一种集成限光微结构的高速光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117276362A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311101408.3

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种集成限光微结构的高速光电探测器及其制备方法,属于光电探测器技术领域。在衬底基片上制备若干个单侧叉指电极;在单侧叉指电极上制备半导体薄膜;在半导体薄膜沿纵向方向刻蚀若干周期孔形成周期性限光结构,周期孔的间隙与下方单侧叉指电极的间隙中心对齐,每一个周期孔不贯穿半导体薄膜层;在半导体薄膜上周期孔的间隙处制备另一侧叉指电极,与底部的叉指电极形成完整的叉指电极结构,得到集成限光微结构的电探测器。限光结构的尺寸只受到顶部单侧叉指电极的间距限制,探测器同时具有较大的陷光结构尺寸和较小的电极间距,在保证光电探测器的响应速率的同时,有效提高探测器的光探测效率,本发明用于可见光与红外探测及成像。

    基于同态加密的联邦学习肺结节检测方法

    公开(公告)号:CN115359036A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202211080000.8

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本发明提出了一种基于同态加密的联邦学习肺结节检测方法,实现步骤为:采用形态学等方法将肺部CT图像分割出肺实质;图像几何操作对肺实质进行数据增强,用于训练和测试;训练集样本平均分发给客户端且符合Non‑IID分布;搭建联邦学习框架;构建3D DPN26Faster R‑CNN肺结节检测模型;本地客户端参数初始化;本地客户端模型训练更新权重参数;本地客户端权重参数采用同态加密并上传中央服务器;中央服务器聚合加密的权重参数,分发给本地客户端;客户端解密进行模型更新;获得肺结节检测结果。本发明通过UNet网络分割肺实质实现了端到端的操作,采用同态加密保证了半诚实敌手和恶意敌手无法窃取数据信息且不影响模型精度,适用于不同环境的隐私保护场景。

    基于激光雷达的三维建图的方法

    公开(公告)号:CN107462897A

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:CN201710598881.5

    申请日:2017-07-21

    Inventor: 孙伟 刘立新

    Abstract: 本发明公开一种基于激光雷达的三维建图的方法,主要解决现有的2D激光雷达在不借助其他传感器辅助的情况下,难以实时绘制精细三维地图的问题。其实现步骤如下:首先获得带有坐标信息的点云;然后使用双边滤波算法对点云进行滤波处理;接着由激光雷达测距算法计算激光雷达点云中每一个特征点的位移;最后用绘图算法将扫描到的点云配准到世界坐标系上,构成三维点云图。本发明仅使用激光雷达和电机组合的平台而不使用其他传感器辅助即可完成实时地构建高质量的三维点云图,可用于移动机器人对地形数据的测绘和对未知环境的探知。

    一种电极嵌入式硅基硅化镁薄膜光电探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN118867000A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410847232.4

    申请日:2024-06-27

    Abstract: 本发明公开了一种电极嵌入式硅基硅化镁薄膜光电探测器的制备方法,属于光电探测器技术领域,本发明中硅基硅化镁薄膜光电探测器的制备方法为:在硅基片表面制备金属叉指电极;刻蚀带有叉指电极的硅基片形成孔洞阵列微结构,孔洞贯穿叉指电极层并刻蚀硅基底至一定深度;在具有微结构的叉指电极上与电极间隔处制备镁薄膜;热反应生成硅化镁薄膜。该制备方法中叉指电极下的硅基底与电极上的镁薄膜相互扩散反应,生成的硅化镁薄膜将包裹、覆盖叉指电极层,形成电极嵌入式硅基硅化镁薄膜光电探测器。相比表面电极MSM器件,可大幅降低表面反射,多孔叉指电极可保证足够的光子穿透硅化镁材料,提高光吸收。同时,电极嵌入光敏材料内部可显著改善器件内的电场分布,增大强电场区的深度,提高器件性能。

    一种微结构增强硅化镁硅异质结光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117219700A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311113920.X

    申请日:2023-08-31

    Abstract: 本发明涉及一种微结构增强硅化镁硅异质结光电探测器及其制备方法,属于光电探测器技术领域,本发明中硅化镁/硅异质结光电探测器的制备方法为:在硅基片上刻蚀得到周期孔表面微结构;在具有微结构的硅基片局部制备金属镁薄膜;热处理使镁薄膜和硅基底反应生成硅化镁薄膜;在硅与硅化镁薄膜上制备电极形成异质结光电探测器。该制备方法通过在具有微结构的硅表面制备镁薄膜,使镁与硅在热反应前便相互融合以增大接触面,相比传统制备方法的上下渗透,缩短固相反应时间,生长高质量的硅化镁薄膜。同时,微结构可减小表面反射,增大红外吸收率,提高探测器的光电响应。

    Ba2Sc0.8-y-zYbyErzAl1.2O5上转换发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112608749A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011420199.5

    申请日:2020-12-04

    Abstract: 本发明提供了Ba2Sc0.8‑y‑zYbyErzAl1.2O5上转换发光材料的制备方法,属于发光材料技术领域。该材料是Yb、Er稀土原子取代单相Ba2Sc0.8Al1.2O5中部分Sc原子得到的,属六方晶系,空间群为P63/mmc,晶胞参数为其中y=0.1~0.25,z=0.01~0.04。本发明所得Ba2Sc0.8‑y‑zYbyErzAl1.2O5上转换发光材料的原子距离较Ba2ScAlO5结构有所减小,可提高稀土离子之间的能量传递效率,进而增强上转换发光强度;此外降低贵稀土元素Sc的含量,进而降低原料成本。

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