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公开(公告)号：CN113891790A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039344.7
申请日：2020-04-29
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明的主题是一种用于在多个切片操作期间通过线锯从工件上切下多个晶片的方法，所述线锯包括锯线的移动线段的线网，锯线在两个导线辊之间拉伸，每个导线辊安装在固定轴承和可移动轴承之间。本发明的另一主题是可通过所述方法获得的单晶硅半导体晶片。所述方法包括：在对工件起研磨作用的硬质物质的存在下，在每个切片操作期间，在存在工作流体下，抵靠着线网沿进料方向进料工件之一；在切片操作期间，根据温度曲线对相应导线辊的固定轴承进行温度控制，所述温度曲线基于切割深度指定温度；在切片操作过程中，温度曲线从具有恒温过程的第一温度曲线第一次切换到第二温度曲线，所述第二温度曲线与第一平均形状轮廓和参考晶片的形状轮廓之差异成比例，其中所述第一平均形状轮廓由已根据第一温度曲线切下的晶片确定。
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公开(公告)号：CN110430958A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880011900.2
申请日：2018-01-30
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
Abstract: 本发明涉及用于借助结构化锯线(2)从料锭同时切割多个晶片的方法，其中，所述结构化锯线(2)被导向通过两个导线辊(14)的凹槽(9、10)，并且结构化线(2)支承于的每个凹槽(9、10)的底部具有弯曲的凹槽底部(16)，凹槽底部具有针对每个凹槽(9、10)与在相应的凹槽(9、10)中所具有的结构化线(2)的结构化线(2)包络体半径相等或最大为结构化线包络体半径的1.5倍的曲率半径。本发明还涉及导线辊(14)和线锯。
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公开(公告)号：CN107052452A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610898586.7
申请日：2015-04-23
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
Abstract: 用于沿着严格的凸状切割面从圆柱形工件同时切割出许多切片的方法，包括借助于安装条带和线锯的供给器具以工件的轴线平行于线导辊的轴线地保持工件；借助于供给设备通过线锯的线栅垂直地从上方移动工件，其中线栅是通过围绕线导辊缠绕线并且垂直于线导辊的轴线地在线导辊的凹槽中引导其而由相互平行并且在一个平面内的许多线部分形成的；并且向线部分供给作为切割器具的载液中的坚硬物质的悬浮液，而具有纵向张力的线部分由于线导辊的转动在第一旋转方向和与第一旋转方向相反的第二旋转方向之间的连续交变的结果而相对于工件作相对运动，其中在沿第一方向转动期间，线被移动第一长度，并且在沿第二方向转动期间，线被移动第二长度，并且第二长度被选择成以致比第一长度短，其特征在于，在切割操作开始时，选择第一纵向线张力，并且在切割操作结束时，选择第二纵向线张力，其中第一纵向张力被选择成以便大于第二纵向张力。
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公开(公告)号：CN102441826B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110291517.7
申请日：2009-09-21
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Inventor： M·克斯坦 , G·皮奇 , F·伦克尔 , C·万贝希托尔斯海姆 , H·莫勒
IPC: B24B7/17 , B24B7/22 , H01L21/304
Abstract: 公开了一种用于多个半导体晶片的同时双面材料去除处理的方法，其中，每个半导体晶片可自由移动地位于多个承载盘中的一个承载盘的凹部中，所述承载盘借助于环形外齿轮和环形内驱动轮被使得转动，从而每个半导体晶片在摆线路径曲线上移动，同时半导体晶片被处理以在两个转动的环形工作盘之间去除材料，所述环形工作盘包括工作层，且承载盘和/或半导体晶片在处理过程中以它们的表面的一部分暂时离开由工作盘限制的工作间隙，其中，承载盘在与所述工作间隙的中心平面大致共面延伸的运动平面上通过相应地包括环形区域的两个工作盘引导，所述环形区域不包含工作层，且确保在承载盘和/或半导体晶片从所述工作间隙偏移的过程中引导承载盘。
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公开(公告)号：CN102867767B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210216148.X
申请日：2012-06-27
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: H01L21/673 , H01L21/677
CPC classification number: B65G1/127 , B65G47/5127 , B65G65/00 , H01L21/67769 , H01L21/67778
Abstract: 本发明涉及用于缓冲储存大量晶片型工件17的装置，包含框架1，至少两个输送元件3，其每个以垂直方向围绕连接在框架上的上部和下部偏向装置5循环，并且以均匀的间隔在其上提供多个承载区域4用于工件17的水平安装，其中驱动每个输送元件3的至少一个偏向装置5，其中在输送元件3之间有自由空间，上部偏向装置5间的装载位置33，在所述位置上，每个工件17可以放置在相应的承载区域4上，和装载位置33下的固定移出装置，包含水平输送装置7、8、9，其第一末端位于输送元件3的自由空间内。本发明还涉及一种用于缓冲储存大量晶片型工件17的方法，其使用上述装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103240805A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310049533.4
申请日：2013-02-07
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: B28D5/04 , B23D57/00 , B24B49/00 , H01L21/304
