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公开(公告)号：CN118768274A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310383518.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种封装结构的清洗方法及设备。清洗方法包括负压清洗工序，所述负压清洗工序包括：调节所述封装结构所在腔室的压力至预定真空压力；使所述封装结构旋转；向旋转的封装结构喷洒具有预定温度的清洗液，以对所述封装结构进行负压清洗；其中，所述预定真空压力高于所述清洗液在所述预定温度下的汽化压力。本发明通过在负压条件下向旋转的封装结构喷洒具有预定温度的清洗液对封装结构进行清洗，利用负压条件下清洗液表面张力下降的原理促进清洗液在封装结构的微小间隙中流动；且本发明设置封装结构负压清洗过程中的预定真空压力高于清洗液在预定温度下的汽化压力，从而避免清洗液到达封装结构的清洗部位之前汽化。
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公开(公告)号：CN113423874B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201880100523.X
申请日：2018-12-28
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C25D17/00
Abstract: 本发明揭示了一种在基板上电镀金属层的电镀装置及电镀方法。在一个实施例中，一电镀方法包括以下步骤：步骤1：将基板浸入电镀腔内的电镀液中，所述电镀腔包括至少一个第一阳极和一个第二阳极(3001)；步骤2：打开第一电镀电源向第一阳极供电并设置第一电镀电源输出的功率值为P11并持续一时间段T11(3002)；步骤3：当时间段T11结束时，调节第一电镀电源使其输出的功率值为P12并持续一时间段T12，与此同时，打开第二电镀电源向第二阳极供电并设置第二电镀电源输出的功率值为P21并持续一时间段T21(3003)；以及步骤4：当时间段T21结束时，调节第二电镀电源使其输出的功率值为P22并持续一时间段T22；其中，步骤2至步骤4周期性执行。
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公开(公告)号：CN117423636A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210814990.7
申请日：2022-07-11
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提出一种预湿腔内外气压平衡控制装置及方法，通过在预湿腔上设置进气口和与进气口相连接的进气管道且进气管道连接预湿腔外部大气压，用以平衡预湿腔内外的气压，无需另外设置安装检测部件，同时也无需对其进行额外的操作，便能够在预湿腔破真空后,打开预湿腔取出晶圆时很好地避免预湿腔内壁上的水向外喷溅至预湿腔外部传感器上，产生干扰的现象，达到预防传感器发生误警报的情况的发生，提高晶圆加工的效率。
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公开(公告)号：CN116926649A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210337391.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种电镀设备，包括：膜架，中心设有通孔；输送支管，从膜架通孔的侧壁延伸到膜架的边缘；电镀液缓冲结构，包括中心帽和稳流套筒；中心帽，固定在膜架的通孔上方且覆盖膜架的通孔，顶部设有多个第一孔；稳流套筒，固定于中心帽下方并插设于膜架的通孔内，其侧壁上开设至少一个第二孔；扩散板，固定于膜架顶部，开设多个第三孔；其中，阴极电镀液通过输送支管进入稳流套筒与膜架通孔的侧壁之间，再通过稳流套筒侧壁上开设的第二孔进入稳流套筒内部，继而通过中心帽的第一孔供应到扩散板并通过第三孔到达基板。本发明能够对流体的流速进行缓冲，有效解决受镀基板的中心与边缘的差异化问题，提高电镀产品的质量。
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公开(公告)号：CN116924267A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210344489.9
申请日：2022-03-31
