公开(公告)号：CN115707793A

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202110961832.X

申请日：2021-08-20

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛帷半导体设备(上海)有限公司 ,  盛美半导体设备韩国有限公司 ,  清芯科技有限公司

Inventor： 王晖 ,  张山 ,  朴载成 ,  沈辉 ,  金宗焕 ,  陈宇 ,  石家燕 ,  张晓燕 ,  周东成 ,  夏光煜 ,  王俊 ,  金泳律

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明揭示了一种使用炉管处理晶圆的方法，包括以下步骤：将载有晶圆的晶舟装载至炉管腔体中；将炉管腔体中的压力值设定在第一压力值之上，将炉管腔体内的温度从初始温度升高至设定的目标温度；保持炉管腔体内的温度不变，将炉管腔体内的压力降低至设定的目标压力值；开始工艺以处理晶圆；工艺完成后，保持炉管腔体内的温度不变，将炉管腔体内的压力从目标压力值升高至第一压力值之上；将炉管腔体中的压力值设定在第一压力值之上，将炉管腔体内的温度从目标温度降低至初始温度；将炉管腔体中的压力值升高至大气压；将载有晶圆的晶舟从炉管腔体中转移出来。相对于传统的工艺步骤，采用本发明能够减少晶圆上的颗粒物数量。

公开(公告)号：CN118162419A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202211586915.6

申请日：2022-12-09

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛帷半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 石家燕 ,  周冬成 ,  张晓燕 ,  王晖

IPC: B08B7/00 ,  C23C16/44 ,  B08B9/08

Abstract: 本发明提供化学气相沉积炉管的清洗工艺及具有清洗功能的炉管，包括如下步骤：封闭内部具有待清洗层的腔体，设定腔体内部的环境条件；从腔体的底部通入清洗气体，清洗腔体内的待清洗层；其中，设定腔体内部环境条件包括：腔体内部温度从底部到顶部进行由高至低梯度控制。本发明的一种化学气相沉积炉管的清洗工艺及具有清洗功能的炉管通过提高炉管腔体底部的温度，加快腔体底部清洗气体的热分解速度，使腔体整体的清洗速率趋于一致，进而提高了腔体整体的清洗效率，缩短了腔体的清洗时间，改善了因需要加长清洗腔体底部的时间造成腔体顶部过度清洗导致损伤的问题，延长了腔体的使用寿命。