公开(公告)号：CN118497718A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310112530.4

申请日：2023-02-14

Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 ,  盛美半导体设备韩国有限公司 ,  清芯科技有限公司 ,  盛帷半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 王晖 ,  王坚 ,  贾社娜 ,  沈辉 ,  周冬成 ,  张大海 ,  吕策 ,  陈国强 ,  崔致久 ,  全鍾赫 ,  千家䘊 ,  李東根

IPC: C23C16/511 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种用于等离子增强型薄膜沉积的炉管，包括：工艺管，工艺管内构造有反应室和至少一个电离室；供气管，供气管用于输送待电离工艺气体至电离室，待电离工艺气体在电离室内电离后，进入反应室内，以在基板表面沉积相应的薄膜，或者发生吸附反应实现薄膜在基板表面逐层生长；第一电极和第二电极，位于工艺管之内并位于电离室的中部位置，其中，第一电极和/或第二电极由挡板支撑，挡板的一端与对应电极相连，挡板的另一端与电离室内壁连接，以使得待电离工艺气体通过第一电极和第二电极之间。本发明提高了工艺气体的电离效率。