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公开(公告)号：CN119061453A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310647481.4
申请日：2023-06-01
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基板承载结构，该基板承载结构包括：底座，底座表面具有承载区域，用于承载基板；若干支撑件，设置于承载区域的第一圆周，支撑件顶端具有支撑面,用于支撑基板；若干导向件，设置于承载区域外围的第二圆周，且第一圆周和第二圆周为以承载区域中心为圆心的同心圆，且导向件高于支撑件，用于水平限位基板；若干导滑件，设置于承载区域，导滑件的全部或局部位于第一圆周和第二圆周之间，且导滑件不高于支撑件，导滑件顶端具有导滑面，导滑面的摩擦系数小于支撑面的摩擦系数。本发明通过上述结构实现了提升基板支撑结构对基板导向能力的效果。
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公开(公告)号：CN116926649A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210337391.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种电镀设备，包括：膜架，中心设有通孔；输送支管，从膜架通孔的侧壁延伸到膜架的边缘；电镀液缓冲结构，包括中心帽和稳流套筒；中心帽，固定在膜架的通孔上方且覆盖膜架的通孔，顶部设有多个第一孔；稳流套筒，固定于中心帽下方并插设于膜架的通孔内，其侧壁上开设至少一个第二孔；扩散板，固定于膜架顶部，开设多个第三孔；其中，阴极电镀液通过输送支管进入稳流套筒与膜架通孔的侧壁之间，再通过稳流套筒侧壁上开设的第二孔进入稳流套筒内部，继而通过中心帽的第一孔供应到扩散板并通过第三孔到达基板。本发明能够对流体的流速进行缓冲，有效解决受镀基板的中心与边缘的差异化问题，提高电镀产品的质量。
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公开(公告)号：CN119221083A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310789650.8
申请日：2023-06-29
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提出电镀设备的搅拌机构、电镀设备及电镀方法，涉及半导体制造技术领域。搅拌机构包括遮挡区域和搅拌区域，所述遮挡区域用于减弱该区域的流场；所述搅拌区域包括多个平行设置的第一桨叶；其中，在晶圆电镀过程中，当晶圆缺口位于所述遮挡区域时，所述晶圆的转速为第一转速，当晶圆缺口位于所述搅拌区域时，所述晶圆的转速为第二转速，所述第一转速小于所述第二转速；所述遮挡区域用于降低所述晶圆缺口在遮挡区域内接收到的金属离子总量。通过在搅拌机构上设置遮挡区域，以及控制晶圆的转速适时降低使得晶圆缺口在遮挡区域内接收到的金属离子总量降低，避免电镀工艺过程中，晶圆缺口周边区域电镀高度过高的现象的发生。
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公开(公告)号：CN113122899A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911387535.8
申请日：2019-12-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种密封检测装置与方法，密封检测装置包括：第一电极、第二电极、连接第一电极和第二电极的电流检测模块以及连接电流检测模块的判断模块；电镀设备所夹持的基板表面被密封件分隔为第一区域和第二区域；第一电极接触连接第一区域，第二电极通过电镀液连接第二区域，第一电极、基板、第二电极和电流检测模块之间构成检测回路；电流检测模块通电检测检测回路的实际电流值，判断模块获取实际电流值并判断密封件的密封性。本发明通过引入电流检测模块对密封件的密封性能进行检测，实现了对密封件密封性能的自动化检测，避免了现有技术中目检检测所造成的漏检误检，提高了电镀设备的工艺稳定性和稼动率。
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