公开(公告)号：CN102689368A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210074556.6

申请日：2012-03-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： A·休伯 ,  W·格马什 ,  R·克鲁泽德 ,  P·威斯纳

IPC: B28D5/04 ,  B28D7/02 ,  B28D7/00

CPC classification number: B23D57/0053 ,  B28D5/0064 ,  B28D5/0076 ,  B28D5/045

Abstract: 一种由工件切分晶圆的方法，包括：在锯切操作过程中，相对于工件移动锯切线的以平行方式设置的线段，从而生成晶圆，其中，线段被张紧在两个导线辊之间，每个导线辊具有特有厚度的带沟槽的涂层；以及，借助于在涂层的端部专用地固定到涂层上的环，通过测量传感器和环之间的距离，测量其中一个导线辊的涂层的长度变化，所述变化由温度变化导致；以及根据所测量的距离冷却导线辊。

公开(公告)号：CN102689369B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210074761.2

申请日：2012-03-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： A·休伯 ,  W·格马什 ,  R·克鲁泽德 ,  P·威斯纳

IPC: B28D5/04

CPC classification number: B28D5/045 ,  B23D57/0053 ,  B28D5/0076

Abstract: 一种由工件切分晶圆的方法，包括：在锯切操作过程中，相对于工件移动锯切线的以平行方式设置的线段，从而生成晶圆，其中，线段被张紧在两个导线辊之间，每个导线辊具有特有厚度的带沟槽的涂层；以及，借助于在涂层的端部专用地固定到涂层上的环，通过测量传感器和环之间的距离，测量其中一个导线辊的涂层的长度变化，所述变化由温度变化导致；以及根据所测量的距离冷却导线辊。

公开(公告)号：CN104690840B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410737475.9

申请日：2014-12-05

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： P·威斯纳 ,  R·克鲁泽德

IPC: B28D5/04

CPC classification number: B28D5/045

Abstract: 本发明涉及一种借助线锯的线网从工件锯切出许多晶片的方法，所述线网是由许多线段构成的，其中借助目标性地影响跨过线网的导线辊的护套的长度方面的温度诱致变化，来改善所切出的晶片的几何形状和波纹度。

公开(公告)号：CN103847035B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310625123.X

申请日：2013-11-28

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： P·威斯纳

IPC: B28D5/04

CPC classification number: B28D5/045 ,  B23D57/0023 ,  B28D1/08

Abstract: 本发明涉及用于使用线锯将工件锯切成多个晶片的中断过程恢复的方法。通过特殊的锯线的向前和向后的移动顺序，避免在锯切晶片的表面中形成深锯切口。

公开(公告)号：CN102689368B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210074556.6

申请日：2012-03-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： A·休伯 ,  W·格马什 ,  R·克鲁泽德 ,  P·威斯纳

IPC: B28D5/04 ,  B28D7/02 ,  B28D7/00

CPC classification number: B23D57/0053 ,  B28D5/0064 ,  B28D5/0076 ,  B28D5/045

Abstract: 一种由工件切分晶圆的方法，包括：在锯切操作过程中，相对于工件移动锯切线的以平行方式设置的线段，从而生成晶圆，其中，线段被张紧在两个导线辊之间，每个导线辊具有特有厚度的带沟槽的涂层；以及，借助于在涂层的端部专用地固定到涂层上的环，通过测量传感器和环之间的距离，测量其中一个导线辊的涂层的长度变化，所述变化由温度变化导致；以及根据所测量的距离冷却导线辊。

公开(公告)号：CN111993614B

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202010462168.X

申请日：2020-05-27

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： G·皮奇 ,  P·威斯纳

IPC: B28D5/00 ,  B28D5/04

Abstract: 本发明主题是在多个切片操作期间借助线锯从工件切下多个晶圆的方法，线锯包括在两个线引导辊之间拉伸的锯切线的移动线区段的线网，线引导辊安装在固定和可移动轴承之间。另一主题是通过该方法获得的单晶硅半导体晶圆。该方法包括，在切片操作中，存在工作流体，存在硬质物质，抵靠线网沿着供给方向供给工件，硬质物质磨蚀作用在工件；在切片操作中，根据温度轮廓对线引导辊的固定轴承温度控制，温度轮廓要求温度作为切割深度的函数；在切片操作中，温度轮廓从有恒定温度过程的第一温度轮廓到第二温度轮廓的第一切换，第二温度轮廓与第一平均形状轮廓和参考晶圆的形状轮廓的差成比例，从根据第一温度轮廓切下的晶圆确定第一平均形状轮廓。

公开(公告)号：CN111993614A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010462168.X

申请日：2020-05-27

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： G·皮奇 ,  P·威斯纳

IPC: B28D5/00 ,  B28D5/04

Abstract: 本发明主题是在多个切片操作期间借助线锯从工件切下多个晶圆的方法，线锯包括在两个线引导辊之间拉伸的锯切线的移动线区段的线网，线引导辊安装在固定和可移动轴承之间。另一主题是通过该方法获得的单晶硅半导体晶圆。该方法包括，在切片操作中，存在工作流体，存在硬质物质，抵靠线网沿着供给方向供给工件，硬质物质磨蚀作用在工件；在切片操作中，根据温度轮廓对线引导辊的固定轴承温度控制，温度轮廓要求温度作为切割深度的函数；在切片操作中，温度轮廓从有恒定温度过程的第一温度轮廓到第二温度轮廓的第一切换，第二温度轮廓与第一平均形状轮廓和参考晶圆的形状轮廓的差成比例，从根据第一温度轮廓切下的晶圆确定第一平均形状轮廓。

公开(公告)号：CN104690840A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410737475.9

申请日：2014-12-05

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： P·威斯纳 ,  R·克鲁泽德

IPC: B28D5/04

CPC classification number: B28D5/045 ,  B28D5/0058

Abstract: 本发明涉及一种借助线锯的线网从工件锯切出许多晶片的方法，所述线网是由许多线段构成的，其中借助目标性地影响跨过线网的导线辊的护套的长度方面的温度诱致变化，来改善所切出的晶片的几何形状和波纹度。

公开(公告)号：CN103847035A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310625123.X

申请日：2013-11-28

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： P·威斯纳

IPC: B28D5/04

CPC classification number: B28D5/045 ,  B23D57/0023 ,  B28D1/08

Abstract: 本发明涉及用于使用线锯将工件锯切成多个晶片的中断过程恢复的方法。通过特殊的锯线的向前和向后的移动顺序，避免在锯切晶片的表面中形成深锯切口。

公开(公告)号：CN102689369A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210074761.2

申请日：2012-03-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： A·休伯 ,  W·格马什 ,  R·克鲁泽德 ,  P·威斯纳

IPC: B28D5/04

CPC classification number: B28D5/045 ,  B23D57/0053 ,  B28D5/0076

Abstract: 一种由工件切分晶圆的方法，包括：在锯切操作过程中，相对于工件移动锯切线的以平行方式设置的线段，从而生成晶圆，其中，线段被张紧在两个导线辊之间，每个导线辊具有特有厚度的带沟槽的涂层；以及，借助于在涂层的端部专用地固定到涂层上的环，通过测量传感器和环之间的距离，测量其中一个导线辊的涂层的长度变化，所述变化由温度变化导致；以及根据所测量的距离冷却导线辊。