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公开(公告)号：CN118162419A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211586915.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供化学气相沉积炉管的清洗工艺及具有清洗功能的炉管，包括如下步骤：封闭内部具有待清洗层的腔体，设定腔体内部的环境条件；从腔体的底部通入清洗气体，清洗腔体内的待清洗层；其中，设定腔体内部环境条件包括：腔体内部温度从底部到顶部进行由高至低梯度控制。本发明的一种化学气相沉积炉管的清洗工艺及具有清洗功能的炉管通过提高炉管腔体底部的温度，加快腔体底部清洗气体的热分解速度，使腔体整体的清洗速率趋于一致，进而提高了腔体整体的清洗效率，缩短了腔体的清洗时间，改善了因需要加长清洗腔体底部的时间造成腔体顶部过度清洗导致损伤的问题，延长了腔体的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117542769A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210917461.X
申请日：2022-08-01
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本发明提出的基板提升机构，包括主体支架，所述主体支架包括多个水平支杆，多个水平支杆相互平行且间隔布置，每个水平支杆包括两个侧壁；齿板，所述齿板的顶部设置有等间隔排布的多个插槽，用以保持多个基板；其中，每个水平支杆的至少一个侧壁安装有所述齿板，水平支杆与齿板之间设置有定位组件。齿板与水平支杆通过定位组件卡合固定，能够提高两者之间的定位精度，降低调试难度，提高安装的可靠性和基板保持的稳定性，避免基板因保持稳定性差倾斜，导致相邻基板部分重叠或接触，影响清洗效果，产生颗粒污染等缺陷。
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公开(公告)号：CN116516316A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210081260.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明揭示了一种用于薄膜沉积的炉管，包括：工艺管；晶舟，设置于工艺管内部，晶舟沿工艺管的长度方向上设置有多层支撑件；供气管，设置于工艺管内部，供气管沿工艺管的长度方向上设置有多层供气孔；工艺管的侧壁沿其长度方向上设置有多层排气孔；其中，供气孔的分布面积沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小，排气孔的分布面积沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小。本发明通过设置多层供气孔和多层排气孔，使得供气孔的分布面积沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小，排气孔的分布面积沿工艺管侧壁的长度方向由上至下逐渐减小，从而实现了每层供气孔的供气量相同，每层排气孔的排气量相同，使得每层基板上沉积薄膜的均匀性保持一致。
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公开(公告)号：CN115799104A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111055519.6
申请日：2021-09-09
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明揭示的腔室隔离装置，包括基座，内部安装有垂直驱动单元；隔离门，在垂直驱动单元驱动下沿基座竖向移动；隔离门包括呈中空罩体的隔离门主体，当隔离门主体向下移动回缩至基座内部时，隔离门主体罩住垂直驱动单元；以及设置在隔离门主体顶部的上托盘，用于承接基板表面滴落的清洗液，上托盘的底部设有导流孔，导流孔连接导流管，导流管与设置在基座底部的排液总管连通。本发明还揭示了一种基板清洗设备。通过采用呈中空罩体的隔离门，将基座内部垂直驱动单元与外部环境隔离，并通过隔离门顶部的上托盘将基板表面滴落的清洗液及时导出腔室隔离装置，有效地避免清洗液与基座中的部件，尤其是垂直驱动单元接触，从而延长设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119245844A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202310807954.2
申请日：2023-07-03
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种温度传感器，包括：测温元件，用于测量化学液温度；保护套管，套设于所述测温元件的外部，用于保护测温元件不与化学液接触；吹扫模块，用于向保护套管的内部提供吹扫气体；其中，所述吹扫模块包括进气通道和排气口，所述进气通道的进气端与外部供气装置相连，所述进气通道的出气端位于保护套管的下端并向保护套管的内部吹气，所述排气口位于保护套管的侧壁。本发明通过设置吹扫模块的方式保证了保护套管内的干燥，防止温度传感器被腐蚀渗透，导致失效，从而保证了工艺的稳定性；通过设置吹扫模块包括进气通道的方式，实现吹扫气体与化学液的换热，保证了温度传感器测量的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119069383A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310651025.7
