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公开(公告)号：CN104066520A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006571.X
申请日：2013-01-23
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B81B3/0086 , B06B1/0292 , B81B3/0027 , B81B2201/0271 , B81C1/00523 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R31/003
Abstract: 本发明涉及一种制造电容式微机械换能器(100)，尤其制造CMUT的方法，所述方法包括：在衬底(1)上沉积第一电极层(10)；在所述第一电极层(10)上沉积第一介电膜(20)；在所述第一介电膜(20)上沉积牺牲层(30)，所述牺牲层(30)是可去除的，以形成所述换能器的腔(35)；在所述牺牲层(30)上沉积第二介电膜(40)；在所述第二介电膜(40)上沉积第二电极层(50)；以及将所沉积的层和膜(10、20、30、40、50)中的至少一个模式化，其中，所述的沉积步骤是通过原子层沉积执行的。本发明还涉及一种通过这样的方法制造的电容式微机械换能器(100)，尤其是CMUT。
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公开(公告)号：CN113167769B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201980078535.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
Inventor： J·韦达 , T·M·E·尼杰森 , H·H·克诺贝尔 , J·H·克鲁特威克 , A·R·M·韦许尔雷恩
IPC: G01N30/02 , G01N30/46 , G01N30/78 , G01N33/00 , G01N33/497
Abstract: 时间、成本和风险。一种气体采样设备，其适合于例如利用来自在气体入口(G_I)处接收的气体样本(G_S)中的挥发性有机化合物(VOC)来对来自吸管(T)中对来自对象的呼气进行采样。气体回路(GC)提供从所述气体入口(G_I)到连接吸附管(T)的端口(P)的流动路径，从而将气体样本(G_S)加载到吸附管(T)。所述流动路径中的VOC检测器(DT1)用于在采样过程中检测VOC浓度。控制模块(CM)基于来自VOC检测器(DT1)的输出连续计算VOC累积和的量度，并且然后将该量度与预定阈值(TH)进行比较。当所述量度超过阈值(TH)时，所述控制模块(CM)生成输出(O)，然后优选地相应地停止采样过程，响应于所述输出(O)而例如通过控制流动路径中的泵或阀来停止气体流入。这样的设备
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公开(公告)号：CN104066521B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201380006576.2
申请日：2013-01-18
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: B06B1/02
CPC classification number: H02N1/006 , B06B1/0292 , B81B3/00 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00373 , H02N1/08
Abstract: 本发明涉及一种制造电容式微机械换能器(100)特别是CMUT的方法，所述方法包括：在基底(1)上沉积第一电极层(10)；在所述第一电极层(10)上沉积第一介电薄膜(20)；在所述第一介电薄膜(20)上沉积牺牲层(30)，所述牺牲层(30)是可移除的，以形成所述换能器的空腔(35)；在所述牺牲层(30)上沉积第二介电薄膜(40)；并且，在所述第二介电薄膜(40)上沉积第二电极层(50)，其中，所述第一介电薄膜(20)和/或所述第二介电薄膜(40)包括：包括氧化物的第一层、包括高k材料的第二层以及包括氧化物的第三层，并且其中，通过原子层沉积来执行所述沉积步骤。本发明还涉及一种通过这样的方法来制造的电容式微机械换能器(100)，特别是CMUT。
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公开(公告)号：CN104812504B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201380060566.7
申请日：2013-11-06
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
Inventor： J·H·克鲁特威克 , M·米尔德 , N·M·A·德维尔德 , K·卡拉卡亚 , C·A·范登赫费尔
IPC: B06B1/02
CPC classification number: G10K11/18 , B06B1/0292 , C23C16/45525 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及一种制造电容性微加工换能器(100)、尤其是CMUT的方法，所述方法包括：将第一电极层(10)沉积在基板(1)上，将第一介电薄膜(20)沉积在所述第一电极层(10)上，将牺牲层(30)沉积在所述第一介电薄膜(20)上，所述牺牲层(30)可移除以形成所述换能器的腔体(35)，将第二介电薄膜(40)沉积在所述牺牲层(30)上，将第二电极层(50)沉积在所述第二介电薄膜(40)上，以及图案化所述沉积层和薄膜(10、20、30、40、50)中的至少一个，其中所述沉积步骤是通过原子层沉积来执行的。本发明还涉及一种通过此方法制造的电容性微加工换能器、尤其是CMUT。
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公开(公告)号：CN104838289A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380063157.2
申请日：2013-11-20
