公开(公告)号：CN109686813A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201910120225.3

申请日：2019-02-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 赵嘉学 ,  罗宗海 ,  梁志清 ,  石锦涛 ,  张铭 ,  徐灿明 ,  郭泽宇 ,  刘子骥

IPC: H01L31/12

CPC classification number: H01L31/125

Abstract: 一种光电耦合器及其制备方法，属于光电子器件技术领域。光电耦合器包括光发射单元和光接收单元以及后级处理电路；所述光接收单元是以微纳米孔结构的PIN结为基本单元，所述微纳米孔结构的孔道自n型层始贯穿本征层并延伸至p型层表面，微纳米孔结构周期性排列形成光电检测阵列；所述光接收单元设置在CMOS集成电路的上方实现单片集成。本发明显著降低光接收单元的响应时间，将光电耦合器整体的响应速度从ns量级提高到ps量级。微纳米孔阵列有利于将吸收光谱拓展至更高的波长，提高了光吸收效率。此外，本发明提供的制造工艺与集成电路制造工艺兼容，相比现有光敏芯片，减小体积的同时显著改善器件性能，提高了成品率和器件可靠性，也降低了生产成本。

公开(公告)号：CN109686813B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201910120225.3

申请日：2019-02-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 梁志清 ,  赵嘉学 ,  罗宗海 ,  石锦涛 ,  张铭 ,  徐灿明 ,  郭泽宇 ,  刘子骥

IPC: H01L31/12

Abstract: 一种光电耦合器及其制备方法，属于光电子器件技术领域。光电耦合器包括光发射单元和光接收单元以及后级处理电路；所述光接收单元是以微纳米孔结构的PIN结为基本单元，所述微纳米孔结构的孔道自n型层始贯穿本征层并延伸至p型层表面，微纳米孔结构周期性排列形成光电检测阵列；所述光接收单元设置在CMOS集成电路的上方实现单片集成。本发明显著降低光接收单元的响应时间，将光电耦合器整体的响应速度从ns量级提高到ps量级。微纳米孔阵列有利于将吸收光谱拓展至更高的波长，提高了光吸收效率。此外，本发明提供的制造工艺与集成电路制造工艺兼容，相比现有光敏芯片，减小体积的同时显著改善器件性能，提高了成品率和器件可靠性，也降低了生产成本。