申请日：2023-06-02
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种工艺槽测温装置及基板处理设备，该工艺槽测温装置用于检测工艺槽内的化学液温度，工艺槽上端具有工艺槽开口。该工艺槽测温装置包括：防护管，包括依次连接且相互导通的测温部和延伸部，测温部远离延伸部的一端密封形成防护管底部，延伸部远离测温部的一端开口形成防护管入口，且测温部和延伸部轴向具有预设夹角；测温探头，装设于测温部的内部，且位于防护管底部。其中，防护管底部配置为浸没在工艺槽的化学液中，以使测温探头检测工艺槽的化学液温度，且防护管入口配置到工艺槽开口正上方之外，进而实现了该工艺槽测温装置结构简单、耐腐蚀性强的效果。
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公开(公告)号：CN118824893A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310424800.5
申请日：2023-04-19
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明揭示了一种基板刻蚀方法及装置。基板刻蚀方法包括将基板浸入容纳有刻蚀溶液的处理槽中，通过刻蚀溶液对基板进行湿法刻蚀，基板表面形成有深结构；基于脉冲信号向刻蚀溶液中提供气体，用以在刻蚀溶液中产生气泡，脉冲信号的一个脉冲时间包括供气时段和间歇时段，间歇时段取决于供气时段结束后深结构中关键组分达到扩散平衡所需的扩散时间。
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公开(公告)号：CN119845044A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410825152.9
申请日：2024-06-24
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种高温炉管的密封结构及密封方法。高温炉管包括工艺管和底座，高温炉管的密封结构包括设置在底座顶面的环形凸筋，所述环形凸筋顶面与所述工艺管底面接触并承托所述工艺管；所述环形凸筋的材料为石英，适于在预设温度下软化变形后与所述工艺管底面粘连。本发明利用石英的高温软化的特性，提高工艺管内部温度使石英环形凸筋强度降低、发生微小形变，工艺管在重力作用下与底座粘连，实现了工艺管和底座之间的密封。
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公开(公告)号：CN116222214A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111476919.4
申请日：2021-12-02
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
IPC: F27B17/00 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 本发明揭示了一种高温炉管，包括：工艺管，工艺管的顶端设置有顶盖，顶盖上设置有通孔；供气管，与工艺管顶盖上的通孔连通，工艺气体通过供气管和工艺管顶盖上的通孔通入工艺管内部；晶舟，设置于工艺管内部，包括支撑架和支撑平板，支撑平板沿支撑架的长度方向分布有多层，用于支撑多片基板，每片基板放置于每层支撑平板上，每层支撑平板托住每片基板的整个底部。本发明通过设置多层支撑平板，且每层支撑平板托住每片基板的整个底部，避免了基板在1200℃以上的高温工艺下发生向下变形而导致基板内晶格缺陷的产生，提升了芯片的良率。
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公开(公告)号：CN118497718A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310112530.4
申请日：2023-02-14
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司 , 盛帷半导体设备(上海)有限公司
IPC: C23C16/511 , C23C16/505 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，包括：工艺管，工艺管内构造有反应室和至少一个电离室；供气管，供气管用于输送待电离工艺气体至电离室，待电离工艺气体在电离室内电离后，进入反应室内，以在基板表面沉积相应的薄膜，或者发生吸附反应实现薄膜在基板表面逐层生长；第一电极和第二电极，位于工艺管之内并位于电离室的中部位置，其中，第一电极和/或第二电极由挡板支撑，挡板的一端与对应电极相连，挡板的另一端与电离室内壁连接，以使得待电离工艺气体通过第一电极和第二电极之间。本发明提高了工艺气体的电离效率。
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