abstract: 本发明公开了一种电极嵌入式硅基硅化镁薄膜光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明中硅基硅化镁薄膜光电探测器的制备方法为：在硅基片表面制备金属叉指电极；刻蚀带有叉指电极的硅基片形成孔洞阵列微结构，孔洞贯穿叉指电极层并刻蚀硅基底至一定深度；在具有微结构的叉指电极上与电极间隔处制备镁薄膜；热反应生成硅化镁薄膜。该制备方法中叉指电极下的硅基底与电极上的镁薄膜相互扩散反应，生成的硅化镁薄膜将包裹、覆盖叉指电极层，形成电极嵌入式硅基硅化镁薄膜光电探测器。相比表面电极MSM器件，可大幅降低表面反射，多孔叉指电极可保证足够的光子穿透硅化镁材料，提高光吸收。同时，电极嵌入光敏材料内部可显著改善器件内的电场分布，增大强电场区的深度，提高器件性能。