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公开(公告)号：CN118150521A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211550545.0
申请日：2022-12-05
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于对称结构的高灵敏度高Q值的折射率传感器。该传感器由二维光子晶体波导集成组成，包含输入、输出波导端口和两种不同类型的空腔，两个不同类型的空腔构成两个上下对称的Fano共振结构。两类空腔分别产生Fano共振所需的离散态和连续态，二者耦合形成非对称的Fano共振线形。基于该对称结构的传感器可有效提高共振强度，对待测介质的折射率变化更加敏感，器件的灵敏度和Q值都得到有效提高。
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公开(公告)号：CN117466546A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311505280.7
申请日：2023-11-13
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种基于聚苯乙烯微球和DNA折纸法制备超表面结构的方法，其包括以下步骤：将实验所用玻璃基底进行RCA处理，除掉表面杂质。接着将基底浸泡在食人鱼溶液中进行表面处理，使其表面形成羟基基团。处理过的玻璃表面通过提拉法形成致密的单层PS球结构，通过HMDS在表面形成HMDS薄膜，在水中超声剥离PS球形成规则的阵列位点，将预先形成好的DNA折纸结构沉积于基底表面，在羟基作用下折纸结构准确吸附在阵列位点上，清洗基底表面去除非特异性结合折纸结构，形成超表面结构。优点是对设备和环境要求低，制备成本低，折纸结构可形成各种纳米结构或在表面接各种金属离子，形成多种复杂超表面结构如等离子体结构及手形结构等。
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公开(公告)号：CN117451655A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311232788.4
申请日：2023-09-22
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种基于加热丝环形走线方法的MEMS红外光源及其制备方法。所述红外光源的结构自下而上依次为衬底、复合介质层和辐射增强层。复合介质层为电阻层外包覆薄膜层，加热丝电阻为环形走线设计，均匀分布在辐射区域，有效地提高电阻丝的热稳定性。薄膜层是由氧化硅和氮化硅复合而成的复合膜，起到支撑和保护的作用，所述衬底中央区域留有矩形空气间隙形成隔热区域，使整个红外光源底面悬空。本发明采用化学气相沉积法的工艺制备多晶硅，利用反应离子刻蚀获得圆柱形微纳结构，并将金属溅射在其表面形成纳米结构辐射层，提高发射率。基于该加热丝环形走线方法的MEMS红外光源具有功耗低、辐射特性好、温度分布均匀的特点，进一步提高了光源的性能。
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公开(公告)号：CN118431238A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202211555101.6
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
IPC: H01L27/142 , H10K39/15 , H01L31/0224 , H10K30/81
Abstract: 由本发明公开了一种新型钙钛矿/Si太阳能三端叠层电池。所述的结构由钙钛矿上电池，中间电极，晶硅下电池三部分组成。其中钙钛矿上电池的上端为上电极，中间电极为中电极，晶硅下电池的下端为下电极。中电极从上下电池收集同一类型载流子，上电极与下电极收集另一种载流子。该新型钙钛矿/Si三端太阳能电池，中间连接层作为第三个电极，替代了传统的复合层或隧穿层，可以同时收集上下电池的载流子，让两个子电池相互独立工作，有效避免电流失匹问题，能够更好的贴合实际环境，并采用普通晶硅电池作为底电池，工艺成熟，成本相对较低，更易于应用于实际生产。
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公开(公告)号：CN118169784A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211573672.2
申请日：2022-12-08
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
Abstract: 本发明设计了一种可见光波段的高数值孔径的消色差超透镜。该消色差超透镜由多个相同单元阵列组成，每个单元以方形的玻璃相位块为衬底，衬底上是有低损耗氢化非晶硅(a‑Si:H)组成的超原子阵列，上下两层结构组成一个单元，四个单元组成一个组，每个组内的任意同方向单元的蓝色超原子需分别替换为红色超原子或绿色超原子，最后每个组内只存在两种颜色的超原子，可以根据实际需求，来构成任意尺寸的超透镜。本发明通过采用在可见光波段内具有低色散的高透过率材料，制备了基于空间交错法的超透镜，可在三个波长内，实现高分辨率、高效率、偏振不敏感的消色差成像。本发明设计结构简单，简化了超透镜的制备工艺，提高了超透镜的数值孔径和聚焦效率，增加了消色差超透镜设计自由度并拓宽了其应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117470794A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311338014.X
申请日：2023-10-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G01N21/3504 , B81B7/02 , B81B7/04 , G01N21/01