CPC classification number: B28D5/045 , B28D5/007 , B28D5/0076 , Y02P70/179
Abstract: 从工件同时切割多个切片的设备和方法。该方法包括通过线锯的进给装置以工件的轴平行于线锯的锯线引导滚筒的轴的方式保持工件；利用进给装置使工件以垂直地从上方通过线锯的排栅的方式移动，由多个彼此平行且在一个平面内运行的锯线段形成排栅；将硬物质在载液中的浆料作为磨料供应至锯线段，同时锯线段通过锯线引导滚筒的旋转在连续不断地改变旋转方向的情况下相对于工件实施相对运动，其引导锯线段从进入侧直至退出侧通过工件；将冷却剂从侧面及从下方喷射到在工件移动通过排栅时形成的切割间隙中，其中通过位于排栅下方与锯线引导滚筒的轴平行的喷嘴将冷却剂喷射到切割间隙中，仅通过与锯线段的进入侧位置相对的喷嘴将冷却剂喷射到切割间隙中。
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公开(公告)号：CN102069448A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010530377.X
申请日：2010-10-28
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/08 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024
Abstract: 一种用于制造半导体晶片的方法，其包括：(a)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆；(b)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层；(c)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(d)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(e)用蚀刻介质处理半导体晶片的两面；(f)利用包含磨料的抛光垫对半导体晶片的至少一面进行抛光；(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；(h)至少对正面进行化学机械抛光。
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公开(公告)号：CN119630522A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380052301.6
申请日：2023-06-21
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 一种借助线锯从工件(1)同时切出多个切片(34)的方法，所述方法包括：切割磨削过程，其中工件(1)垂直于所述工件的纵向轴线(26)地朝向在两个线引导辊(5，6)之间拉伸的锯切线(4)的线网(24)运动，所述锯切线(4)在所述锯切线的纵向方向上运动，其中向所述线网(24)供给冷却润滑剂，并且其中在所述线网(24)的线区段之间产生固定于条梁(2)上并且其间存在切割间隙(22)的切片(34)，以及从所述线网(24)上移除所述条梁(2)与所述切片(34)，其中，在移除所述条梁(2)与所述切片(34)期间借助喷射装置利用液体(21)喷射所述切割间隙(22)，直到所述线区段已离开所述切割间隙(22)，其中通过固定于喷嘴条梁(16，17)上的喷嘴(14)以高压供给所述液体(21)，所述喷嘴带以摇摆方式平行于所述工件(1)的纵向轴线(26)运动，其中所述液体(21)与夹带的空气(35)偶发性地激发所述切片(34)振动。
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公开(公告)号：CN102601725B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210020581.6
申请日：2012-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/245
Abstract: 本发明涉及在双面加工设备的两个工作盘(13、26)的每一个工作盘上提供平整工作层(32、39)的方法，所述双面加工设备包括环形的上工作盘(13)、环形的下工作盘(26)和辊装置(20、21)，其中以相对于所述双面加工设备的对称轴(28)可旋转的方式安装所述两个工作盘(13、26)和辊装置(20、21)，并且其中所述方法按照如下顺序包括以下步骤：(a)将下中间层(29)施加于所述下工作盘表面(26)和将上中间层(16)施加于所述上工作盘表面(13)；(b)通过至少3个修整设备同时平整所述两个中间层(16、29)，所述修整设备均包括修整盘(34)、至少一个包含磨料物质的修整体(35、36)和外齿(37)，其中在压力以及加入不包含具有摩擦功能的物质的冷却剂下，所述修整设备通过辊装置(20、21)和外齿(37)以摆线轨迹在所述中间层(16、29)上运动，并由此从所述中间层(16、29)去除材料；和(c)将厚度均匀的下工作层(32)施加于下中间层(29)和将厚度均匀的上工作层(39)施加于上中间层(16)。
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公开(公告)号：CN102610510B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210023094.5
申请日：2012-01-19
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B37/28
CPC classification number: B24B37/28
Abstract: 本发明涉及适合于接收一个或多个半导体晶片以在磨削装置、研磨装置或抛光装置的两个工作盘之间对其进行双面加工的嵌件托架，其包括具有第一表面和第二表面的由第一材料组成的芯部，其中第一表面和第二表面各自带有完全或部分地覆盖第一表面和第二表面的由第二材料组成的涂层，以及至少一个用于接收半导体晶片的开口，其中涂层的背离芯部的表面具有由凸起和凹坑构成的结构，其特征在于，所述结构的凸起和凹坑的相关长度在0.5mm至25mm的范围内，并且所述结构的纵横比在0.0004至0.4的范围内。本发明还涉及用于同时双面去除材料式加工半导体晶片的方法，其中使用所述嵌件托架。
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