公开(公告)号：CN103118739A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180029972.8

申请日：2011-04-29

Applicant: 皮埃尔和玛利居里大学(巴黎第六大学)

Inventor： 亨里·洛拉奇 ,  米兰·德吉拉斯 ,  布莱塞·伊弗特 ,  菲利普·伯贡佐 ,  加埃莱·利索尔久埃斯 ,  利奥内尔·卢梭 ,  尔亚德·本杰明·贝诺斯梅恩 ,  瑟吉·皮科德 ,  乔塞·萨黑尔 ,  西奥霍伊·伊恩格

IPC: A61N1/05 ,  A61N1/372

CPC classification number: A61N1/0553 ,  A61N1/025 ,  A61N1/05 ,  A61N1/37205

Abstract: 本发明涉及一种适用于电刺激神经结构特别是视网膜的植入物，它包括：电绝缘基底(1)，形成于基底上表面中的凹陷(2)阵列，设置在凹陷底部的刺激电极(3)，以及形成在凹陷上部的接地面(4)的导电层。植入物的凹陷和电极的大小达到使得施加至神经结构的刺激电流的空间选择性最大化的程度。

公开(公告)号：CN103118739B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180029972.8

申请日：2011-04-29

Applicant: 皮埃尔和玛利居里大学(巴黎第六大学)

Inventor： 亨里·洛拉奇 ,  米兰·德吉拉斯 ,  布莱塞·伊弗特 ,  菲利普·伯贡佐 ,  加埃莱·利索尔久埃斯 ,  利奥内尔·卢梭 ,  尔亚德·本杰明·贝诺斯梅恩 ,  瑟吉·皮科德 ,  乔塞·萨黑尔 ,  西奥霍伊·伊恩格

IPC: A61N1/05 ,  A61N1/372

CPC classification number: A61N1/0553 ,  A61N1/025 ,  A61N1/05 ,  A61N1/37205

Abstract: 本发明涉及一种适用于电刺激神经结构特别是视网膜的植入物，它包括：电绝缘基底(1)，形成于基底上表面中的凹陷(2)阵列，设置在凹陷底部的刺激电极(3)，以及形成在凹陷上部的接地面(4)的导电层。植入物的凹陷和电极的大小达到使得施加至神经结构的刺激电流的空间选择性最大化的程度。