一种高饱和磁化强度低温烧结LiZn铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113072371B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202110324931.7

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域,提供一种高饱和磁化强度低温烧结LiZn铁氧体材料及其制备方法,用以提升LiZn铁氧体材料的饱和磁化强度,进而使之能够适应更多频段的移相器,使微波器件能够满足小型化、集成化、高性能化的趋势。本发明通过Zr离子部分取代的LiZn铁氧体中的Zn离子,得到LiZn铁氧体材料:Li0.43Zn0.27Zr0.13Fe2.17O4,其在保持较低铁磁共振线宽和较低矫顽力的同时、显著提升饱和磁化强度,最高可到高达102.4emu/g;并且,采用Bi2O3作为助烧剂实现该LiZn铁氧体材料的低温烧结,满足LTCC技术的要求;另外,本发明LiZn铁氧体材料的制备工艺简单、制备成本低,利于工业化生产。

    一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113233885A

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN202110324952.9

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明属于电子陶瓷技术领域,具体提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法,用以解决现有低温烧结YIG旋磁铁氧体材料在LTCC工艺下均难以满足低温烧结以及旋磁性能优异要求的问题。本发明提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料:Y2.1Bi0.9Fe5‑3xZn2xVxO12、0<x≤0.06,具有单一石榴石结构,Bi3+离子占据石榴石晶格十二面体、取代一部分Y3+离子,V5+离子占据八面体、取代一部分Fe3+离子,同时引入金属离子Zn2+离子,实现多离子取代活化YIG铁氧体晶格,促进YIG铁氧体900~960℃下低温烧结的同时,改善材料的微波特性:较高的饱和磁化强度、较低的矫顽力、较低的微波介电损耗和磁损耗,使之满足LTCC技术要求,对集成度要求高、体积要求小的微波铁氧体器件的制造提供基础材料。

    一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113233885B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202110324952.9

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明属于电子陶瓷技术领域,具体提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法,用以解决现有低温烧结YIG旋磁铁氧体材料在LTCC工艺下均难以满足低温烧结以及旋磁性能优异要求的问题。本发明提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料:Y2.1Bi0.9Fe5‑3xZn2xVxO12、0<x≤0.06,具有单一石榴石结构,Bi3+离子占据石榴石晶格十二面体、取代一部分Y3+离子,V5+离子占据八面体、取代一部分Fe3+离子,同时引入金属离子Zn2+离子,实现多离子取代活化YIG铁氧体晶格,促进YIG铁氧体900~960℃下低温烧结的同时,改善材料的微波特性:较高的饱和磁化强度、较低的矫顽力、较低的微波介电损耗和磁损耗,使之满足LTCC技术要求,对集成度要求高、体积要求小的微波铁氧体器件的制造提供基础材料。

    一种高饱和磁化强度低温烧结LiZn铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113072371A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110324931.7

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域,提供一种高饱和磁化强度低温烧结LiZn铁氧体材料及其制备方法,用以提升LiZn铁氧体材料的饱和磁化强度,进而使之能够适应更多频段的移相器,使微波器件能够满足小型化、集成化、高性能化的趋势。本发明通过Zr离子部分取代的LiZn铁氧体中的Zn离子,得到LiZn铁氧体材料:Li0.43Zn0.27Zr0.13Fe2.17O4,其在保持较低铁磁共振线宽和较低矫顽力的同时、显著提升饱和磁化强度,最高可到高达102.4emu/g;并且,采用Bi2O3作为助烧剂实现该LiZn铁氧体材料的低温烧结,满足LTCC技术的要求;另外,本发明LiZn铁氧体材料的制备工艺简单、制备成本低,利于工业化生产。

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