公开(公告)号：CN118727144B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202410754351.5

申请日：2024-06-12

Applicant: 盐城工学院 ,  盐城工学院技术转移中心有限公司

Inventor： 方忠庆 ,  张佳晨 ,  起晓燕 ,  余春莹 ,  姜秉成 ,  马婉茹

IPC: C30B29/16 ,  C30B13/00 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开了一种高热导率掺铒β相氧化镓激光晶体及其制备方法和用途，本发明利用激光加热基座法生长高热导率Er3+掺杂β‑Ga2O3晶体，解决β‑Ga2O3单晶生长的困境。此外，在β‑Ga2O3晶体共掺入去激活离子Eu3+解决Er3+(4I11/2→4I13/2)四能级系统激光通道下能级的阻塞，该高热导氧化镓激光晶体具有掺杂浓度适中、低声子能量、高热导率等激光特性，可作为2.6‑3μm波段中红外激光材料应用于全固态激光器中。

公开(公告)号：CN118727144A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410754351.5

申请日：2024-06-12

Applicant: 盐城工学院 ,  盐城工学院技术转移中心有限公司

Inventor： 方忠庆 ,  张佳晨 ,  起晓燕 ,  余春莹 ,  姜秉成 ,  马婉茹

IPC: C30B29/16 ,  C30B13/00 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开了一种高热导率掺铒β相氧化镓激光晶体及其制备方法和用途，本发明利用激光加热基座法生长高热导率Er3+掺杂β‑Ga2O3晶体，解决β‑Ga2O3单晶生长的困境。此外，在β‑Ga2O3晶体共掺入去激活离子Eu3+解决Er3+(4I11/2→4I13/2)四能级系统激光通道下能级的阻塞，该高热导氧化镓激光晶体具有掺杂浓度适中、低声子能量、高热导率等激光特性，可作为2.6‑3μm波段中红外激光材料应用于全固态激光器中。