公开(公告)号：CN101417405A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810215359.5

申请日：2008-09-11

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： J·容格 ,  R·魏斯

IPC: B24B7/17 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B49/00

Abstract: 本发明涉及一种校正用于半导体晶片的同时双面加工的双面磨削机中的磨削主轴位置的方法，其中，分别包括用于接收磨削盘的磨削盘凸缘的两个磨削主轴借助于连接元件扭转地连接，且包括倾角计和用于距离测量的两个传感器的测量单元代替磨削盘以这种方式安装在两个磨削盘凸缘之间，使得在这种情况下磨削主轴大致处于当在磨削过程中安装有磨削盘时它们所处的位置，其中，被连接的磨削主轴被转动，同时倾角计和传感器用于确定两个磨削主轴的轴向对准的径向和轴向校正值，所述径向和轴向校正值用于两个磨削主轴的对称定向。本发明的另一方面涉及在加工力的作用下的主轴位置的校正。另外的权利要求涉及用于执行所述方法的装置。

公开(公告)号：CN101337336B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810108283.6

申请日：2008-06-05

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： J·容格 ,  R·魏斯

IPC: B24B37/04 ,  B24B55/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B7/228 ,  B24B7/16 ,  B24B7/17 ,  B24B55/02

Abstract: 本发明涉及研磨半导体晶片的方法，借助至少一个研磨工具，分别通过将冷却剂提供到半导体晶片和至少一个研磨工具之间的接触区中对半导体晶片进行加工以便除去一面或两面上的材料，所述方法的特征在于根据至少一个研磨工具的研磨齿高度分别选择冷却剂的流速，并且该冷却剂的流速随着所述研磨齿高度的下降而减小。

公开(公告)号：CN101337336A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810108283.6

申请日：2008-06-05

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： J·容格 ,  R·魏斯

IPC: B24B37/04 ,  B24B55/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B7/228 ,  B24B7/16 ,  B24B7/17 ,  B24B55/02

Abstract: 本发明涉及研磨半导体晶片的方法，借助至少一个研磨工具，分别通过将冷却剂提供到半导体晶片和至少一个研磨工具之间的接触区中对半导体晶片进行加工以便除去一面或两面上的材料，所述方法的特征在于根据至少一个研磨工具的研磨齿高度分别选择冷却剂的流速，并且该冷却剂的流速随着所述研磨齿高度的下降而减小。

公开(公告)号：CN102990791A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210328132.8

申请日：2012-09-06

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： J·容格 ,  J·莫泽

IPC: B28D5/04 ,  B28D7/00

CPC classification number: B28D5/045 ,  B23D57/0061

Abstract: 本发明涉及从工件切割晶片的线锯的带固定结合磨粒锯线的单层卷绕，特别是涉及用于从工件切割晶片的线锯的绕线盘，其中涂布有固定结合磨粒的锯线以单层方式卷绕至绕线盘上。本发明既可应用于单切线锯，也可应用于多线锯。

公开(公告)号：CN117256040A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202280028959.9

申请日：2022-02-04

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： G·皮奇 ,  J·容格

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于由半导体材料制成的圆柱形棒生产圆盘的方法，该圆柱形棒具有轴线和在该棒的侧表面中且平行于该轴线的识别沟槽。该方法按照给定顺序具有以下步骤：(a)在存在切割装置的情况下，借助于线锯切过程从圆柱形棒同时分离出多个圆盘；(b)在一停留时间段期间，在温度为20℃至50℃的蚀刻浴中利用碱性蚀刻剂蚀刻所述圆盘，其中，从所述圆盘中的每一个去除初始晶圆厚度的不到5/1000作为去除材料；以及(c)借助于使用环形磨削盘作为工具的同时双面磨削工艺磨削所述圆盘。

公开(公告)号：CN101417405B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200810215359.5

申请日：2008-09-11

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： J·容格 ,  R·魏斯

IPC: B24B7/17 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B49/00

Abstract: 本发明涉及一种校正用于半导体晶片的同时双面加工的双面磨削机中的磨削主轴位置的方法，其中，分别包括用于接收磨削盘的磨削盘凸缘的两个磨削主轴借助于连接元件扭转地连接，且包括倾角计和用于距离测量的两个传感器的测量单元代替磨削盘以这种方式安装在两个磨削盘凸缘之间，使得在这种情况下磨削主轴大致处于当在磨削过程中安装有磨削盘时它们所处的位置，其中，被连接的磨削主轴被转动，同时倾角计和传感器用于确定两个磨削主轴的轴向对准的径向和轴向校正值，所述径向和轴向校正值用于两个磨削主轴的对称定向。本发明的另一方面涉及在加工力的作用下的主轴位置的校正。另外的权利要求涉及用于执行所述方法的装置。