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备，包括控制器和升降组件，控制器控制升降组件的运动，半导体设备还包括安全组件，安全组件包括安全检测件和可转动的转动件；安全检测件与控制器通信连接，安全检测件通过检测转动件以向控制器发送安全信号，控制器接收到安全信号后，控制升降组件停止运动。在一个实施例中，升降组件连接半导体设备的工作腔体的上盖，本发明根据安全检测件检测转动件的结果以向控制器发送安全信号，控制器接收到安全信号后，控制升降组件停止运动，从而能够有效阻止工作腔体的上盖异常下降，防止人员受伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116263515A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111529263.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种电镀腔漏镀预警方法及系统，方法包括如下步骤：将电镀完成的晶圆定位在检测位置的工装上；设定晶圆的目标检测区域；操作图像传感器以检测所述晶圆的目标检测区域，判断晶圆的目标检测区域内是否存在不需要的金属沉积物；若判断结果为晶圆的目标检测区域内存在不需要的金属沉积物，表示加工该晶圆的电镀腔内发生漏镀现象，则发出警报指令；若判断结果为晶圆的目标检测区域内不存在不需要的金属沉积物，表示加工该晶圆的电镀腔内未发生漏镀现象，则不发出警报指令。本发明通过利用检测装置自动对晶圆进行漏镀检测，能够代替人工对晶圆的电镀情况进行检查，及时发现晶圆漏镀的问题，并发出警报，便于工作人员对电镀腔进行处理。
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公开(公告)号：CN113423874A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201880100523.X
申请日：2018-12-28
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C25D17/00
Abstract: 本发明揭示了一种在基板上电镀金属层的电镀装置及电镀方法。在一个实施例中，一电镀方法包括以下步骤：步骤1：将基板浸入电镀腔内的电镀液中，所述电镀腔包括至少一个第一阳极和一个第二阳极(3001)；步骤2：打开第一电镀电源向第一阳极供电并设置第一电镀电源输出的功率值为P11并持续一时间段T11(3002)；步骤3：当时间段T11结束时，调节第一电镀电源使其输出的功率值为P12并持续一时间段T12，与此同时，打开第二电镀电源向第二阳极供电并设置第二电镀电源输出的功率值为P21并持续一时间段T21(3003)；以及步骤4：当时间段T21结束时，调节第二电镀电源使其输出的功率值为P22并持续一时间段T22；其中，步骤2至步骤4周期性执行。
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公开(公告)号：CN111032923A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780094345.X
申请日：2017-08-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种用于在基板上沉积金属的电镀装置。该电镀装置包括膜架(14)、阴极电解液进液管(30)和中心帽(40)。膜架(14)具有穿过膜架(14)中心的中心通道(144)。阴极电解液进液管(30)与膜架(14)的中心通道(144)相连接。中心帽(40)固定在膜架(14)的中心且覆盖膜架(14)的中心通道(144)。中心帽(40)的顶部设有多个第一孔(42)。阴极电解液进液管(30)通过膜架(14)的中心通道(144)向中心帽(40)供应阴极电解液，阴极电解液通过中心帽(40)的第一孔(42)供应到基板的中心区域。
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公开(公告)号：CN119920747A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411351739.7
申请日：2024-09-25
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本申请揭示了一种支撑装置及基板退火设备。一种支撑装置，用于在基座上支撑承载盘，包括可移动连接地第一支撑件和第二支撑件；第一支撑件与基座和承载盘二者中的一者固定连接，第二支撑件与基座和承载盘二者中的另一者固定连接，其中，第一支撑件与第二支撑件被配置为在承载盘的径向方向上可相对移动，以使得承载盘具有径向形变空间。这样的方案，不仅能有效地在基座上支撑承载盘，而且能够使得承载盘具有一定的径向形变空间。在承载盘受热膨胀时，承载盘能在径向形变空间范围内自由地膨胀，因此能减少因膨胀被约束而产生的热应力，进而降低损坏承载盘的风险，延长承载盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119710851A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311278137.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提出提高晶圆电镀厚度均匀性的方法，包括：在包含扩散板的电镀腔内对晶圆电镀；检测晶圆电镀高度；将电镀高度输入晶圆模型，将晶圆模型沿径向方向划分为若干同心环区域，且在扩散板模型上设置与晶圆模型相对应的若干同心环区域，扩散板模型上均匀分布有孔径均一的通孔；取任意电镀高度值为基准值，计算其它环区域电镀高度值与基准值的差值，确定每个环区域的电镀高度待调整率；使扩散板模型上的每个环区域通孔总面积待调整率等于晶圆模型上每个环区域的电镀高度待调整率，并确定扩散板模型各环区域通孔的总面积待调整值，以获得优化的扩散板模型。本发明通过扩散板的优化，有助于提高电镀质量，使晶圆的电镀厚度更为均匀。
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