-
公开(公告)号：CN110461484B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201780089141.7
申请日：2017-03-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: B08B1/04 , B08B3/02 , B08B7/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明揭示了一种基板清洗装置，包括卡盘组件、至少一个第一喷嘴(107,207)、以及超声波或兆声波装置(206,306)。所述卡盘组件被配置为接收和夹紧基板。所述至少一个第一喷嘴(107,207)被配置为将液体喷射到基板的顶表面。所述超声波或兆声波装置(206,306)被配置为设置在基板顶表面的上方用于向基板提供超声波或兆声波清洗。在超声波或兆声波装置(206,306)和基板的顶表面之间形成有间隙，该间隙充分且持续地充满液体，因此超声波或兆声波装置(206,306)的整个底部在清洗过程中始终充满液体。
-
公开(公告)号：CN119208182A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310761193.1
申请日：2023-06-26
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请涉及一种基板处理方法和装置。其中，该气体置换方法包括：第一液处理步骤：在处于第一气体氛围的腔室中，通过第一液体对基板进行液处理，其中，第一气体氛围表示腔室内仅具有第一气体；气体氛围置换步骤：将腔室的氛围从第一气体氛围置换为第二气体氛围，其中，第二气体氛围表示腔室内仅具有第二气体，并且第二气体不同于第一气体；第二液处理步骤：在处于第二气体氛围的腔室中，通过第二液体对基板进行液处理，第二液体不同于第一液体。通过本申请，解决了相关技术中存在特殊气体浪费的问题，避免了特殊气体的浪费，节省了成本。
-
公开(公告)号：CN118268310A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211720563.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种防反灌装置和基板处理设备，防反灌装置包括盛杯、防护罩和排气单元，盛杯上部具有开口；防护罩包覆盛杯的开口，并设置有收液口和排气口，收液口用于供喷嘴向盛杯内部滴入药液；排气单元通过防护罩的排气口与盛杯内部连接，以抽吸盛杯内部的挥发气体。本发明能够有效防止盛杯内部的挥发气体反灌至基板处理设备的工艺腔体内，避免挥发气体腐蚀工艺腔体内的基板的表面。
-
公开(公告)号：CN116264153A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111531177.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种晶圆背面清洗方法，包括：使用晶圆夹持部保持晶圆，晶圆夹持部与晶圆之间形成一间隙；按照第一流量向间隙内部通入保护气体；将保护气体的流量由第一流量调整为第二流量，并使晶圆在晶圆夹持部的第一转速的带动下旋转，对晶圆的背面进行清洗处理；使晶圆夹持部的转速由第一转速调整为第二转速，晶圆在晶圆夹持部的带动下旋转以对晶圆进行干燥处理；使旋转的晶圆停止旋转，将保护气体的流量由第二流量再次调整为第一流量，然后将晶圆取出；取出晶圆后，停止通入保护气体。本发明通过调节保护气体的开关逻辑和流量大小，保证了晶圆的正面在晶圆背面清洗工艺过程中不易被外界杂质吸附，提高了晶圆背面清洗的稳定性。
-
公开(公告)号：CN119527825A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311105122.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆传输机械手的清洗装置，包括：清洗槽，清洗槽的内部形成有容纳清洗液和所述晶圆传输机械手的清洗空间；干燥部，设置于清洗槽的内部，用于干燥晶圆传输机械手；清洗槽进一步设置有出口，出口位于干燥部和清洗液的液面之间，出口适于接入一排风系统。通过将干燥部设置在清洗槽的内部，并且在清洗槽设置有出口，出口接入一排风系统，排出清洗过程中产生的杂乱气流和水汽，有效减少气流和水汽外溢。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119517187A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311085449.8
申请日：2023-08-25
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: G16C20/10
Abstract: 本发明提供一种化学液浓度调节方法、系统及装置。该方法包括：若是目标浓度小于当前浓度，基于第一补偿关系，得到目标补充量，其中第一补偿关系用于表征目标补充量与化学液当前密度、当前浓度、当前体积、目标浓度及第一补充液体的密度之间的对应关系；若是目标浓度大于当前浓度，基于第二补偿关系得到目标补充量，其中第二补偿关系用于表征目标补充量与化学液的当前浓度、目标浓度、当前体积、当前密度、第二补充液体的密度、第二补充液体的浓度之间的对应关系；本发明根据确定的目标补充量调节化学液的浓度，不需要换掉当前化学液，降低了成本，同时可以快速实现化学液浓度的调节，节省了切换不同浓度化学液的等待时间。
-
公开(公告)号：CN119381286A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310922015.2
申请日：2023-07-25
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种供液装置及基板处理设备。该供液装置包括：输入管路和输出管路，第一支路和第二支路，配置于第一支路的水阻值调节部，以及控制部，控制部用于控制水阻值调节部，以使进入第一支路的第一液体调节为具有第三水阻值的第三液体，第三水阻值小于第二水阻值，且使第三液体与第二支路输出的第一液体混合形成具有第二水阻值的第二液体。在本发明的供液装置中，输入管路与输出管路之间由两个支路连接，第一支路装设水阻值调节部用于调节液体的水阻值，第二支路未装设水阻值调节部用于确保液体流速，从而可同时调节第一支路和第二支路汇合后的水阻值和流速，进而实现了能够准确控制供给液水阻值且溶液供给速率较高的技术效果。
-
公开(公告)号：CN115704648A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110909571.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于超临界流体的干燥装置，包括：上罩；底座，设置于上罩下方，且适于与上罩沿竖直方向相对运动，以闭合成耐压的密闭腔室；基板托盘，设置于底座上，用于承载基板；第一流体供应管，设置于上罩顶壁，用于向密闭腔室内部供应超临界流体，使得密闭腔室由大气压状态达到超临界状态；扰流板，设置在第一流体供应管下方；第二流体供应管，设置于上罩的第一侧壁，用于向密闭腔室内部供应超临界流体；流体排出管，设置于上罩的第二侧壁。采用本发明能够将密闭腔室内部空间达到最小化，节省了超临界流体的用量，降低使用成本。
-
公开(公告)号：CN107305854B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201610255859.6
申请日：2016-04-22
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种集成电路基板清洗设备，包括清洗腔、摆臂装置和易燃液体供液系统，清洗腔内设有载盘和与载盘垂直固定的支撑轴，支撑轴由驱动装置驱动旋转；摆臂装置包括底座、液体管，液体管包括竖直管体和水平管体，竖直管体垂直固定在底座上并与易燃液体供液系统连通供液，水平管体上设有液体喷头，液体喷头面向载盘，液体管的外壁还包裹有加热套，加热套内灌有为易燃液体加热的热介质，以水浴加热的方式将热量传递给摆臂装置内的易燃液体。通过水浴加热易燃液体的方式，既防止传输过程中液体热量的损失，又避免了传统电加热方式漏电、静电等安全性问题。
-
公开(公告)号：CN107210208B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201580075716.0
申请日：2015-09-08
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/302 , B08B3/12
Abstract: 本发明公开了一种防掉落的半导体器件清洗装置。该装置包括：与载体(101)相连接的喷嘴(102)；固定在载体(101)上的兆声波/超声波装置(105)；以及检测兆声波/超声波装置(105)与载体(101)之间的距离以判定兆声波/超声波装置(105)是否松动并将要掉落的传感器(104)。在清洗过程中，兆声波/超声波装置与喷嘴一起工作。本发明还公开了一种具有防掉落的半导体器件清洗装置的工艺腔。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.074 seconds)