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明涉及甚至在高通量条件下有效地抑制极化的光子计数X-射线探测器和探测方法。提出的探测器包括：光子计数半导体元件(10)，其用于响应于入射X-射线光子而生成电子-空穴对；阴极电极(11a、11b；21a、21b；31a、31b、31c、31ac、31d；41a、41b；51a、51b)，其被布置在所述半导体元件(10)面向激发的X-射线辐射的第一侧(10a)，所述阴极电极包括两个相互交叉的阴极元件(11a、11b；21a、21b；31a、31b、31c、31ac、31d；41a、41b；1a、51b)；像素化阳极电极(12)，其被布置在所述半导体元件(10)与所述第一侧(10a)相对的第二侧(10b)；电源(13)，其用于在所述阴极电极与所述阳极电极之间施加偏置电压，并且所述电源用于在所述阴极元件(11a、11b；21a、21b；31a、31b、31c、31ac、31d；41a、41b；51a、51b)之间暂时施加注入电压；以及读出单元(14)，其用于读出来自所述像素化阳极电极(12)的电信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116075369B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202180035088.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
Abstract: 一种超声换能器具有控制电路，所述控制电路具有电路部分的阵列，这些电路部分共同限定电路区。cMUT元件被提供在所述控制电路的顶部。通路提供每个cMUT元件与下方的电路部分中的相应的一个电路部分之间的耦合。通路被定位在cMUT元件之间的空间处并且在相对于电路部分的形状的位置处连接到下方的电路部分。阵列的间距大于电路部分在阵列的至少一个方向上的间距，使得在所述至少一个方向上，cMUT元件延伸超出电路区的一边或两边。这使得平铺更加容易并且实现了模块化设计。
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公开(公告)号：CN116075369A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180035088.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: B06B1/02
Abstract: 一种超声换能器具有控制电路，所述控制电路具有电路部分的阵列，这些电路部分共同限定电路区。cMUT元件被提供在所述控制电路的顶部。通路提供每个cMUT元件与下方的电路部分中的相应的一个电路部分之间的耦合。通路被定位在cMUT元件之间的空间处并且在相对于电路部分的形状的位置处连接到下方的电路部分。阵列的间距大于电路部分在阵列的至少一个方向上的间距，使得在所述至少一个方向上，cMUT元件延伸超出电路区的一边或两边。这使得平铺更加容易并且实现了模块化设计。
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公开(公告)号：CN104838289B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201380063157.2
申请日：2013-11-20
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明涉及甚至在高通量条件下有效地抑制极化的光子计数X‑射线探测器和探测方法。提出的探测器包括：光子计数半导体元件(10)，其用于响应于入射X‑射线光子而生成电子‑空穴对；阴极电极(11a、11b；21a、21b；31a、31b、31c、31ac、31d；41a、41b；51a、51b)，其被布置在所述半导体元件(10)面向激发的X‑射线辐射的第一侧(10a)，所述阴极电极包括两个相互交叉的阴极元件(11a、11b；21a、21b；31a、31b、31c、31ac、31d；41a、41b；1a、51b)；像素化阳极电极(12)，其被布置在所述半导体元件(10)与所述第一侧(10a)相对的第二侧(10b)；电源(13)，其用于在所述阴极电极与所述阳极电极之间施加偏置电压，并且所述电源用于在所述阴极元件(11a、11b；21a、21b；31a、31b、31c、31ac、31d；41a、41b；51a、51b)之间暂时施加注入电压；以及读出单元(14)，其用于读出来自所述像素化阳极电极(12)的电信号。
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公开(公告)号：CN104066521A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006576.2
申请日：2013-01-18
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: B06B1/02
CPC classification number: H02N1/006 , B06B1/0292 , B81B3/00 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00373 , H02N1/08
Abstract: 本发明涉及一种制造电容式微机械换能器(100)特别是CMUT的方法，所述方法包括：在基底(1)上沉积第一电极层(10)；在所述第一电极层(10)上沉积第一介电薄膜(20)；在所述第一介电薄膜(20)上沉积牺牲层(30)，所述牺牲层(30)是可移除的，以形成所述换能器的空腔(35)；在所述牺牲层(30)上沉积第二介电薄膜(40)；并且，在所述第二介电薄膜(40)上沉积第二电极层(50)，其中，所述第一介电薄膜(20)和/或所述第二介电薄膜(40)包括：包括氧化物的第一层、包括高k材料的第二层以及包括氧化物的第三层，并且其中，通过原子层沉积来执行所述沉积步骤。本发明还涉及一种通过这样的方法来制造的电容式微机械换能器(100)，特别是CMUT。
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公开(公告)号：CN118973485A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031754.0
申请日：2023-03-22
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
Abstract: 本发明涉及流量测量。为了提供改进的流量测量，提供了一种用于流量测量的传感器(10)，其包括具有至少一个第一换能器部件(14)和至少一个第二换能器部件(16)的换能器装置(12)。该至少一个第一换能器部件和该至少一个第二换能器部件被布置成在操作中具有至少部分共同的视场。该至少一个第一换能器部件和该至少一个第二换能器部件被配置成在具有相移的情况下操作。
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