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公开(公告)号：CN119208182A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310761193.1
申请日：2023-06-26
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及一种基板处理方法和装置。其中，该气体置换方法包括：第一液处理步骤：在处于第一气体氛围的腔室中，通过第一液体对基板进行液处理，其中，第一气体氛围表示腔室内仅具有第一气体；气体氛围置换步骤：将腔室的氛围从第一气体氛围置换为第二气体氛围，其中，第二气体氛围表示腔室内仅具有第二气体，并且第二气体不同于第一气体；第二液处理步骤：在处于第二气体氛围的腔室中，通过第二液体对基板进行液处理，第二液体不同于第一液体。通过本申请，解决了相关技术中存在特殊气体浪费的问题，避免了特殊气体的浪费，节省了成本。
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