Abstract: 本发明涉及光学器件领域，具体涉及一种基于超表面的红外窄带热辐射光源实现方法。所述的光源结构从上到下依次为密封层、超表面微阵列结构、绝缘层、金属加热层、复合介质支撑层、金属反射层和硅基衬底层。超表面结构由图案化的金属或介质微结构组成，表面覆盖有密封层。金属加热层与超表面微阵列结构之间用绝缘层隔开。金属加热层下方是复合介质支撑层，支撑层由两层薄膜组成，形成四端梁固支悬膜结构。硅基衬底层中具有一个矩形空腔，腔底集成了金属反射层。所述的基于超表面的红外窄带热辐射光源通过调整超表面结构参数可任意调谐发射波长，无需借助滤光装置即可实现窄带发射光谱，用作气体传感器光源能够有效减小器件尺寸并与CMOS工艺兼容，利于大规模生产和片上集成。
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公开(公告)号：CN117398554A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311505276.0
申请日：2023-11-13
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及传感与电子科学领域。具体涉及一种基于MEMS传感芯片的智能药物雾化系统。由MEMS传感芯片(7)、无线发射模块(8)、无线接收模块(10)、STM32主控芯片(103)、通断装置(2)模块和雾化器(3)组成。MEMS传感芯片(7)负责探测患者的呼吸状态，当MEMS传感芯片(7)检测到呼吸机(5)的出气管(6)有大量气流通过时，患者为呼气状态，而当检测到呼吸机(5)的出气管(6)无气流或仅有少量气流通过时，患者为吸气状态。检测出患者的呼吸状态信息后通过无线发射模块(8)发送到STM32主控芯片(103)进行处理，并将病人的呼吸状态转化为数值在LCD屏幕(101)上显示，方便实时观测患者的呼吸状况，当患者的呼吸频率较高或者幅度较大则触发报警模块(104)以做出提醒。当检测到患者处于呼气状态时STM32主控芯片(103)通过控制通断装置(2)来关闭雾化器(3)，使产生的药物暂存在雾化器内，而当患者吸气时则通过通断开关来打开雾化器(3)，使雾化器(3)内暂存的药物经由吸气管进入患者肺部。根据MEMS传感芯片(7)实时监测呼吸管道气流状态实现患者呼吸、雾化器工作以及呼吸机工作的三者同步，在保证雾化治疗的效果的同时，避免了雾化药物的浪费，还可以减少患者的不适。
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公开(公告)号：CN117348352A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311232770.4
申请日：2023-09-22
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种基于周期堆迭的矩形超透镜与相移DMD的无掩膜光刻光学系统，其包括以下步骤：激光器发射激光，采用紫外物镜对光进行聚焦。然后，利用针孔滤波器消除光束通过物镜和其他光学元件时产生的高频噪声，利用准直透镜将球面波转化为平面波，使光平行，将平行光与相移DMD结合，生成特定的空间强度分布，用于定形过程，将相移DMD反射的激光通过4f成像系统与周期堆迭的矩形超透镜进行缩小成像在目标上，将单次曝光分成多个较短的曝光以增加测量次数，在每次曝光之间，搭配的数字全息反馈系统使用相机捕获的全息图来测量样品在每一步的光学相位图，并据此计算每个点与目标相位的差异，然后根据相位差调整灰度光刻的输入图像,并通过改变相移DMD上投影的图案来应用所需的校正，以实现近实时光刻。优点在于本发明为一种新的基于周期堆迭的矩形超透镜与相移DMD的缩小成像光刻方法，在误差范围内，成像尺寸可突破衍射极限达到六分之一波长，保证了光线的输入与输出面为平行平面，对光刻图案的边缘进行了优化，并且无需事先校准光刻胶，在外部振动条件下也能提供高稳定性。
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公开(公告)号：CN117241597A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311338013.5
申请日：2023-10-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提出了一种埋栅式背接触非掺杂硅基太阳能电池结构及其制备方法。该电池包括依次层叠设置的减反层、前表面钝化层、N型单晶硅衬底、电子传输层、阴极电极、空穴传输层、阳极电极。其中，电子传输层和空穴传输层均采用载流子选择性材料。电子传输层和阴极电极呈栅状结构叠设于硅衬底的后表面，埋设在单晶硅衬底和空穴传输层之间，这种埋栅式的结构有利于简化制备工艺。在电池制备过程中，采用旋涂法制备电子和空穴传输层，并结合直接掩膜和一次刻蚀的方法来形成埋栅式结构，极大地简化了制备工艺流程，节约制造成本。
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公开(公告)号：CN116314437A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211564817.2
申请日：2022-12-07
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无铅环保的Cs2TiBr6双钙钛矿薄膜的制备方法，其包括以下步骤：将CsBr粉末与TiBr4粉末加入装有γ‑丁内酯溶剂的烧杯并磁力搅拌使得溶解完全，之后缓慢加入无水乙腈作为抗溶剂并置于加热台上恒温加热，待产生种子微晶沉淀后倒掉溶液，使用丙酮对种子微晶冲洗后静置干燥；将种子微晶、CsBr粉末与TiBr4粉末加入到N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中，装入离心管离心，将离心后的上层清液倒掉并将沉淀静置干燥，得到Cs2TiBr6微晶；将Cs2TiBr6微晶以一定质量比加入到环己烷与异丙醇的混合溶液，并进行磁力搅拌使得微晶充分分散，得到Cs2TiBr6前驱体溶液；将Cs2TiBr6前躯体溶液滴加到基底上进行旋涂，之后将基底置于加热台上退火，从而得到Cs2TiBr6薄膜。优点是相对现有薄膜制备技术，1)不需要热蒸发镀膜机和双源共蒸工艺，成本低且工艺简单；2)不会腐蚀基底材料；3)所制备Cs2TiBr6薄膜的厚度为8～10μm，适合用在光电器件中。
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