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公开(公告)号：CN117241597A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311338013.5
申请日：2023-10-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提出了一种埋栅式背接触非掺杂硅基太阳能电池结构及其制备方法。该电池包括依次层叠设置的减反层、前表面钝化层、N型单晶硅衬底、电子传输层、阴极电极、空穴传输层、阳极电极。其中，电子传输层和空穴传输层均采用载流子选择性材料。电子传输层和阴极电极呈栅状结构叠设于硅衬底的后表面，埋设在单晶硅衬底和空穴传输层之间，这种埋栅式的结构有利于简化制备工艺。在电池制备过程中，采用旋涂法制备电子和空穴传输层，并结合直接掩膜和一次刻蚀的方法来形成埋栅式结构，极大地简化了制备工艺流程，节约制造成本。
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